KP型晶閘管

KP型晶閘管又叫普通晶閘管，最基本的用途就是可控整流。不具備其他快速關(guān)斷，雙向等特點(diǎn)。

特點(diǎn):全擴(kuò)散工藝

平板陶瓷封裝

中心放大門極結(jié)構(gòu)

雙面冷卻

特點(diǎn):

1:全封閉陶瓷-金屬螺柱型結(jié)構(gòu)

2:全封閉玻璃-金屬螺柱柱形結(jié)構(gòu)

符號(hào)JB/T8949.2-1999標(biāo)準(zhǔn)

定義:應(yīng)用PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和三極(陰極，陽(yáng)極，門極)實(shí)現(xiàn)可控整流功能。

晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。

1. 晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門極承受和種電壓，晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。

2. 晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。

3. 晶閘管在導(dǎo)通情況下，只要有一定的正向陽(yáng)極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導(dǎo)通，即晶閘管導(dǎo)通后，門極失去作用。

4. 晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。

?MCT(MOS Controlled Thyristor)是將MOSFET與晶閘管組合而成的復(fù)合型器件。MCT將MOSFET的高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率、快速的開(kāi)關(guān)過(guò)程和晶閘管的高電壓大電流、低導(dǎo)通壓降的特點(diǎn)結(jié)合起來(lái)，也是Bi-MOS器件的一種。一個(gè)MCT器件由數(shù)以萬(wàn)計(jì)的MCT元組成，每個(gè)元的組成為:一個(gè)PNPN晶閘管，一個(gè)控制該晶閘管開(kāi)通的MOSFET，和一個(gè)控制該晶閘管關(guān)斷的MOSFET。

MCT具有高電壓、大電流、高載流密度、低通態(tài)壓降的特點(diǎn)。其通態(tài)壓降只有GTR的1/3左右，硅片的單位面積連續(xù)電流密度在各種器件中是最高的。另外，MCT可承受極高的di/dt和du/dt，使得其保護(hù)電路可以簡(jiǎn)化。MCT的開(kāi)關(guān)速度超高GTR,開(kāi)關(guān)損耗也小。

總之，MCT曾一度被認(rèn)為是一種最有發(fā)展前途的電力電子器件。因此，20世紀(jì)80年代以來(lái)一度成為研究的熱點(diǎn)。但經(jīng)過(guò)十多年的努力，其關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題沒(méi)有大的突破，電壓和電流容量都遠(yuǎn)未達(dá)到預(yù)期的數(shù)值，未能投入實(shí)際應(yīng)用。而其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手IGBT卻進(jìn)展飛速，所以，目前從事MCT研究的人不是很多。