書????名 | 紫外光電子器件——氮化物技術(shù)及應(yīng)用 | 作????者 | [德]邁克爾·尼塞爾(Michael Kneissl) |
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ISBN | 9787122303592 | 頁????數(shù) | 400頁 |
定????價(jià) | 198元 | 出版社 | 化學(xué)工業(yè)出版社 |
出版時(shí)間 | 2018年2月 | 裝????幀 | 平裝 |
開????本 | 16開 |
第1章氮化物紫外光電子器件技術(shù)及應(yīng)用概述/001
摘要001
1.1背景002
1.2UV發(fā)光器件及其應(yīng)用003
1.3UV-LED的最新技術(shù)和未來挑戰(zhàn)004
1.4UV-LED的主要參數(shù)和器件性能007
1.5缺陷對UV-LED IQE的作用008
1.6UV-LED的電注入效率和工作電壓010
1.7UV-LED的光提取011
1.8UV-LED的熱管理與退化012
1.9展望013
1.10小結(jié)014
致謝015
參考文獻(xiàn)015
第2章AlN體襯底的生長與性能/025
摘要025
2.1AlN晶體的特性與歷史026
2.2PVT法生長AlN體單晶:理論027
2.3PVT法生長AlN體單晶:技術(shù)029
2.4籽晶生長與晶體長大031
2.5PVT生長AlN體單晶的結(jié)構(gòu)缺陷033
2.6AlN襯底的雜質(zhì)及相應(yīng)性質(zhì)034
2.7結(jié)論與展望037
致謝038
參考文獻(xiàn)038
第3章藍(lán)寶石襯底上氮化物UV發(fā)光器件用AlGaN層氣相外延/044
摘要044
3.1簡介045
3.2MOVPE生長Al(Ga)N緩沖層046
3.3減少M(fèi)OVPE生長Al(Ga)N層TDD的技術(shù)048
3.4HVPE生長AlGaN層050
3.4.1HVPE技術(shù)基礎(chǔ)050
3.4.2襯底的選擇053
3.4.3HVPE選擇生長AlGaN層結(jié)果054
3.5小結(jié)062
致謝063
參考文獻(xiàn)063
第4章AlN/AlGaN生長技術(shù)和高效DUV-LED開發(fā)/067
摘要067
4.1簡介068
4.2DUV-LED研究背景068
4.3藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN的生長技術(shù)073
4.4內(nèi)量子效率(IQE)的顯著提高076
4.5222~351nm AlGaN和InAlGaN DUV-LED080
4.6電注入效率(EIE)通過MQB的增加086
4.7未來高光提取效率(LEE)的LED設(shè)計(jì)092
4.8小結(jié)098
參考文獻(xiàn)098
第5章位錯(cuò)和點(diǎn)缺陷對近帶邊發(fā)射AlGaN基DUV發(fā)光材料內(nèi)量子效率的影響/101
摘要101
5.1簡介103
5.2實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)104
5.3雜質(zhì)和點(diǎn)缺陷對AlN近帶邊發(fā)光動(dòng)力學(xué)的影響107
5.4AlxGa1-xN薄膜的近帶邊有效輻射壽命112
5.5硅摻雜及引起的陽離子空位形成對AlN模板上生長Al0.6Ga0.4N薄膜近帶邊發(fā)光的發(fā)光動(dòng)力學(xué)影響113
5.6小結(jié)117
致謝118
參考文獻(xiàn)118
第6章UV-LED的光偏振和光提取/122
摘要122
6.1紫外LED光提取123
6.2光偏振125
6.2.1影響AlGaN層光偏振開關(guān)的因素127
6.2.2光學(xué)偏振與襯底方向的關(guān)系130
6.2.3光學(xué)偏振對光提取效率的影響132
6.3改善光提取的概念134
6.3.1接觸材料與設(shè)計(jì)134
6.3.2表面制備138
6.3.3封裝144
參考文獻(xiàn)145
第7章半導(dǎo)體AlN襯底上高性能UVC-LED的制造及其使用點(diǎn)水消毒系統(tǒng)的應(yīng)用前景/151
摘要151
7.1簡介153
7.1.1UVC光源類型153
