公司成立于2003年,現(xiàn)有員工400多人,其中工程技術(shù)人員30余人,技術(shù)和管理人員80%擁有大專以上文化程度,擁有完善高效的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)運(yùn)作體系。公司與美國、日本、臺灣、韓國等眾多擁有關(guān)鍵材料和技術(shù)的廠商建立了良好的合作關(guān)系。公司嚴(yán)格執(zhí)行印刷電路協(xié)會(IPC)制定的國際通用標(biāo)準(zhǔn),并通過了國際標(biāo)準(zhǔn)化組織ISO 9001:2000版質(zhì)量體系認(rèn)證。
作為軟性印制電路的專業(yè)制造商,公司專致于發(fā)新產(chǎn)品、新技術(shù),不斷改善和提高產(chǎn)品的品質(zhì),以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品品質(zhì),快捷準(zhǔn)時(shí)的交貨,合理的價(jià)格和完善的服務(wù)體系,竭誠為客戶提供滿意的產(chǎn)品和技術(shù)支持及服務(wù),共同創(chuàng)美好的明天。
從我做起,制作精品,為顧客提供最滿意的產(chǎn)品服務(wù)。持續(xù)不斷的改進(jìn),完善質(zhì)量管理體系,不斷提升滿足顧客需求和期望的能力,實(shí)現(xiàn)榮興達(dá)的可持續(xù)發(fā)展。
遵守環(huán)保法規(guī),節(jié)能降耗減排,清潔安全生產(chǎn),不斷持續(xù)改進(jìn),創(chuàng)建綠色家園。
路勁地產(chǎn)集團(tuán)有限公司是路勁基建有限公司房地產(chǎn)業(yè)務(wù)的旗艦公司。按中國房地產(chǎn)業(yè)協(xié)會、中國房地產(chǎn)研究會及中國房地產(chǎn)測評中心2011年發(fā)出的報(bào)告,路勁地產(chǎn)在外資房地產(chǎn)開發(fā)企業(yè)中位列第3名,并是中國房企50強(qiáng)之...
盛隆電氣集團(tuán)下屬8個(gè)子公司,5個(gè)工廠,1個(gè)研究所,20多個(gè)分公司或辦事處,其中北京子公司和武漢子公司分別在華北和華中市場位居引領(lǐng)地位。武漢的電氣子公司位居武漢市科技企業(yè)2010年銷售收入百強(qiáng)前列。上海...
1997年8月和1998年1月,公司屬下橫門發(fā)電廠兩臺125MW燃油汽輪發(fā)電機(jī)組相繼投入商業(yè)運(yùn)行。為提高公司抗風(fēng)險(xiǎn)能力,2005年7月30日和12月16日,公司安全順利完成橫門電廠兩臺燃油機(jī)組油改氣工...
