一種具有導向結構的柔性線路板成果信息

習洪鵬

一種具有電子阻擋與空穴調整層的外延結構專利目的

《一種具有電子阻擋與空穴調整層的外延結構》所解決的技術問題在于提供一種具有電子阻擋與空穴調整層的外延結構及制備方法，以解決上述背景技術中所提及的問題。

一種具有電子阻擋與空穴調整層的外延結構技術方案

《一種具有電子阻擋與空穴調整層的外延結構》提供的技術方案為：一種具有電子阻擋與空穴調整層的外延結構，從下至上依次包括襯底、緩沖層、N型摻雜半導體層、發(fā)光層和P型摻雜半導體層，其中，所述發(fā)光層與P型摻雜半導體層之間還包含材料為Al_x0In_y0G_a1-x₀-y₀N的P型摻雜空穴注入層和復數(shù)個子組合層堆疊形成的多層結構；所述每一個子組合層由材料為Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N的電子阻擋層與材料為Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N的空穴調整層組成，其中，y₀＞x₀＞0，x₁＞y₁＞0，x₂≥y₂＞0，x₁＞x₂≥x₀，y₀＞y₂＞y₁。

優(yōu)選的，所述多層結構中位于下部的子組合層為非故意P型摻雜層，位于上部的子組合層為故意P型摻雜層，所述非故意P型摻雜的子組合層個數(shù)大于或等于所述故意P型摻雜的子組合層個數(shù)。優(yōu)選的，所述空穴注入層的P型雜質濃度大于多層結構的P型雜質濃度。優(yōu)選的，所述空穴注入層形成過程中的P型雜質通過延遲效應及后續(xù)高溫條件下的擴散作用進入非故意P型摻雜子組合層內。優(yōu)選的，所述故意P型摻雜的子組合層個數(shù)≤3。優(yōu)選的，所述多層結構中至少2個子組合層的Al組分不同。優(yōu)選的，所述多層結構中子組合層的個數(shù)≥2。優(yōu)選的，每一所述子組合層的總厚度為10?！?00埃。優(yōu)選的，所述空穴注入層的厚度為50?！?000埃。

優(yōu)選的，所述空穴注入層、電子阻擋層與空穴調整層的Al組分的變化方式為恒定摻雜、拋物線形、遞增或遞減變化摻雜。優(yōu)選的，所述空穴注入層的P型雜質平均濃度≥1×10¹⁸。優(yōu)選的，所述多層結構的P型雜質平均濃度≥1×10¹⁶。為制備上述的外延結構，該發(fā)明同時提出一種具有電子阻擋與空穴調整層的外延結構的制備方法，所述方法包括以下步驟：

提供一襯底；沉積緩沖層于所述襯底之上；沉積N型摻雜半導體層于所述緩沖層之上；沉積發(fā)光層于所述N型摻雜半導體層之上；沉積材料為Al_x0In_y0G_a1-x₀-y₀N的P型摻雜空穴注入層于所述發(fā)光層之上；沉積材料為Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N的電子阻擋層與材料為Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N的空穴調整層交替堆疊組成的多層結構于所述空穴注入層之上，其中，y₀＞x₀＞0，x₁＞y₁＞0，x₂≥y₂＞0，x₁＞x₂≥x₀，y₀＞y₂＞y₁；沉積P型摻雜半導體層于所述多層結構之上，形成外延結構。

優(yōu)選的，沉積所述P型摻雜空穴注入層時反應室的溫度低于沉積所述多層結構時反應室的溫度。

優(yōu)選的，沉積所述P型摻雜空穴注入層時反應室的溫度與沉積所述多層結構時反應室的溫度差值為50~100℃。

優(yōu)選的，沉積所述P型摻雜空穴注入層時反應室的壓力與沉積所述多層結構時反應室的壓力相同，壓力值為50~500托。

優(yōu)選的，沉積多層結構過程中，首先停止通入P型雜質源，沉積位于多層結構下部的非故意P型摻雜子組合層，所述空穴注入層形成過程中的P型雜質通過延遲效應及后續(xù)高溫條件下的擴散作用進入所述非故意P型摻雜子組合層內；然后再次通入P型雜質源，沉積形成位于所述多層結構上部的故意P型摻雜子組合層。