7.1.2什么是UVC光?153
7.1.3紫外殺菌如何工作?155
7.2AlN襯底上UVC LED的制造156
7.3提升POU水消毒用的UVC-LED性能增益162
7.3.1UVT效應(yīng)162
7.3.2設(shè)計(jì)靈活性164
7.3.3流動(dòng)單元建模165
7.3.4流動(dòng)分析案例165
7.3.5UVC光的使用168
參考文獻(xiàn)169
第8章AlGaN基紫外激光二極管/171
摘要171
8.1簡介172
8.2AlN體材上的最高材料質(zhì)量生長174
8.2.1AlN體襯底174
8.2.2同質(zhì)外延AlN174
8.2.3AlGaN激光器異質(zhì)結(jié)構(gòu)175
8.2.4多量子阱有源區(qū)176
8.3寬帶隙AlGaN材料的大電流能力177
8.4大電流水平下的高注入效率180
8.5光泵浦UV激光器183
8.6緊湊深紫外Ⅲ-N激光器的其他概念186
8.6.1電子束泵浦激光器186
8.6.2InGaN基VECSEL 二次諧波產(chǎn)生187
8.7小結(jié)187
致謝188
參考文獻(xiàn)188
第9章日盲和可見光盲AlGaN探測器/192
摘要192
9.1簡介193
9.2光電探測器基礎(chǔ)195
9.2.1特征參數(shù)與現(xiàn)象195
9.2.2各種類型的半導(dǎo)體光電探測器202
9.3Ⅲ族氮化物用于固態(tài)UV光電檢測211
9.3.1AlGaN基光電導(dǎo)體213
9.3.2AlGaN基MSM光電探測器213
9.3.3AlGaN基肖特基勢壘光電二極管214
9.3.4AlGaN基PIN光電二極管215
9.3.5AlGaN基雪崩光電探測器217
9.3.6AlGaN基光陰極219
9.3.7高度集成的Ⅲ氮族器件220
9.4寬禁帶光電探測器現(xiàn)狀221
9.5小結(jié)223
參考文獻(xiàn)224
第10章紫外LED水消毒應(yīng)用/234
摘要234
10.1簡介235
10.2紫外消毒的基本原則235
10.2.1影響紫外能流的因素237
10.2.2紫外反應(yīng)器性能的建模與驗(yàn)證239
10.3案例分析240
10.3.1測試紫外LED的實(shí)驗(yàn)設(shè)置提案241
10.3.2測試條件243
10.3.3使用紫外LED測試的結(jié)果246
10.4紫外LED水消毒應(yīng)用潛力251
致謝252
參考文獻(xiàn)252
第11章紫外發(fā)光器件皮膚病光療應(yīng)用/256
摘要256
11.1簡介257
11.2紫外光療的光源257
11.2.1自然日光258
11.2.2氣體放電燈259
11.2.3激光器261
11.2.4UV-LED261
11.3皮膚紫外光療的變化262
11.3.1補(bǔ)骨脂素加UVA(PUVA)治療262
11.3.2寬譜UVB(BB-UVB)治療263
11.3.3窄譜UVB(NB-UVB)治療264
11.3.4UVA-1治療265
11.3.5靶向紫外光療265
11.3.6體外光化學(xué)治療(ECP)266
11.4主要皮膚適應(yīng)證的作用機(jī)制267
11.4.1牛皮癬268
11.4.2特應(yīng)性皮炎268
11.4.3白癜風(fēng)269
11.4.4皮膚T細(xì)胞淋巴瘤269
11.4.5扁平蘚和斑禿269
11.4.6全身性硬化癥和硬斑病270
11.4.7移植體抗宿主病270
11.4.8多形性日光疹270
11.5采用新型UV發(fā)光器件的臨床研究271
11.5.1使用無極準(zhǔn)分子燈的研究271
11.5.2使用紫外LED的研究272
11.6總結(jié)與展望273
參考文獻(xiàn)273
第12章紫外發(fā)光器件氣體傳感應(yīng)用/281
摘要281
12.1簡介282
12.2吸收光譜284
12.3吸收光譜系統(tǒng)288
12.4紫外光譜儀光源291
12.5光譜儀用LED的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)295
12.6UV-LED吸收光譜儀的應(yīng)用298
12.6.1臭氧傳感器299
12.6.2臭氧傳感器設(shè)計(jì)299
12.6.3測量配置300
12.6.4結(jié)果300
12.6.5SO2和NO2傳感器301
