SRAM模塊主要由存儲(chǔ)矩陣(又稱存儲(chǔ)體)、地址譯碼器和讀/寫電路組成,電路均由增強(qiáng)型 NMOS 管構(gòu)成,T1、T3和 T2、T4兩個(gè)反相器交叉耦合構(gòu)成觸器,SRAM產(chǎn)品種類繁多,在容量與功耗等指標(biāo)上有很寬的覆蓋面,可供不同的場(chǎng)合應(yīng)用,但基本電路結(jié)構(gòu)大同小異。
電路均由增強(qiáng)型 NMOS 管構(gòu)成,T1、T3和 T2、T4兩個(gè)反相器交叉耦合構(gòu)成觸器。電路采用二元尋址,當(dāng)字線 Xi和 Yj均為高電平時(shí),T5~T8均導(dǎo)通,則該單元選中,若此時(shí)R/ W為1,則電路為讀出態(tài),三態(tài)門G1、G2被禁止,三態(tài)門G3工作,存儲(chǔ)數(shù)據(jù)經(jīng)數(shù)據(jù)線 D,通過(guò)三態(tài)門 G3至 I/O 引腳輸出。若 R/ W 為 0,則三態(tài)G1、G2工作,三態(tài)門 G3被禁止,由 I/O 輸入數(shù)據(jù)經(jīng) G1、G2便寫入存儲(chǔ)單元。
靜態(tài)MOS-RAM(簡(jiǎn)稱 SRAM)
SRAM產(chǎn)品種類繁多,在容量與功耗等指標(biāo)上有很寬的覆蓋面,可供不同的場(chǎng)合應(yīng)用,但基本電路結(jié)構(gòu)大同小異。圖4是W2114 SRAM(1K*4位),這是一種典型結(jié)構(gòu),5H2112(256*4)和美國(guó)的HM6116(2K*8)位都是采用這種結(jié)構(gòu)。它采用HC-MOS工藝(H表示高速),所以,具有高速、低耗、單一5V電源、外圍電路簡(jiǎn)單、輸入輸出引腳公用、三態(tài)輸出、使用非常簡(jiǎn)單以及存取時(shí)間短(為100ns)的特點(diǎn)。
CS為選通端, WE 為寫使能控制端,A0~A9為地址,I/O1~I/O4為輸入/輸出。顯然可見為二元尋址和三態(tài)輸出結(jié)構(gòu)。 CS為低電平有效,電路選通之后,若要寫入操作,則令 WE =0,輸入三態(tài)門被選通(高電平有效),數(shù)據(jù)通過(guò)輸入控制電路被寫入;與此同時(shí),輸出三態(tài)門關(guān)閉,切斷了輸出與數(shù)據(jù)總線的聯(lián)系。若要讀出,則令 WE =1,輸入三態(tài)門關(guān)閉而輸出三態(tài)門被選通,因而存儲(chǔ)數(shù)據(jù)被讀出。功能表示于下表。
存儲(chǔ)矩陣是由許多存儲(chǔ)單元有規(guī)則地排列構(gòu)成的,每一個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)一位二進(jìn)制碼。對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元用二進(jìn)制碼編號(hào),即構(gòu)成存儲(chǔ)單元的地址,為了選中給定單元的地址,可以采用一元尋址(又稱為字結(jié)構(gòu)或單譯碼結(jié)構(gòu)),或者二元尋址(又稱位結(jié)構(gòu)或雙譯碼結(jié)構(gòu))。其邏輯框圖如2 所示,圖中,存儲(chǔ)矩陣包含 16 個(gè)存儲(chǔ)單元,所以,需要 16 個(gè)地址。圖2(a)是一元尋址,由 4 位地址碼便可構(gòu)成 16 個(gè)地址,即 16 條字線,每條字線為 1 電平時(shí)便選中相應(yīng)存儲(chǔ)單元。被選中單元通過(guò)數(shù)據(jù)線與讀/寫電路連接,便可實(shí)現(xiàn)對(duì)該單元的讀出或?qū)懭搿?/p>
圖 2(b)為二元尋址邏輯圖,它有 X 和 Y 兩個(gè)地址譯碼器。每個(gè)存儲(chǔ)單元由 X字線和 Y 字線控制,只有在 X 和 Y 字線都被選中時(shí)才能對(duì)該單元讀出或?qū)懭?。二元尋址可以大大減少字線數(shù)量。所以,在大容量 RAM 中均采用二元尋址。
靜態(tài) MOS 存儲(chǔ)單元
圖 3 所示的是靜態(tài) MOS 六管存儲(chǔ)單元。圖中,X i和 Yj為字線;I/O 為數(shù)據(jù)入/輸出端;R/ W 為讀/寫控制端。當(dāng) R/ W =0 時(shí),進(jìn)行寫入操作;當(dāng) R/ W =1 時(shí),行讀出操作。
額定電壓:AC100-265V ...