精誠合作,誠信為本,和諧共贏發(fā)展。
以人為本,制造精品,拓展企業(yè),回報(bào)社會。
公司本著優(yōu)質(zhì)、高效、誠信的經(jīng)營理念,自創(chuàng)辦以來,秉持著對質(zhì)量的至上追求、良好的性價(jià)比,高速對應(yīng)客戶的要求,贏得了客戶的信賴和滿意。
中基軟性致力于不斷的技術(shù)創(chuàng)新,本著優(yōu)異的設(shè)計(jì)與制造能力,優(yōu)異的性價(jià)比,保證以最準(zhǔn)的交期為用戶提供最佳的品質(zhì)、最具競爭力價(jià)格的產(chǎn)品。
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中基發(fā)展建設(shè)工程有限責(zé)任公司,下設(shè)5個(gè)分公司,現(xiàn)有員工744人。其中。各類技術(shù)人員336人,包括:教授級高工35人,高級專業(yè)技術(shù)職稱者98人.享受政府特殊津貼的專家1人,注冊巖土工程師10人,國家優(yōu)秀項(xiàng)目經(jīng)理3人.一級項(xiàng)目經(jīng)理56人,二級項(xiàng)目經(jīng)理48人。
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眾地集團(tuán)有限公司簡介 眾地集團(tuán)有限公司是山東省重要涉外企業(yè), 是青島市總商會副會長單位以及青島國際 商會副會長單位, 總部位于山東省青島市棧 橋風(fēng)景區(qū)。 眾地集團(tuán)有限公司前身為創(chuàng)立 于 1994 年的中國地毯進(jìn)出口公司青島辦事 處,資本金為 298 萬元人民幣, 純國有性質(zhì), 之后又先后經(jīng)歷了青島中土畜地毯有限責(zé) 任公司、山東中地進(jìn)出口有限公司等發(fā)展階 段。 2003 年厎,公司管理層和創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)全 額收購了山東中地進(jìn)出口有限公司的國有 股份,改制為完全民營企業(yè), 并以此為基礎(chǔ) 創(chuàng)辦了眾地集團(tuán)有限公司。目前,公司注冊 資本金為 9900 萬元人民幣, 2010年底公司 凈資產(chǎn)為人民幣 6 億余元。眾地集團(tuán)有限公 司的財(cái)務(wù)資本原則上聚焦投放于自身主營 業(yè)務(wù)領(lǐng)域, 鑒于近年來中國國內(nèi)較高的通貨 膨脹現(xiàn)狀, 部分閑置資本則作為純粹的財(cái)務(wù) 投資,投向了相對穩(wěn)健、 進(jìn)入門檻較高且潛 在收益較大的地方商
555基時(shí)電路概述
555時(shí)基集成電路的工作原理與應(yīng)用
它設(shè)計(jì)新穎,構(gòu)思奇巧,用途廣泛,備受電子
專業(yè)設(shè)計(jì)人員和電子愛好者的青睞,人們將其戲稱為偉大的小IC。1972年,美國西格尼蒂克斯公司(Signetics)研制出Tmer ne555雙極型
時(shí)基電路,設(shè)計(jì)原意是用來取代體積大,定時(shí)精度差的熱延遲繼電器等機(jī)械式延遲器。但該器件投放市場后,人們發(fā)現(xiàn)這種電路的應(yīng)用遠(yuǎn)
遠(yuǎn)超出原設(shè)計(jì)的使用范圍,用途之廣幾乎遍及電子應(yīng)用的各個(gè)領(lǐng)域,需求量極大。美國各大公司相繼仿制這種電路 1974年西格尼蒂克斯
公司又在同一基片上將兩個(gè)雙極型555單元集成在一起,取名為NF556。1978年美國英特錫爾公司(Intelsil)研制成功CMOS型時(shí)基電路
ICM555 1CM556,后來又推出將四個(gè)時(shí)基電路集成在一個(gè)芯片上的四時(shí)基電路558 由于采用CMOS型工藝和高度集成,使時(shí)基電路的應(yīng)用從
