SRAM模塊主要由存儲矩陣(又稱存儲體)、地址譯碼器和讀/寫電路組成,電路均由增強型 NMOS 管構成,T1、T3和 T2、T4兩個反相器交叉耦合構成觸器,SRAM產(chǎn)品種類繁多,在容量與功耗等指標上有很寬的覆蓋面,可供不同的場合應用,但基本電路結構大同小異。
電路均由增強型 NMOS 管構成,T1、T3和 T2、T4兩個反相器交叉耦合構成觸器。電路采用二元尋址,當字線 Xi和 Yj均為高電平時,T5~T8均導通,則該單元選中,若此時R/ W為1,則電路為讀出態(tài),三態(tài)門G1、G2被禁止,三態(tài)門G3工作,存儲數(shù)據(jù)經(jīng)數(shù)據(jù)線 D,通過三態(tài)門 G3至 I/O 引腳輸出。若 R/ W 為 0,則三態(tài)G1、G2工作,三態(tài)門 G3被禁止,由 I/O 輸入數(shù)據(jù)經(jīng) G1、G2便寫入存儲單元。
靜態(tài)MOS-RAM(簡稱 SRAM)
SRAM產(chǎn)品種類繁多,在容量與功耗等指標上有很寬的覆蓋面,可供不同的場合應用,但基本電路結構大同小異。圖4是W2114 SRAM(1K*4位),這是一種典型結構,5H2112(256*4)和美國的HM6116(2K*8)位都是采用這種結構。它采用HC-MOS工藝(H表示高速),所以,具有高速、低耗、單一5V電源、外圍電路簡單、輸入輸出引腳公用、三態(tài)輸出、使用非常簡單以及存取時間短(為100ns)的特點。
CS為選通端, WE 為寫使能控制端,A0~A9為地址,I/O1~I/O4為輸入/輸出。顯然可見為二元尋址和三態(tài)輸出結構。 CS為低電平有效,電路選通之后,若要寫入操作,則令 WE =0,輸入三態(tài)門被選通(高電平有效),數(shù)據(jù)通過輸入控制電路被寫入;與此同時,輸出三態(tài)門關閉,切斷了輸出與數(shù)據(jù)總線的聯(lián)系。若要讀出,則令 WE =1,輸入三態(tài)門關閉而輸出三態(tài)門被選通,因而存儲數(shù)據(jù)被讀出。功能表示于下表。
存儲矩陣是由許多存儲單元有規(guī)則地排列構成的,每一個存儲單元可以存儲一位二進制碼。對每個存儲單元用二進制碼編號,即構成存儲單元的地址,為了選中給定單元的地址,可以采用一元尋址(又稱為字結構或單譯碼結構),或者二元尋址(又稱位結構或雙譯碼結構)。其邏輯框圖如2 所示,圖中,存儲矩陣包含 16 個存儲單元,所以,需要 16 個地址。圖2(a)是一元尋址,由 4 位地址碼便可構成 16 個地址,即 16 條字線,每條字線為 1 電平時便選中相應存儲單元。被選中單元通過數(shù)據(jù)線與讀/寫電路連接,便可實現(xiàn)對該單元的讀出或寫入。
圖 2(b)為二元尋址邏輯圖,它有 X 和 Y 兩個地址譯碼器。每個存儲單元由 X字線和 Y 字線控制,只有在 X 和 Y 字線都被選中時才能對該單元讀出或寫入。二元尋址可以大大減少字線數(shù)量。所以,在大容量 RAM 中均采用二元尋址。
靜態(tài) MOS 存儲單元
圖 3 所示的是靜態(tài) MOS 六管存儲單元。圖中,X i和 Yj為字線;I/O 為數(shù)據(jù)入/輸出端;R/ W 為讀/寫控制端。當 R/ W =0 時,進行寫入操作;當 R/ W =1 時,行讀出操作。
額定電壓:AC100-265V ...
始創(chuàng)于德國,世界兩大光源制造商之一,全球最具創(chuàng)新能力的照明公司之一。德國人做事比較嚴謹,所以做出來的很多產(chǎn)品質量都相當過硬。普通的LED燈具都能用十萬小時,是西門子全資子公司,在番禺,佛山,昆山都有歐...