始創(chuàng)于德國(guó),世界兩大光源制造商之一,全球最具創(chuàng)新能力的照明公司之一。德國(guó)人做事比較嚴(yán)謹(jǐn),所以做出來(lái)的很多產(chǎn)品質(zhì)量都相當(dāng)過(guò)硬。普通的LED燈具都能用十萬(wàn)小時(shí),是西門子全資子公司,在番禺,佛山,昆山都有歐...
看到他家有個(gè)黃色邊框,接三個(gè)黃色節(jié)能燈,月亮星星造型的燈。客戶都買了放在臥室,肯定是很搭配。價(jià)格實(shí)惠,用材屬于比亞克力高一檔次,玻璃材料。
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歐司朗( Osram)筆試題目 下午做完實(shí)驗(yàn)后 ,本來(lái)陪同學(xué)去歐司朗筆試的 ,結(jié)果自己也跑進(jìn)去筆試了 .. 有三種職位 ,: 財(cái)務(wù)管理 ,研發(fā) ,機(jī)械工程師 . 公司沒有宣講 ,直接發(fā)試卷 ,我還是 做機(jī)械題目 . 第一題是畫圖 ,給出正視圖 ,左視圖 ,請(qǐng)畫出俯視圖 . 第二題是 ,螺栓連接的改錯(cuò)題 第三題是 ,形位公差的理解 . 第四題是 ,螺紋的 ,g1/a1 是什么意思 . 第五題是 ,autocad 的弧度 ,正負(fù)號(hào) ..fai, 等怎么輸入 ? 第六 ,autocad 的畫圓 ,直線 ,圓弧 ,移動(dòng) ,復(fù)制命令的快捷鍵 . 最后問關(guān)于倒圓角與應(yīng)力集中之間關(guān)系的問題 . 全是考專業(yè)知識(shí) .這一次沒有英文題 .其它職位的試卷就是要做英文題目的 . 20 XX— 019 學(xué)年度 第一學(xué) 期生物 教研組 工作 計(jì)劃 指 導(dǎo)思想 以 新一輪 課程改 革為抓 手,更 新教育
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Press 新聞稿 1/2 歐司朗光電半導(dǎo)體亞洲有限公司 產(chǎn)品資料 電子郵件: prasia@osram-os.com 媒體聯(lián)系 : 李寶兒 (Betty Lee) 電話 : (852) 3652 5642 電子郵件 : betty.lee@osram-os.com 歐司朗的紅外 Power TOPLED 采用芯片堆疊技術(shù),可從小面積發(fā)出高亮光線 二零一零年十一月九日 -- 中國(guó)訊 – 歐司朗光電半導(dǎo)體推出的 Power TOPLED SFH4250S 所發(fā)出的紅外光線幾乎是 SFH4250 標(biāo)準(zhǔn)元件的兩倍。在 70 mA 驅(qū)動(dòng)電流下進(jìn)行連續(xù)操作 時(shí),這款新紅外 LED 的典型輻射強(qiáng)度高達(dá) 22 mW/sr ,總輻射通量為 70 mW 。該元件的高 亮度使它能夠?qū)崿F(xiàn)高緊湊型照明裝置設(shè)計(jì),也可大幅提升現(xiàn)有設(shè)計(jì)的有效范圍。在眾多受 益應(yīng)用中, 3D 電視機(jī)是其
來(lái)源:內(nèi)容來(lái)自eettaiwan,謝謝。
新創(chuàng)公司Unisantis與Imec研究機(jī)構(gòu)聯(lián)手,打造出號(hào)稱至今最小的SRAM單元。
0.0205mm2和0.0184mm2的6T-SRAM單元采用由Unisantis開發(fā)的垂直gate-all-around (GAA)晶體管,可望成為打造明日先進(jìn)芯片的建構(gòu)模塊。
這項(xiàng)開發(fā)工作是Imec年度技術(shù)論壇開幕當(dāng)日的少數(shù)幾項(xiàng)新發(fā)布之一。其他新聞還包括透過(guò)藍(lán)牙實(shí)現(xiàn)更精確的室內(nèi)定位、高密度的芯片實(shí)驗(yàn)室(lab-on-a-chip)以及無(wú)需攝影機(jī)的眼動(dòng)追蹤方法,而這些都是由Imec獨(dú)自開發(fā)的成果。
由Unisantis和Imec共同組成的研究團(tuán)隊(duì)使用該新創(chuàng)公司所謂的環(huán)繞閘極晶體管,其最小間距為50奈米(nm)。該設(shè)計(jì)適用于5-nm SRAM,但不適合邏輯單元,因?yàn)樗枰?個(gè)晶體管,才能提供單個(gè)FinFET的性能。
Unisantis的設(shè)計(jì)類似于一般被稱為垂直奈米線的設(shè)計(jì),這可說(shuō)是未來(lái)幾年的候選晶體管。他們可望顯著減少芯片面積——而且是CMOS微縮的最后進(jìn)展領(lǐng)域之一。
多年來(lái),大多數(shù)研究人員都認(rèn)為垂直晶體管的挑戰(zhàn)阻礙了其于商用芯片中的實(shí)際應(yīng)用。特別是Unisantis的設(shè)計(jì)還需要更高2~3倍的性能,才足以與FinFET邏輯競(jìng)爭(zhēng)。
