半導體的光電導

半導體的光電導(photoconductivity of semiconductor)是指光照射半導體使電導增大的現(xiàn)象。本征半導體的電導能力(電導率)很小,經(jīng)光照射后半導體內(nèi)部產(chǎn)生光生載流子(電子或空穴),使其導電能力加大。光照射前后半導體電導的改變與光的波長、強度以及半導體中雜質(zhì)缺陷態(tài)的能級位置密切相關(guān)。光電導應用于研究半導體中的雜質(zhì)缺陷態(tài),如施主、受主、缺陷、深能級雜質(zhì)等在禁帶中的能級位置(見半導體物理學),它的靈敏度比通常的光吸收實驗高許多。

半導體的光電導基本信息

中文名稱 半導體的光電導 含義 半導體受光照而引起電導率的改變
最早 1873年 發(fā)現(xiàn)者 W.史密斯

1947年發(fā)明的半導體晶體管,帶來了現(xiàn)代電子學的革命。硅大規(guī)模集成電路和半導體激光器的問世,使得世界進入了一個以微電子和光電子技術(shù)為基礎(chǔ)的信息時代。

晶體管發(fā)明以后,20世紀50-60年代,人們對半導體的物理性質(zhì)進行了廣泛而深入的研究,對半導體的能帶結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)能級等有了全面的了解。1971年用分子束外延技術(shù)成功地制造了人工設計的新型半導體材料--量子阱和超晶格,半導體技術(shù)發(fā)展進入了一個新階段。以量子阱、超晶格為基礎(chǔ)制造的新型激光器、發(fā)光管、高遷移率電子器件、探測器等大大促進了20世紀末的信息革命 。

半導體與金屬、絕緣體的差別通過能帶就很容易理解。根據(jù)量子力學,一個自由原子的電子只能有確定的能量值。自由原子組成固體時,隨著原子間距離變小,原子之間的相互作用增強,原來自由原子中電子的一系列分立的允許能級變寬,形成了固體中的能帶。固體中的電子只能填充在這些能帶上,能帶與能帶之間稱為禁帶,是禁止電子停留的能量區(qū)域。按照泡利不相容原理,每個能帶只能填充2n個電子,n是固體中的原子數(shù)。金屬多數(shù)是一價的,所以固體中只有n個價電子,只能填充能帶的一半。能帶沒有填滿,所有電子都能自由運動,因此導電性能好。半導體中每個原子平均有4個價電子,恰好能填滿能帶,這些能帶稱為價帶。上面沒有電子填充的能帶稱為導帶。中間的禁帶有一定的寬度,大約為1電子伏左右。當半導體中摻有雜質(zhì)時,導帶中會有少量的自由電子,或者價帶中會有少量的電子缺位(稱為空穴)。如果半導體主要靠電子在導帶中運動導電,則稱為N型半導體,靠空穴在價帶中運動導電則稱為P型半導體。

如果用適當波長的光照射半導體,則電子在吸收了光子后將由價帶躍遷到導帶,而在價帶中留下一個空穴,這種現(xiàn)象稱為光吸收。要發(fā)生光吸收必須滿足能量守恒,也就是被吸收光子的能量要大于禁帶寬度。半導體的禁帶寬度在1電子伏左右,所有可見光都能吸收,因此它們都是不透明的。電子被激發(fā)到導帶而在價帶中留下一個空穴,這種狀態(tài)是不穩(wěn)定的,由此產(chǎn)生的電子、空穴稱為非平衡載流子。

半導體的光電導造價信息

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半導體的光電導簡介

半導體的光電導是指半導體受光照而引起電導率的改變。最早是1873年W.史密斯在硒上發(fā)現(xiàn)的。 20世紀的前40年內(nèi),又先后在氧化亞銅、硫化鉈、硫化鎘等材料中發(fā)現(xiàn),并利用這現(xiàn)象制成幾種可用作光強測量及自動控制的光電管。自40年代開始,由于半導體物理學的發(fā)展,先是硫化鉛的,爾后是其他半導體的光電導得到了充分研究。并由此發(fā)展了從紫外、可見到紅外各個波段的輻射探測器。研究這種現(xiàn)象也是探索半導體基本性能的重要方法之一。

電導率正比于載流子濃度及其遷移率的乘積。因此凡是能激發(fā)出載流子的入射光都能產(chǎn)生光電導。入射光可以使電子從價帶激發(fā)到導帶,因而同時增加電子和空穴的濃度;也可以使電子躍遷發(fā)生在雜質(zhì)能級與某一能帶之間,因而只增加電子濃度或只增加空穴濃度。前一過程引起的光電導稱為本征光電導,后一過程引起的光電導稱為雜質(zhì)光電導。不管哪一種光電導,入射光的光子能量都必須等于或大于與該激發(fā)過程相應的能隙 ΔE(禁帶寬度或雜質(zhì)能級到某一能帶限的距離),也就是光電導有一個最大的響應波長,稱為光電導的長波限λ。