看到他家有個黃色邊框,接三個黃色節(jié)能燈,月亮星星造型的燈??蛻舳假I了放在臥室,肯定是很搭配。價格實惠,用材屬于比亞克力高一檔次,玻璃材料。
歐司朗(Osram)筆試題目【精選】
格式:pdf
大小:24KB
頁數(shù): 2頁
評分: 4.8
歐司朗( Osram)筆試題目 下午做完實驗后 ,本來陪同學去歐司朗筆試的 ,結果自己也跑進去筆試了 .. 有三種職位 ,: 財務管理 ,研發(fā) ,機械工程師 . 公司沒有宣講 ,直接發(fā)試卷 ,我還是 做機械題目 . 第一題是畫圖 ,給出正視圖 ,左視圖 ,請畫出俯視圖 . 第二題是 ,螺栓連接的改錯題 第三題是 ,形位公差的理解 . 第四題是 ,螺紋的 ,g1/a1 是什么意思 . 第五題是 ,autocad 的弧度 ,正負號 ..fai, 等怎么輸入 ? 第六 ,autocad 的畫圓 ,直線 ,圓弧 ,移動 ,復制命令的快捷鍵 . 最后問關于倒圓角與應力集中之間關系的問題 . 全是考專業(yè)知識 .這一次沒有英文題 .其它職位的試卷就是要做英文題目的 . 20 XX— 019 學年度 第一學 期生物 教研組 工作 計劃 指 導思想 以 新一輪 課程改 革為抓 手,更 新教育
歐司朗OsramPowerTOPLED
格式:pdf
大?。?span id="szq9prg" class="single-tag-height">24KB
頁數(shù): 2頁
評分: 4.6
Press 新聞稿 1/2 歐司朗光電半導體亞洲有限公司 產(chǎn)品資料 電子郵件: prasia@osram-os.com 媒體聯(lián)系 : 李寶兒 (Betty Lee) 電話 : (852) 3652 5642 電子郵件 : betty.lee@osram-os.com 歐司朗的紅外 Power TOPLED 采用芯片堆疊技術,可從小面積發(fā)出高亮光線 二零一零年十一月九日 -- 中國訊 – 歐司朗光電半導體推出的 Power TOPLED SFH4250S 所發(fā)出的紅外光線幾乎是 SFH4250 標準元件的兩倍。在 70 mA 驅動電流下進行連續(xù)操作 時,這款新紅外 LED 的典型輻射強度高達 22 mW/sr ,總輻射通量為 70 mW 。該元件的高 亮度使它能夠實現(xiàn)高緊湊型照明裝置設計,也可大幅提升現(xiàn)有設計的有效范圍。在眾多受 益應用中, 3D 電視機是其
來源:內容來自eettaiwan,謝謝。
新創(chuàng)公司Unisantis與Imec研究機構聯(lián)手,打造出號稱至今最小的SRAM單元。
0.0205mm2和0.0184mm2的6T-SRAM單元采用由Unisantis開發(fā)的垂直gate-all-around (GAA)晶體管,可望成為打造明日先進芯片的建構模塊。
這項開發(fā)工作是Imec年度技術論壇開幕當日的少數(shù)幾項新發(fā)布之一。其他新聞還包括透過藍牙實現(xiàn)更精確的室內定位、高密度的芯片實驗室(lab-on-a-chip)以及無需攝影機的眼動追蹤方法,而這些都是由Imec獨自開發(fā)的成果。
由Unisantis和Imec共同組成的研究團隊使用該新創(chuàng)公司所謂的環(huán)繞閘極晶體管,其最小間距為50奈米(nm)。該設計適用于5-nm SRAM,但不適合邏輯單元,因為它需要3個晶體管,才能提供單個FinFET的性能。
Unisantis的設計類似于一般被稱為垂直奈米線的設計,這可說是未來幾年的候選晶體管。他們可望顯著減少芯片面積——而且是CMOS微縮的最后進展領域之一。