12.6.6SO2/NO2氣體排放傳感器設(shè)計(jì)301
12.6.7測量配置302
12.7結(jié)論與展望303
參考文獻(xiàn)304
第13章化學(xué)與生命科學(xué)中的紫外熒光探測和光譜儀/306
摘要306
13.1簡介307
13.2熒光檢測和光譜儀的基礎(chǔ)和裝置308
13.3實(shí)驗(yàn)室分析儀器用熒光313
13.4環(huán)境監(jiān)測和生物分析用熒光化學(xué)傳感315
13.5用自發(fā)熒光探測微生物322
13.6皮膚病醫(yī)療診斷用熒光326
13.7總結(jié)與展望329
參考文獻(xiàn)329
第14章UVB誘導(dǎo)次生植物代謝物/339
摘要339
14.1次生植物代謝物的本質(zhì)和形成340
14.2次生植物代謝物的營養(yǎng)生理學(xué)341
14.3水果蔬菜消費(fèi)與慢性病的關(guān)系342
14.4植物-環(huán)境相互作用中的次生植物代謝物342
14.4.1植物的UVB感知和信令342
14.4.2UVB應(yīng)激源及植物生長調(diào)節(jié)劑344
14.5結(jié)構(gòu)分化UVB響應(yīng)345
14.5.1類黃酮和其他酚類346
14.5.2硫代葡萄糖苷349
14.6定制的UVB-LED次生植物代謝物UVB誘導(dǎo)351
14.6.1研究現(xiàn)狀:UVB-LED用于植物照明351
14.6.2UVB-LED針對性植物屬性觸發(fā)的優(yōu)勢352
14.6.3UVB-LED針對性植物屬性觸發(fā)實(shí)驗(yàn)裝置353
14.7展望354
參考文獻(xiàn)354
第15章紫外LED固化應(yīng)用/365
摘要365
15.1簡介366
15.2光源367
15.3化學(xué)機(jī)制368
15.4動(dòng)力學(xué)371
15.5醫(yī)學(xué)應(yīng)用372
15.6涂層、油墨和印刷375
15.7光固化快速成型377
15.8結(jié)論與展望378
參考文獻(xiàn)379
專業(yè)術(shù)語中英文對照表383
單位換算表400
本書全面介紹了基于Ⅲ族氮化物的紫外LED、激光器和探測器的新技術(shù),涵蓋不同的襯底及外延方法,InAlGaN材料的光學(xué)、電學(xué)和結(jié)構(gòu)特性以及各種光電子器件,如UV-LED、紫外激光器和紫外日盲探測器。此外,綜述了紫外發(fā)光器件和探測的一些關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域,包括水凈化、光療、氣敏、熒光激發(fā)、植物生長照明和UV固化。
本書含有大量翔實(shí)的圖表和參考文獻(xiàn),可供讀者進(jìn)一步了解和認(rèn)識(shí)氮化物紫外光電器件及其應(yīng)用。本書由德國、美國、日本、愛爾蘭等國的知名專家共同執(zhí)筆,各章的作者都在相關(guān)領(lǐng)域有著豐富的經(jīng)驗(yàn),其對技術(shù)發(fā)展的獨(dú)到見解,能夠開拓讀者思路,為國內(nèi)氮化物紫外光電子器件的發(fā)展提供借鑒和參考。
本書可供電氣工程、材料科學(xué)、物理學(xué)研究生層次的學(xué)生、研究人員和科學(xué)家,以及將紫外發(fā)光器件和探測器用到各種領(lǐng)域的開發(fā)人員參考。
1、按制造行業(yè)劃分——元件與器件 元件與器件的分類是按照元器件制造過程中是否改變材料分子組成與結(jié)構(gòu)來區(qū)分的,是行業(yè)劃分的概念。在元器件制造行業(yè),器件是由半導(dǎo)體企業(yè)制造,而元件則由電子零部件企業(yè)制造。...
光電子器件的原理是什么?有哪些東西會(huì)用到這個(gè)?
光電子器件的設(shè)計(jì)原理是依據(jù)外場對導(dǎo)波光傳播方式的改變,它是光電子技術(shù)的關(guān)鍵和核心部件。大路上許多LED的顯示或者是某些店鋪的一些名稱品牌的顯示所用到的技術(shù)都是來源于光電子器件。感興趣的話,可以自己到百...
深圳市萊威光電子有限公司注冊資本1000萬元,擁有生產(chǎn)廠房10000余平方米, 通過ISO9001:2008質(zhì)量管理體系認(rèn)證和ISO14001:2004環(huán)境管理體系認(rèn)證。產(chǎn)品通過歐洲CE ...