優(yōu)選的，所述非故意P型摻雜子組合層的個數(shù)大于或等于所述故意P型摻雜子組合層的個數(shù)。

優(yōu)選的，所述故意P型摻雜子組合層的個數(shù)≤3。

優(yōu)選的，所述空穴注入層的P型雜質濃度大于多層結構的P型雜質濃度。

優(yōu)選的，所述空穴注入層的P型雜質平均濃度≥1×10¹⁸。

優(yōu)選的，所述多層結構的P型雜質平均濃度≥1×10¹⁶。

優(yōu)選的，所述多層結構中至少2個子組合層的Al組分不同。

優(yōu)選的，所述多層結構中子組合層的個數(shù)≥2。

優(yōu)選的，每一所述子組合層的總厚度為10?！?00埃。

優(yōu)選的，所述空穴注入層的厚度為50埃～1000埃。

優(yōu)選的，所述空穴注入層、電子阻擋層與空穴調整層的Al組分的變化方式為恒定摻雜、拋物線形、遞增或遞減變化摻雜。

一種具有電子阻擋與空穴調整層的外延結構改善效果

《一種具有電子阻擋與空穴調整層的外延結構》通過在外延結構中的發(fā)光層與P型摻雜半導體層之間插入一層P型空穴注入層，以高濃度摻雜提供足夠的空穴，且臨近發(fā)光層，可有效提升發(fā)光效率，同時為緩沖發(fā)光層與后續(xù)多層結構的晶格差異及實現(xiàn)低能階特性，該空穴注入層采用低Al組分高In組分的材料組成。

隨后生長高Al組分的電子阻擋層和低Al組分的空穴調整層交替層疊組成的多層結構，利用高Al組分與低Al組分交替分布的結構避免高Al組分引起的材料質量降低現(xiàn)象，同時利用In組分低能階的特性與Al組分搭配調變多層結構的能階變化以進一步改善多層結構整體電子阻擋及空穴調整的作用。

此外，在沉積臨近空穴注入層的多層結構的子組合層時不通入P型雜質源，而是通過P型雜質的延遲效應及后續(xù)高溫條件下的擴散作用進入該子組合層內；然后在繼續(xù)生長的臨近P型摻雜半導體層的子組合層中摻入P型雜質，在保證不增加電壓特性的前提下，提升多層結構的晶體質量。

同時，所述空穴注入層和多層結構均為氮化鋁銦鎵材料層，調整多層結構中鋁和銦的組分含量，在形成良好的電子阻擋性能的同時降低其阻值，且結合前述的空穴注入層提供的有效空穴來源改善芯片的抗靜電性能。

導向架結構設計計算概括地說，要考慮兩個基本變量，一是結構的荷載效應，另一個是結構的抗力。

導向架荷載效應

荷載效應是指作用在結構上的荷載產(chǎn)生的結構內力，如軸力、彎矩、剪力、扭矩等。

導向架結構的抗力

結構的抗力是指結構承受荷載和變形的能力，如截面強度、桿件的剛度和穩(wěn)定性等。

按照導電銅箔的層數(shù)劃分，分為單層板、雙層板、多層板、雙面板等。 單層板的結構：這種結構的柔性板是最簡單結構的柔性板。通?；?透明膠 銅箔是一套買來的原材料，保護膜 透明膠是另一種買來的原材料。首先，銅箔要進行刻蝕等工藝處理來得到需要的電路，保護膜要進行鉆孔以露出相應的焊盤。清洗之后再用滾壓法把兩者結合起來。然后再在露出的焊盤部分電鍍金或錫等進行保護。這樣，大板就做好了。一般還要沖壓成相應形狀的小電路板。 也有不用保護膜而直接在銅箔上印阻焊層的，這樣成本會低一些，但電路板的機械強度會變差。除非強度要求不高但價格需要盡量低的場合，最好是應用貼保護膜的方法。 雙層板的結構：當電路的線路太復雜、單層板無法布線或需要銅箔以進行接地屏蔽時，就需要選用雙層板甚至多層板。多層板與單層板最典型的差異是增加了過孔結構以便連結各層銅箔。一般基材 透明膠 銅箔的第一個加工工藝就是制作過孔。先在基材和銅箔上鉆孔，清洗之后鍍上一定厚度的銅，過孔就做好了。之后的制作工藝和單層板幾乎一樣。雙面板的結構：雙面板的兩面都有焊盤，主要用于和其他電路板的連接。雖然它和單層板結構相似，但制作工藝差別很大。它的原材料是銅箔，保護膜 透明膠。先要按焊盤位置要求在保護膜上鉆孔，再把銅箔貼上，腐蝕出焊盤和引線后再貼上另一個鉆好孔的保護膜即可 。