民用擴(kuò)展到火箭、導(dǎo)彈,衛(wèi)星,航天等高科技領(lǐng)域。在這期間,日本、西歐等各大公司和廠家也競相仿制、生產(chǎn)。盡管世界各大半導(dǎo)體或
器件公司、廠家都在生產(chǎn)各自型號的555/556時(shí)基電路,但其內(nèi)部電路大同小異,且都具有相同的引出功能端。圖中示出了美國無線電
公司生產(chǎn)的CA555時(shí)基電路的內(nèi)部等效電路圖。如下555基時(shí)電路
555基時(shí)電路 |
鑒于各種雙極型的555集成塊的內(nèi)部電路大同小異,下面我們以CA555為例分析其內(nèi)部電路和原理。從CA555時(shí)基電路的內(nèi)部等效電路圖中
可看到,VTL-VT4、VT5、VT7組成上比較器Al,VT7的基極電位接在由三個(gè)5kΩ電阻組成的分壓器的上端,電壓為?VDD;VT9-VT13組成下
比較器A2,VTl3的基極接分壓器的下端,參考電位為?VDD。在電路設(shè)計(jì)時(shí),要求組成分壓器的三個(gè)5kΩ電阻的阻值嚴(yán)格相等,以便給出
比較精確的兩個(gè)參考電位?VDD和?VDD。VTl4-VTl7與一個(gè)4.7kΩ的正反饋電阻組合成一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路。VTl8-VT21組成一個(gè)推挽式
功率輸出級,能輸出約200mA的電流。VT8為復(fù)位放大級,VT6是一個(gè)能承受50mA以上電流的放電晶體三極管。雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路的工作狀態(tài)
由比較器A1、A2的輸出決定。
555時(shí)基電路的工作過程如下:當(dāng)2腳,即比較器A2的反相輸入端加進(jìn)電位低于?VDD的觸發(fā)信號時(shí),則VT9、VTll導(dǎo)通,給雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
中的VTl4提供一偏流,使VTl4飽和導(dǎo)通,它的飽和壓降Vces箝制VTl5的基極處于低電平,使VTl5截止,VTl7飽和,從而使VTl8截止,
VTl9導(dǎo)通,VT20完全飽和導(dǎo)通,VT21截止。因此,輸出端3腳輸出高電平。此時(shí),不管6端(閾值電壓)為何種電平,由于雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
(VTl4-VTl7)中的4.7kΩ電阻的正反饋?zhàn)饔?VTl5的基極電流是通過該電阻提供的),3腳輸出高電平狀態(tài)一直保持到6腳出現(xiàn)高于?VDD
的電平為止。當(dāng)觸發(fā)信號消失后,即比較器A2反相輸入端2腳的電位高于?VDD,則VT9、VTll截止,VTl4因無偏流而截止,此時(shí)若6腳
無觸發(fā)輸入,則VTl7的Vces飽和壓降通過4.7kΩ電阻維持VTl3截止,使VTl7飽和穩(wěn)態(tài)不變,故輸出端3腳仍維持高電平。同時(shí),VTl8的
截止使VT6也截止。當(dāng)觸發(fā)信號加到6腳時(shí),且電位高于?VDD時(shí),則VTl、VT2、VT3皆導(dǎo)通。此時(shí),若2腳無外加觸發(fā)信號使VT9、VTl4
截止,則VT3的集電極電流供給VTl5偏流,使該級飽和導(dǎo)通,導(dǎo)致VTl7截止,進(jìn)而VTl8導(dǎo)通,VTl9、VT2。都截止,VT21飽和導(dǎo)通,故3
腳輸出低電平。當(dāng)6腳的觸發(fā)信號消失后,即該腳電位降至低于?VDD時(shí),則VTl、VT2、VT3皆截止,使VTl5得不到偏流。此時(shí),若2腳仍
無觸發(fā)信號,則VTl5通過4.7kΩ電阻得到偏流,使VTl5維持飽和導(dǎo)通,VTl7截止的穩(wěn)態(tài),使3腳輸出端維持在低電平狀態(tài)。同時(shí),VTl8的