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頁數(shù): 4頁
評(píng)分: 4.3
最小標(biāo)準(zhǔn)模型(MSM)結(jié)構(gòu)的光電探測器主要分為光導(dǎo)型和肖特基型兩種。制備得到了肖特基型的氮化鎵(GaN)MSM結(jié)構(gòu)紫外光電探測器,采用這種結(jié)構(gòu)的器件主要是因?yàn)槠浒惦娏鞯?、響?yīng)時(shí)間快、響應(yīng)度大、寄生電容小等優(yōu)點(diǎn)。MSM形狀的叉指電極是通過傳統(tǒng)的紫外光刻和濕法刻蝕得到的,并采用Au作為金屬電極。得到的肖特基型GaN紫外光電探測器的暗電流在1 V偏壓下為3.5 nA,器件在1 V偏壓下的最大響應(yīng)度值出現(xiàn)在362 nm處,大小為0.12 A/W,器件的上升時(shí)間小于10 ns,下降時(shí)間為210 ns。并對器件響應(yīng)時(shí)間的影響因素進(jìn)行了深入的分析。
《常用電子器件原理及典型應(yīng)用》匯集了在電氣工程、電子技術(shù)、儀器儀表、自動(dòng)控制、通信技術(shù)等許多學(xué)科領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的多種新型的電子器件,簡明扼要地論述了其結(jié)構(gòu)原理、主要特性、應(yīng)用方法和典型實(shí)例等。
本書主要以圖解形式介紹現(xiàn)代電子器件的基本知識(shí)、原理、識(shí)別及在不同領(lǐng)域、不同環(huán)境中的典型應(yīng)用。其特點(diǎn)以現(xiàn)代器件為例,介紹它們在新產(chǎn)品或高技術(shù)產(chǎn)品中的使用,突出應(yīng)用實(shí)例與效果。
本書適合廣大電子技術(shù)初學(xué)者、深造者、電子愛好者、電器設(shè)計(jì)者及相關(guān)院校師生參考。
由中國LED行業(yè)機(jī)構(gòu)舉辦的全國紫外線光源及裝置技術(shù)研討會(huì)2014年12月15日-16日在無錫舉辦。會(huì)上共同探討了紫外線光源及裝置的發(fā)展動(dòng)向和LED紫外光源發(fā)展及應(yīng)用等熱點(diǎn)問題。
十幾個(gè)研究報(bào)告包括紫外輻射、紫外殺菌消毒、紫外水處理、紫外固化、紫外殺蟲誘蟲、動(dòng)植物專用紫外補(bǔ)鈣等技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展趨勢、產(chǎn)品設(shè)計(jì)與研發(fā)、控制與測試技術(shù)等方面。
氣體放電和固態(tài)紫外光源特性的綜合比較,借用數(shù)據(jù)表示,2012年全球UV市場容量為3.5億美元,2017年有望達(dá)到近8億美元,其中,UVLED將從2012年的13%占比升至2017年的35%,達(dá)到2.69億美元。另外,復(fù)旦電光源研究所的大功率紫外LED光固化系統(tǒng)已研發(fā)出系列樣機(jī),實(shí)線產(chǎn)業(yè)化,還獲得了2014年工博會(huì)高校展區(qū)優(yōu)秀展品獎(jiǎng)特等獎(jiǎng)。張所長十分看好紫外光源行業(yè),表示行業(yè)前景光明,固態(tài)紫外光源是照明行業(yè)的“新藍(lán)海”。
在UVA市場的70%是固化應(yīng)用,其中>90%是380nm+。印刷固化應(yīng)用的市場份額為60%;工業(yè)應(yīng)用市場份額為30%;粘結(jié)固化市場份額為10%。
固化系統(tǒng)相關(guān)產(chǎn)品在2012年的市場營業(yè)收入超過14億美元。
UVA市場的年平均增長幅度超過40%。
隨著消費(fèi)者對純白視覺的追求,UVA將迎來爆發(fā)性的增長。
目前,Nichia是365nm產(chǎn)品系列中的王者;
隨著SemiLEDs新型油墨的應(yīng)用推廣,將使得固化應(yīng)用市場的客戶從365nm轉(zhuǎn)為380nm+;
自2013年起,LGIT在385nm+產(chǎn)品上取得飛速的發(fā)展,從SemiLEDs手中奪取了相當(dāng)?shù)氖袌龇蓊~;
LG、Seoul和Nichia建立了完整的從UVA到UVC的產(chǎn)品線。
在2012年,傳統(tǒng)UV燈管的銷售數(shù)量達(dá)到3320萬只,營業(yè)額達(dá)到4.954億美元。UVLED業(yè)務(wù)從2011年的4500萬美元將會(huì)迅猛增長到2017年的2.7億美元,在此期間,UVLED市場將增長6倍,而同期的低壓紫外汞燈的增長僅僅只有1.6倍。市場應(yīng)關(guān)注:UV燈具的應(yīng)用必須適應(yīng)與其各個(gè)波長段的功能以及其光學(xué)效率的提升,固化市場是唯一一個(gè)全方位和全周期的應(yīng)用產(chǎn)品市場。