從入射光照射到半導體表面的瞬間開始,能帶中的載流子濃度將不斷增加。但隨著載流子的增加,復合的機會也增多,經(jīng)過一段時間后,就會達到載流子因光激發(fā)而增加的速率與因復合而消失的速率相等的穩(wěn)定狀態(tài)。這時能帶中的載流子濃度減去光照之前原有的載流子濃度就得到光生載流子濃度。到達這一穩(wěn)定狀態(tài)所需的時間就叫做光電導的弛豫時間,或響應時間。

用適當?shù)碾娮泳€路可以測量光生載流子所輸出的電流,這個電流稱為光電流。入射光的單位功率所產(chǎn)生的光電流,稱為光電導的響應率。它代表樣品的光電導過程的效率,與材料的基本參量,如載流子遷移率和壽命、樣品的尺寸以及入射光的波長等有關(guān)。

除掉載流子濃度增加可產(chǎn)生光電導外,由于光照引起載流子遷移率的改變也會產(chǎn)生光電導。有人稱這類光電導為第二類光電導,以區(qū)別于上述載流子濃度增加的第一類光電導。InSb單晶在深低溫的第二類光電導已被用來制作遠紅外探測器。

半導體的光電導常見問題

  • 半導體光電材料是什么

    導電性能介于導體與絕緣體之間的材料,叫做半導體. 例如:鍺、硅、砷化鎵等. 半導體在科學技術(shù),工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和生活中有著廣泛的應用.(例如: 電視、半導體收音機、電子計算機等)這是什么原因呢?下面介紹它 ...

  • 半導體的特性

    半導體主要具有三大特性:1.熱敏特性半導體的電阻率隨溫度變化會發(fā)生明顯地改變。例如純鍺,濕度每升高10度,它的電阻率就要減小到原來的1/2。溫度的細微變化,能從半導體電阻率的明顯變化上反映出來。利用半...

  • 專業(yè)方向的選擇---光電子還是半導體?

    ■ 物理學專業(yè): 光電子學方向 光電子學是目前在高新技術(shù)領(lǐng)域中十分活躍的學科。該專業(yè)1990年被正式批準為光學碩士點。目前有非線性光學與光電子技術(shù)、光纖與光通信技術(shù)、光信息處理與全息技術(shù)三個研究方...

半導體的光電導文獻

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發(fā)光二極管 發(fā)光二極管簡稱為 LED。由含鎵( Ga)、砷( As)、磷( P)、氮( N)等的化合物 制成。 發(fā)光二極管應用情況: 隨著發(fā)光二極管高亮度化和多色化的進展 ,應用領(lǐng)域也不斷擴展 .從下邊較低光通量的指 示燈到顯示屏 ,再從室外顯示屏到中等光通量功率信號燈和特殊照明的白光光源 ,最后發(fā)展到 右上角的高光通量通用照明光源 .2000 年是時間的分界線 .在 2000 年已解決所有顏色的信號 顯示問題和燈飾問題 ,并已開始低、中光通量的特殊照明應用 ,而作為通用照明的高光通量白 光照明應用 ,似乎還有待時日 ,需將光通量進一步大幅度提高方能實現(xiàn) .當然 ,這也是個過程 ,會 隨亮度提高和價格下降而逐步實現(xiàn)。 1. LED顯示屏 自 20 世紀 80 年代中期 ,就有單色和多色顯示屏問世 ,起初是文字屏或動畫屏 .90 年代初 , 電子計算機技術(shù)和集成電路技術(shù)的發(fā)展 ,使得 LED

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實用標準文案 精彩文檔 建 平 縣 職 業(yè) 教 育 中 心 備 課 教 案 課 題 模塊(單元)第一章 項目(課) 半導體的主要特征 授課班級 11電子 授課教師 安森 授課類型 新授 授課時數(shù) 2 教學目標 知識目標 描述半導體的主要特征 能力目標 能夠知道 P型半導體和 N型半導體的特點 情感態(tài)度目標 培養(yǎng)學生的學習興趣,培養(yǎng)學生的愛崗敬業(yè)精神 教學核心 教學重點 半導體的主要特征 教學難點 P型半導體和 N型半導體的特點 思路概述 先講解半導體的特點,再講 P型半導體和 N型半導體的特點 教學方法 讀書指導法、演示法。 教學工具 電腦,投影儀 教 學 過 程 一、組織教學:師生互相問候,安全教育,上實訓課時一定要聽從老師的指揮,在實訓室不要亂動電源。 二、復習提問:生活中哪些電子元器件是利用半導體制作出來的? 三、導入新課: 我們的生活中根據(jù)導電能力的強弱可以分成哪幾種, 這節(jié)課我

