氧化鋅和硫化銦薄膜的制備及光電應(yīng)用圖書(shū)目錄

1太陽(yáng)能電池介紹

1.1引言

1.2太陽(yáng)能電池的基本原理

1.3太陽(yáng)能電池的發(fā)展歷史及趨勢(shì)

1.4太陽(yáng)能電池的種類

參考文獻(xiàn)

2量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的研究

2.1量子點(diǎn)敏化劑的特性

2.2量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)和組成

2.3量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的工作機(jī)理

2.4提高量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池效率的方法

參考文獻(xiàn)

3ZnO和In2S3在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用

3.1ZnO的性質(zhì)及其在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用

3.2In2S3在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用

參考文獻(xiàn)

4CdSe敏化Al摻雜ZnO納米棒陣列復(fù)合薄膜的制備及其光電化學(xué)性能

4.1引言

4.2實(shí)驗(yàn)試劑和儀器設(shè)備

4.3Al摻雜ZnO納米棒陣列薄膜的制備與表征

4.4CdSe敏化Al摻雜ZnO納米棒陣列薄膜的制備及其光電化學(xué)性能研究

4.5本章小結(jié)

5大面積高能面裸露的ZnO納米片陣列薄膜的制備及其光電化學(xué)性能

5.1引言

5.2ZnO納米片陣列薄膜的制備

5.3ZnO納米片陣列薄膜的表征

5.4反應(yīng)條件對(duì)形貌演變的影響

5.5ZnO納米片陣列薄膜的性質(zhì)研究

5.6本章小結(jié)

6Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體/ZnO納米片陣列復(fù)合薄膜的制備及其光電化學(xué)性能研究

6.1引言

6.2CdS敏化ZnO納米片陣列薄膜的制備及其光電化學(xué)性能研究

6.3CdSe敏化ZnO納米片陣列薄膜的制備及其光電化學(xué)性能研究

6.4CdS/CdSe共敏化ZnO納米片陣列薄膜的制備及其光電化學(xué)性能研究

6.5本章小結(jié)

參考文獻(xiàn)

7片狀I(lǐng)n2S3薄膜的制備及其光電化學(xué)性質(zhì)

7.1引言

7.2實(shí)驗(yàn)過(guò)程

7.3結(jié)果與討論

7.4In2S3薄膜向In2O3薄膜的轉(zhuǎn)化

7.5本章小結(jié)

8楔形In2S3薄膜的制備及其光電化學(xué)性質(zhì)

8.1引言

8.2實(shí)驗(yàn)過(guò)程

8.3結(jié)果與討論

8.4本章小結(jié)

采用常壓超聲噴霧熱解法、通過(guò)氮和銦共摻雜，成功地制備出p型氧化鋅薄膜，其電學(xué)性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)國(guó)際上的最好水平(電阻率降低了2個(gè)數(shù)量級(jí)，霍爾遷移率提高了2~3個(gè)數(shù)量級(jí))。在此基礎(chǔ)上，又制備出具有p-氧化鋅/n-氧化鋅雙層結(jié)構(gòu)的氧化鋅同質(zhì)p-n結(jié)。這是首次用簡(jiǎn)單易行的方法制備出性能優(yōu)異的p型氧化鋅薄膜及氧化鋅同質(zhì)p-n結(jié)。這些研究成果對(duì)于深入研究氧化鋅薄膜晶體生長(zhǎng)和摻雜機(jī)理、試制新型氧化鋅短波長(zhǎng)發(fā)光器件、拓寬氧化鋅薄膜應(yīng)用領(lǐng)域等方面具有重要意義。

同時(shí)，由于氧化鋅一維納米材料具有許多特異的物理、化學(xué)特性，在構(gòu)建納米電子和光學(xué)器件方面具有巨大的應(yīng)用潛力，受到廣泛的關(guān)注。該課題組通過(guò)對(duì)汽相傳輸法制備高純度、復(fù)雜形狀一維氧化鋅納米材料的研究，自組裝成直徑小于60納米、尺度分布均勻、具有復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)的一維氧化鋅納米棒，并且實(shí)現(xiàn)了對(duì)其同質(zhì)催化和縱向排列的定向控制。其中，四腳狀氧化鋅納米結(jié)構(gòu)的研究已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平?實(shí)現(xiàn)了對(duì)其同質(zhì)催化控制和縱向排列的定向控制。