多年來,大多數(shù)研究人員都認為垂直晶體管的挑戰(zhàn)阻礙了其于商用芯片中的實際應用。特別是Unisantis的設計還需要更高2~3倍的性能,才足以與FinFET邏輯競爭。
FinFET預計將微縮至采用將在2020年量產(chǎn)的5nm節(jié)點。橫向GAA晶體管——有時被為奈米片(nanosheet)、奈米線(nanowire)或奈米板(nanoslab),普遍預期將在3nm節(jié)點成為其后續(xù)產(chǎn)品。
Unisantis技術長Fujio Masuoka在1980年代時曾經(jīng)是東芝公司(Toshiba)的NAND先驅。其新創(chuàng)公司明確地瞄準先展開下一代晶體管的開發(fā),期望它有朝一日在明日半導體扮演更重要的角色。
今年2月,三星(Samsung)介紹了具有0.026-mm2位元單元的6T 256-Mbit SRAM,采用FinFET和極紫外光微影(EUV)技術制造,這是當時最小的元件。該韓國巨擘表示已在測試該設計的芯片,并有信心成為第一個商用化應用EUV的計劃。
Unisantis的設計于對三星的開發(fā)工作帶來了重大的影響,當時并超越了芯片巨擘英特爾(Intel)的工作進展。根據(jù)Imec,使用EUV,Unisantis的晶體管能以相當于FinFET SRAM的成本,在5nm制程進行制造。
然而,市場觀察人士指出,「這并不是一項可在像Imec這樣的小型研究機構中執(zhí)行的簡單研究計劃。你需要具備從晶體管到完成設計的制造規(guī)模,以及具有一定的經(jīng)濟規(guī)模足以讓任何事情上都易于銷售,而不是損失?!?/p>

圖:Unisantis和Imec宣稱開發(fā)出比三星、英特爾和臺積電更小的SRAM位元單元(來源:Imec)
藍牙室內定位準確度達30cm范圍
此外,Imec還發(fā)布了一款軟件,采用時間和相位數(shù)據(jù)估算飛行時間(ToF)信息,透過藍牙提供高達30公分(cm)的室內定位準確度。目前的技術使用信號強度來提供3到5公尺的精度。
該軟件可以得以讓藍牙與來自DecaWave等公司的超寬帶芯片室內精確度競爭。其目標在于以更低的成本提供類似的準確度,并將藍牙廣泛整合至智能型手機中。
Imec并在Atmel 802.15.4和恩智浦(NXP)的藍牙參考設計上展示其軟件。它執(zhí)行于Arm Cortex M4F上,并使用不到32 Kbits的ROM和64 Kbits RAM。
研究人員正為修改藍牙米蘭(Bluetooth Milan)協(xié)議的下一代版本提議修改,以便廣泛使用其技術。該標準流程可能需要大約一年的時間。同時,擁有藍牙鏈接兩端的用戶可以在其連接上啟用軟件。
另外,Imec正與合作伙伴合作,在不增加硬件要求的情況下為設計添加加密和身份驗證功能。該技術可將藍牙定位能作為汽車等各種系統(tǒng)的數(shù)位鎖,從而可能取代NFC。此外,Imec還創(chuàng)造了一款高階的實驗室芯片,將16,384個電極陣列與16孔微流陣列結合在一起。

圖:Imec的眼動追蹤眼鏡原型采用Datwyler的干式電極
最后,Imec還展示了一款整合在眼鏡上的無相機眼動追蹤技術。它使用電子眼圖傳感器來減輕重量、成本和功耗。這款智慧眼鏡則透過眨眼等眼動姿勢來提供控制系統(tǒng)的方式。
照明器械及裝置; 照明防護裝置; 噴焊燈; 煤氣燈; 烹調器具; 冷卻設備和機器; 干燥器; 空氣調節(jié)裝置; 加熱裝置; 蒸汽發(fā)生設備; 暖氣裝置; 衛(wèi)生器械和設備; 消毒設備; 暖氣散熱器; 氣體打火機; 燃料及核中和材料處理裝置;
申請/注冊號:5452396
申請日期:2006年06月30日
國際分類:11