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光電導效應的應用主要體現(xiàn)在光電導材料的應用上。光電導材料是一種靈敏、快速的光電器件。通過它,能靈敏、快速地將接受到的光信號轉(zhuǎn)換成對應的電信號,廣泛地應用于國民經(jīng)濟、軍事、科學技術(shù)等各個部門和社會生活的方方面面,特別是現(xiàn)代高新技術(shù)之中。

光電導效應在基礎(chǔ)光電器件中的應用

(1)在探測器中的應用

利用光電導效應原理工作的探測器稱為光電導探測器。作為半導體材料的一種體效應,光電導效應無須形成p-n結(jié)。光照越強,光電導材料的電阻率越小,故光電導材料又稱為光敏電阻。不含雜質(zhì)的光敏電阻一般在室溫下工作,適用于可見光和近紅外輻射探測,含雜質(zhì)的光敏電阻通常必須在低溫條件下工作,常用于中、遠紅外輻射探測。

(2)在攝像管中的應用

光電導材料是目前攝像管中應用最為廣泛的光電變換材料之一。與利用外光電效應的攝像管相比,光電導攝像管突出的優(yōu)點是:體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)簡單、靈敏度高等。目前,它已廣泛地應用于工業(yè)監(jiān)控系統(tǒng)。

光電導效應軍事領(lǐng)域中的應用

(1)紅外夜視儀(熱像儀)

通過光電導材料,熱像儀中的紅外光可變成可見光,即將紅外圖像轉(zhuǎn)化為可見光圖像,以便作戰(zhàn)人員觀察夜間戰(zhàn)場情況。這一過程分為兩步進行:首先是使用對紅外輻射敏感的紅外光電導探測器,把紅外輻射信號變成電信號,該信號的大小正比于紅外輻射的強度;其次是通過電視顯像系統(tǒng)將電信號顯示于電視屏幕上。

熱像儀是當代夜視技術(shù)發(fā)展的最高水平,廣泛應用于各類紅外觀察儀、紅外熱瞄器、坦克上的潛望儀器、帶光測距機、火控系統(tǒng)與跟蹤系統(tǒng)之中,具有隱蔽性好、抗干擾性強、分辨率高、全天候性等優(yōu)點。

(2)導彈系統(tǒng)中的制導裝置和反導彈系統(tǒng)中的預警裝置

紅外光電導攝像管是紅外制導導彈的眼睛。許多軍事目標(飛機、坦克、軍艦等)都裝有大功率發(fā)動機,其動力部分是強大的紅外輻射源,可形成紅外制導導彈的目標控制信號。當信號被導彈接受后,經(jīng)處理去驅(qū)動導彈的控制系統(tǒng),在紅外光電導攝像管的協(xié)助下,不斷矯正導彈的飛行方向,逼近目標并加以摧毀。用導彈攔截導彈,關(guān)鍵在于傳感器準確及時地探測、跟蹤目標。由對紅外光響應速度快、靈敏度高、有較高響應率的光電導材料制成的紅外光電導探測器,可安裝在預警飛機或預警衛(wèi)星上,能準確及時地探測、跟蹤敵方導彈尾焰的紅外輻射,是反導彈系統(tǒng)預警裝置中的重要組成部分。紅外光電導制導、探測技術(shù)具有不易受干擾、定位準確率高、結(jié)構(gòu)簡單、成本低、可探測超低空目標等優(yōu)點,但受氣象條件的影響比較大,往往要和雷達配合,以便取長補短。目前,許多地空導彈是雷達)紅外雙模制導導彈。有趣的是,光電導效應同樣應用于隱身技術(shù)。

光電導效應其他應用

(1)在生產(chǎn)生活中的應用

在生產(chǎn)生活方面,光敏電阻可應用在各種自動控制裝置和光檢測設備中,如生產(chǎn)線上的自動送料、自動門裝置、航標燈、路燈、應急自動照明、自動給水停水裝置、生產(chǎn)安全裝置、煙霧火災報警裝置、照相機的自動調(diào)節(jié)、電子計算機的輸入設備以及醫(yī)療器械(如光電脈搏計、心電圖儀)等方面。此外,還可應用于電子樂器、電視和其它家用電器中。

(2)在教育教學中的應用

在教育教學方面,光電導攝像管可廣泛地應用于學校教育教學的監(jiān)督和管理評價工作之中。光電導材料應用于掃描儀、復印機、投影儀,給學校的教學和人們?nèi)粘5膶W習和交流帶來方便。