導(dǎo)通,使放電級VT6飽和導(dǎo)通。通過上面兩種狀態(tài)的分析,可以發(fā)現(xiàn):只要2腳的電位低于?VDD,即有觸發(fā)信號加入時(shí),必使輸出端3腳
為高電平;而當(dāng)6腳的電位高于?VDD時(shí),即有觸發(fā)信號加進(jìn)時(shí),且同時(shí)2腳的電位高于?VDD時(shí),才能使輸出端3腳有低電平輸出。4腳為
復(fù)位端。當(dāng)在該腳加有觸發(fā)信號,即其電位低于導(dǎo)通的飽和壓降0.3V時(shí),VT8導(dǎo)通,其發(fā)射極電位低于lV,因有D3接入,VTl7為截止?fàn)?/p>
態(tài),VTl8、VT21飽和導(dǎo)通,輸出端3腳為低電平。此時(shí),不管2腳、6腳為何電位,均不能改變這種狀態(tài)。因VT8的發(fā)射極通過D3及VTl7的
發(fā)射極到地,故VT8的發(fā)射極電位任何情況下不會比1.4V電壓高。因此,當(dāng)復(fù)位端4腳電位高于1.4V時(shí),VT8處于反偏狀態(tài)而不起作用,
也就是說,此時(shí)輸出端3腳的電平只取決于2腳、6腳的電位。
根據(jù)上面的分析,CA555時(shí)基電路的內(nèi)部等效電路可簡化為如圖所示的等效功能電路。顯然,555電路(或者專556電路)內(nèi)含兩個(gè)比較器
A1和A2、一個(gè)觸發(fā)器、一個(gè)驅(qū)動器和一個(gè)放電晶體管。兩個(gè)比較器分別被電阻R1、R2和R3構(gòu)成的分壓器設(shè)定的?VDD和?VDD。參考電壓
所限定。為進(jìn)一步理解其電路功能,并靈活應(yīng)用555集成塊,下面簡要說明其作用機(jī)理。從圖1-5可見,三個(gè)5kΩ電阻組成的分壓器,使
內(nèi)部的兩個(gè)比較器構(gòu)成一個(gè)電平觸發(fā)器,上觸發(fā)電平為?VDD,下觸發(fā)電平為?VDD。在5腳控制端外接一個(gè)參考電源Vc,可以改變上、下
觸發(fā)電平值。比較器Al的輸出同或非門l的輸入端相接,比較器A2的輸出端接到或非門2的輸入端。由于由兩個(gè)或非門組成的RS觸發(fā)器必
須用負(fù)極極性信號觸發(fā),因此,加到比較器Al同相端6腳的觸發(fā)信號,只有當(dāng)電位高于反相端5腳的電位時(shí),R-S觸發(fā)器才翻轉(zhuǎn);而加到
比較器A2反相端2腳的觸發(fā)信號,只有當(dāng)電位低于A2同相端的電位?VDD時(shí),R-S觸發(fā)器才翻轉(zhuǎn)。
陽離子型柔軟劑是使用最廣泛的一類,它又可分季銨鹽型、脂肪酸酯型、右蠟型、聚乙烯型、有機(jī)硅樹脂型等,其中季銨鹽型柔軟劑在陽離子柔軟劑中占有較大比重,主要有單烷基季銨鹽、二烷基季銨鹽、烷基?;句@鹽、吡啶季銨鹽型和咪唑型柔軟劑等,所用的季銨鹽型柔軟劑中單烷基季銨鹽由于毒性大、生物降解性差等已逐漸被淘汰;二烷基季銨鹽和烷基酰基季銨鹽的毒性雖比單烷基季銨鹽低,但其生物降解性很差,會殺死生物菌且易在污水處理時(shí)被污泥吸收而污染農(nóng)田,因此在上世紀(jì)九十年代初已在德國、荷蘭等國停止使用,歐盟在2002年5月15日發(fā)布的Eco-Label中明確禁止使用雙[氫化牛油烷基]二甲基氯化銨、雙[硬脂?;鵠二甲基氯化銨與雙[牛油烷基]二甲基氯化銨和由它們組成的制劑或配方;至于咪唑型(如柔軟劑IS)和吡啶季銨鹽型(如VelanPF)等陽離子型柔軟劑的BOD小、用傳統(tǒng)的生化法來處理降解比較困難,雖然沒有禁用,但按生態(tài)要求它們的使用也是有問題的。2100433B
研究人員在最近出版的《科學(xué)》雜志上報(bào)告說,就像常規(guī)閃存一樣,這種裝置能夠儲存數(shù)據(jù),并且在斷電后不會丟失數(shù)據(jù)。但是與其硬硬的表兄不同,是一種柔軟的,可折疊的閃存芯片.