FinFET預(yù)計(jì)將微縮至采用將在2020年量產(chǎn)的5nm節(jié)點(diǎn)。橫向GAA晶體管——有時(shí)被為奈米片(nanosheet)、奈米線(nanowire)或奈米板(nanoslab),普遍預(yù)期將在3nm節(jié)點(diǎn)成為其后續(xù)產(chǎn)品。
Unisantis技術(shù)長(zhǎng)Fujio Masuoka在1980年代時(shí)曾經(jīng)是東芝公司(Toshiba)的NAND先驅(qū)。其新創(chuàng)公司明確地瞄準(zhǔn)先展開下一代晶體管的開發(fā),期望它有朝一日在明日半導(dǎo)體扮演更重要的角色。
今年2月,三星(Samsung)介紹了具有0.026-mm2位元單元的6T 256-Mbit SRAM,采用FinFET和極紫外光微影(EUV)技術(shù)制造,這是當(dāng)時(shí)最小的元件。該韓國(guó)巨擘表示已在測(cè)試該設(shè)計(jì)的芯片,并有信心成為第一個(gè)商用化應(yīng)用EUV的計(jì)劃。
Unisantis的設(shè)計(jì)于對(duì)三星的開發(fā)工作帶來(lái)了重大的影響,當(dāng)時(shí)并超越了芯片巨擘英特爾(Intel)的工作進(jìn)展。根據(jù)Imec,使用EUV,Unisantis的晶體管能以相當(dāng)于FinFET SRAM的成本,在5nm制程進(jìn)行制造。
然而,市場(chǎng)觀察人士指出,「這并不是一項(xiàng)可在像Imec這樣的小型研究機(jī)構(gòu)中執(zhí)行的簡(jiǎn)單研究計(jì)劃。你需要具備從晶體管到完成設(shè)計(jì)的制造規(guī)模,以及具有一定的經(jīng)濟(jì)規(guī)模足以讓任何事情上都易于銷售,而不是損失?!?/p>
圖:Unisantis和Imec宣稱開發(fā)出比三星、英特爾和臺(tái)積電更小的SRAM位元單元(來(lái)源:Imec)
藍(lán)牙室內(nèi)定位準(zhǔn)確度達(dá)30cm范圍
此外,Imec還發(fā)布了一款軟件,采用時(shí)間和相位數(shù)據(jù)估算飛行時(shí)間(ToF)信息,透過(guò)藍(lán)牙提供高達(dá)30公分(cm)的室內(nèi)定位準(zhǔn)確度。目前的技術(shù)使用信號(hào)強(qiáng)度來(lái)提供3到5公尺的精度。
該軟件可以得以讓藍(lán)牙與來(lái)自DecaWave等公司的超寬帶芯片室內(nèi)精確度競(jìng)爭(zhēng)。其目標(biāo)在于以更低的成本提供類似的準(zhǔn)確度,并將藍(lán)牙廣泛整合至智能型手機(jī)中。
Imec并在Atmel 802.15.4和恩智浦(NXP)的藍(lán)牙參考設(shè)計(jì)上展示其軟件。它執(zhí)行于Arm Cortex M4F上,并使用不到32 Kbits的ROM和64 Kbits RAM。
研究人員正為修改藍(lán)牙米蘭(Bluetooth Milan)協(xié)議的下一代版本提議修改,以便廣泛使用其技術(shù)。該標(biāo)準(zhǔn)流程可能需要大約一年的時(shí)間。同時(shí),擁有藍(lán)牙鏈接兩端的用戶可以在其連接上啟用軟件。
另外,Imec正與合作伙伴合作,在不增加硬件要求的情況下為設(shè)計(jì)添加加密和身份驗(yàn)證功能。該技術(shù)可將藍(lán)牙定位能作為汽車等各種系統(tǒng)的數(shù)位鎖,從而可能取代NFC。此外,Imec還創(chuàng)造了一款高階的實(shí)驗(yàn)室芯片,將16,384個(gè)電極陣列與16孔微流陣列結(jié)合在一起。
圖:Imec的眼動(dòng)追蹤眼鏡原型采用Datwyler的干式電極
最后,Imec還展示了一款整合在眼鏡上的無(wú)相機(jī)眼動(dòng)追蹤技術(shù)。它使用電子眼圖傳感器來(lái)減輕重量、成本和功耗。這款智慧眼鏡則透過(guò)眨眼等眼動(dòng)姿勢(shì)來(lái)提供控制系統(tǒng)的方式。
照明器械及裝置; 照明防護(hù)裝置; 噴焊燈; 煤氣燈; 烹調(diào)器具; 冷卻設(shè)備和機(jī)器; 干燥器; 空氣調(diào)節(jié)裝置; 加熱裝置; 蒸汽發(fā)生設(shè)備; 暖氣裝置; 衛(wèi)生器械和設(shè)備; 消毒設(shè)備; 暖氣散熱器; 氣體打火機(jī); 燃料及核中和材料處理裝置;
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申請(qǐng)日期:2006年06月30日
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