(3)在科學研究中的應用

在科學研究方面,利用紅外光電導,可以遙感物體表面溫度、無損探傷、氣象遙感、地學遙感等。

總之,光電導傳感和遙感技術(shù)對于自動控制、機電一體化十分重要。

光電導效應光電導材料的應用前景展望

探測、傳感技術(shù)的發(fā)展離不開高性能的光電器件材料。 在今后一段時間內(nèi), 響應速度更快、 響應效率更好、靈敏度更高、響應頻率更寬的高性能光電導材料, 將是光電導技術(shù)研究的主要發(fā)展方向。

綜上所述, 人類已經(jīng)進入信息時代, 半導體和微電子技術(shù)無疑是信息社會的核心技術(shù)之一。 展望未來, 在光電子技術(shù)的革命中, 光電導材料會在光學、集成光電子學和分子電子學領(lǐng)域發(fā)揮重大作用 。 在語言和圖像的識別中, 在復雜情況下作出判斷的人工智能以及神經(jīng)網(wǎng)絡和模擬人腦等方面的發(fā)展中, 半導體微電子技術(shù)和光電子技術(shù)仍將是未來科學技術(shù)革命的主要內(nèi) 容, 作為一種性能不斷優(yōu)化的基礎(chǔ)元器件, 光電導材料將會作出巨大的貢獻。

半導體無光照時為暗態(tài),此時材料具有暗電導;有光照時為亮態(tài),此時具有亮電導。如果給半導體材料外加電壓,通過的電流有暗電流與亮電流之分。亮電導與暗電導之差稱為光電導,亮電流與暗電流之差稱為光電流。

暗態(tài)下

Gd=σd·A/L, Id=GdU=σd·AU/L

亮態(tài)下

Gl=σl·A/L, Il=GlU=σl·AU/L

亮態(tài)與暗態(tài)之差

Gp=Gl - Gd=(σl-σd)·A/L=Δσ·A/L

Ip=Il - Id=(Gl-Gd)·U=Δσ·AU/L

A:半導體材料橫截面面積

L:半導體材料長度

I:電流

U:外加電壓

G:電導

σ:電導率

Δσ:光致電導率的變化量

下標d代表暗,l代表亮,p代表光。

本章第一節(jié)曾介紹過半導體材料的光敏特性,即當半導體材料受到一定波長光線的照射時,其電阻率明顯減小,或說電導率增大的特性。這個現(xiàn)象也叫半導體的光電導特性。利用這個特性制作的半導體器件叫光電導器件。

半導體材料的電導率是由載流子濃度決定的。載流子就是由半導體原子逃逸出來的電子及其留下的空位----- 空穴。電子從原子中逃逸出來,必須克服原子的束縛而做功,而光照正是向電子提供能量,使它有能力逃逸出來的一種形式。因此,光照可以改變載流子的濃度,從而改變半導體的電導率。

光電導器件主要有光敏電阻、光電二極管光電三極管等。

1·光敏電阻

這是一種半導體電阻。在沒有光照時,電阻很大;在一定波長范圍的光照下,電阻值明顯變小。制作光敏電阻的材料主要有硅、鍺、硫化鎘、銻化銦、硫化鉛、硒化鎘、硒化鉛等。硫化鎘光敏電阻對可見光敏感,用硫化鎘單晶制造的光敏電阻對X射線、γ射線也敏感;硫化鉛和銻化銦對紅線外線光敏感。利用這些光敏電阻可以制成各種光探測器。

感光面積大的光敏電阻,可以獲得較大的明暗電阻差。如國產(chǎn)625-A型硫化鎘光敏電阻,其光照電阻小于50千歐,暗電阻大于50兆歐。

2·光電二極管

光電二極管的管芯也是一個PN結(jié),只是結(jié)面積比普通二極管大,便于接收光線。但和普通二極管不同,光電二極管是在反向電壓下工作的。它的暗電流很小,只有0 1微安左右。在光線照射下產(chǎn)生的電子----空穴對叫光生載流子,它們參加導電會增大反向飽和電流。光生載流子的數(shù)量與光強度有關(guān),因此,反向飽和電流會隨著光強的變化而變化,從而可以把光信號的變化轉(zhuǎn)為電流及電壓的變化。

光電二極管的結(jié)構(gòu)及符號如圖表-29所示。光電二極管主要用于近紅外探測器及光電轉(zhuǎn)換的自動控制儀器中,還可以作為光導纖維通信的接收器件。

3·光電三極管

光電三極管的結(jié)構(gòu)與普通三極度管相同,但基區(qū)面積較大,便函于接收更多的入射光線。入射光在基區(qū)激發(fā)出電子----空穴時,形成基極電流,而集電極電流是基極電流β倍,因此光照便能有效地控制集電極電流。光電三極管比光電二極管有更高的靈敏度。

圖表-30示出了光電三極管的結(jié)構(gòu)和符號。

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