半導體超純水設備電去離子EDI系統(tǒng)的工作原理

電去離子（Electrodeionization）簡稱EDI，是一種將離子交換技術，離子交換膜技術和離子電遷移技術相結合的純水制造技術。屬高科技綠色環(huán)保技術。EDI凈水設備具有連續(xù)出水、無需酸堿再生和無人值守等優(yōu)點，已在制備純水的系統(tǒng)中逐步代替混床作為精處理設備使用。這種先進技術的環(huán)保特性好，操作使用簡便，愈來愈多地被人們所認可，也愈來愈多廣泛地在醫(yī)藥、電子、電力、化工等行業(yè)得到推廣。

1. 無需酸堿再生：在混床中樹脂需要用化學藥品酸堿再生，而EDI則消除了這些有害物質的處理和繁重的工作，保護了環(huán)境。

2. 連續(xù)、簡單的操作：在混床中由于每次再生和水質量的變化，使操作過程變得復雜，而EDI的產水過程是穩(wěn)定的連續(xù)的，產水水質是恒定的，沒有復雜的操作程序，操作大大簡便化。

3. 降低了安裝的要求：EDI系統(tǒng)與相當處理水量的混床相比，有較不的體積，它采用積木式結構，可依據(jù)場地的高度和窨靈活地構造。模塊化的設計，使EDI在生產工作時能方便維護。

1、預處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過濾器→用水點(≥18MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)。

2、預處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點(≥18MΩ.CM)(最新工藝)。

3、預處理→一級反滲透→加藥機(PH調節(jié))→中間水箱→第二級反滲透(正電荷反滲膜)→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點(≥17MΩ.CM)(最新工藝)。

4、預處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點(≥15MΩ.CM)(最新工藝)。

5、預處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過濾器→用水點 (≥15MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)。2100433B 解讀詞條背后的知識 萊特萊德超純水 萊特萊德為您提供超純水處理解決方案。

半導體超純水設備的堵塞問題

半導體可是有著悠久的歷史，據(jù)小編了解在1833年半導體現(xiàn)象的首次發(fā)現(xiàn)，英國科學家電子學之父法拉第最先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但法拉第發(fā)現(xiàn)硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。在半導體生產中有一個很重要的介質...

半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。

電阻率介于金屬和絕緣體[1]之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質。

半導體室溫時電阻率約在10E-5～10E7歐姆·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。

半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。

鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導體、有機半導體等。

半導體中的雜質對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產加的雜質能級。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子作為晶格的一分子，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價結合，多余的一個電子被束縛于雜質原子附近，產生類氫能級。雜質能級位于禁帶上方靠近導帶底附近。雜質能級上的電子很易激發(fā)到導帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質稱為施主，相應能級稱為施主能級。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發(fā)到導帶所需能量小得多（圖2）。在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼、鋁、鎵等雜質原子時，雜質原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位，與此空位相應的能量狀態(tài)就是雜質能級，通常位于禁帶下方靠近價帶處。價帶中的電子很易激發(fā)到雜質能級上填補這個空位，使雜質原子成為負離子。價帶中由于缺少一個電子而形成一個空穴載流子（圖3）。這種能提供空穴的雜質稱為受主雜質。存在受主雜質時，在價帶中形成一個空穴載流子所需能量比本征半導體情形要小得多。半導體摻雜后其電阻率大大下降。加熱或光照產生的熱激發(fā)或光激發(fā)都會使自由載流子數(shù)增加而導致電阻率減小，半導體熱敏電阻和光敏電阻就是根據(jù)此原理制成的。對摻入施主雜質的半導體，導電載流子主要是導帶中的電子，屬電子型導電，稱N型半導體。摻入受主雜質的半導體屬空穴型導電，稱P型半導體。半導體在任何溫度下都能產生電子-空穴對，故N型半導體中可存在少量導電空穴，P型半導體中可存在少量導電電子，它們均稱為少數(shù)載流子。在半導體器件的各種效應中，少數(shù)載流子常扮演重要角色。

1、預處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過濾器→用水對象 （≥18MΩ.CM）(傳統(tǒng)工藝)

2、預處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過濾器→用水對象（≥18MΩ.CM）(最新工藝)

3、預處理→一級反滲透→加藥機（PH調節(jié)）→中間水箱→第二級反滲透（正電荷反滲膜）→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水對象（≥17MΩ.CM）(最新工藝)

4、預處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水對象（≥15MΩ.CM）(最新工藝)

5、預處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過濾器→用水對象 （≥15MΩ.CM）(傳統(tǒng)工藝)

半導體清洗超純水設備