中文名 | 離子導(dǎo)體 | 外文名 | ionic conductor |
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別????名 | 第二類(lèi)導(dǎo)體 | 實(shí)????質(zhì) | 依靠離子定向移動(dòng)來(lái)導(dǎo)電的導(dǎo)體 |
分????類(lèi) | 電解質(zhì)水溶液、熔融電解質(zhì)等 | 導(dǎo)電能力 | 隨溫度升高而增大 |
離子導(dǎo)體是依靠離子定向移動(dòng)來(lái)導(dǎo)電的導(dǎo)體,包括電解質(zhì)水溶液、有機(jī)電解質(zhì)溶液、熔融鹽和固體電解質(zhì),其中最常見(jiàn)的是電解質(zhì)水溶液。
從電離程度來(lái)看,過(guò)去曾把電解質(zhì)分為強(qiáng)電解質(zhì)和弱電解質(zhì)兩類(lèi)。這種分類(lèi)不能解釋同一物質(zhì)在不同溶劑中表現(xiàn)為弱電解質(zhì)或強(qiáng)電解質(zhì)的行為,因而不能作為物質(zhì)屬性的分類(lèi)法。現(xiàn)代觀點(diǎn)主張把電解質(zhì)分為非締合式和締合式兩種。前者在水中形成陽(yáng)離子和陰離子,沒(méi)有未離解的分子,也沒(méi)有形成離子對(duì)。鹵化堿、堿土鹵化物、過(guò)氯酸鹽和過(guò)渡金屬鹵化物等屬于這一類(lèi);后者在溶液中存在共價(jià)鍵形成的未離解的分子。全部的酸,包括鹵酸和過(guò)氯酸,它們通過(guò)靜電吸引而使陽(yáng)離子、陰離子形成離子對(duì)。
溶劑化對(duì)電解質(zhì)的性質(zhì)有很重要的作用。作為溶劑的水,其結(jié)構(gòu)對(duì)電解質(zhì)的性質(zhì)影響很大。分析水分子結(jié)構(gòu)得知,兩個(gè)氫原子以104.5°夾角排在氧原子的兩邊。液體水在短程范圍內(nèi)和短時(shí)間內(nèi)具有和冰相似的結(jié)構(gòu)。這個(gè)四面體是通過(guò)氫鍵形成的。液體狀態(tài)的水一般是網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),水分子通過(guò)靜電作用聚集在一起,而熱運(yùn)動(dòng)又不斷破壞其聚集態(tài),因此處在動(dòng)態(tài)平衡之中,但也有一些游離的水分子。水是偶極分子,其正、負(fù)電荷中心不重合。因此,水分子受離子靜電的作用而定向在離子周?chē)纬伤瘹?,這是水的第一種溶劑化作用——離子水化。水分子還可使純態(tài)時(shí)不導(dǎo)電的電解質(zhì)變成可導(dǎo)電的,這是第二種溶劑化作用;在酸堿理論中,叫質(zhì)子轉(zhuǎn)移或酸堿反應(yīng)。
水化離子對(duì)電解質(zhì)溶液的性質(zhì)產(chǎn)生兩種重要的影響。①減少溶液中自由分子的數(shù)量,增加離子的體積,起到均化作用,使離子的擴(kuò)散系數(shù)接近相同。離子水化也改變了電解質(zhì)的活度系數(shù)和電導(dǎo)等性質(zhì)。②破壞了附近水層的四面體結(jié)構(gòu)。由于水分子的偶極對(duì)離子的定向,而使離子鄰近水分子的介電常數(shù)發(fā)生變化。這種情況嚴(yán)重影響雙電層的結(jié)構(gòu),對(duì)電極過(guò)程和金屬電沉積都有不可忽視的影響。
水溶液中除了水化作用外,也存在締合作用。締合在電鍍上可以起到良好的輔助作用,例如無(wú)氰鍍銀時(shí),加入的絡(luò)合劑就是起締合作用的。含咪唑銀絡(luò)離子的鍍銀液的穩(wěn)定性和電鍍性能欠佳,但加入磺基水楊酸能改變?cè)摻j(luò)離子溶解的pH范圍,增加鍍液的穩(wěn)定性,改進(jìn)鍍層的性能?;腔畻钏崾沁溥蜚y絡(luò)離子的締合劑,由于它的強(qiáng)親水性,與咪唑銀絡(luò)離子締合后,形成一個(gè)強(qiáng)親水性的負(fù)離子,使本來(lái)在高pH值下水解的咪唑銀絡(luò)離子保持水溶狀態(tài)。
熔融電解質(zhì)一般指熔融狀態(tài)的鹽類(lèi),即熔鹽。常溫下鹽類(lèi)是晶體,鹽熔化后,其結(jié)構(gòu)仍然和晶體有類(lèi)似之處。熔鹽中粒子間的平均距離與固態(tài)鹽中粒子間的平均距離相近,鹽熔化時(shí)各質(zhì)點(diǎn)間的結(jié)合力只受到不大的削弱,熔鹽中粒子的熱運(yùn)動(dòng)仍然保持著固態(tài)粒子熱運(yùn)動(dòng)的性質(zhì)。
雖然熔鹽結(jié)構(gòu)仍未弄清,但是一般認(rèn)為它是完全離解的離子液體。至少對(duì)于堿金屬鹵化物是如此。因熔鹽的電離度大,且溫度高,使離子運(yùn)動(dòng)速率增大,故電導(dǎo)率常比其水溶液大得多。熔鹽發(fā)展已不限于無(wú)機(jī)鹽熔體,還包括氧化物熔體及熔融有機(jī)物。
固體電解質(zhì)是一種離子導(dǎo)體。某些離子晶體能導(dǎo)電,但是電導(dǎo)率很小。20世紀(jì)60年代中期發(fā)現(xiàn)了快離子導(dǎo)體后,固體電解質(zhì)才得到較廣泛的應(yīng)用??捎霉腆w電解質(zhì)制作微型電池、燃料電池、定時(shí)器、記憶元件和檢測(cè)器探頭等。
當(dāng)下已知的固體電解質(zhì)有數(shù)百種,一般按照傳導(dǎo)離子的類(lèi)型來(lái)分類(lèi)。傳導(dǎo)離子大都是質(zhì)量較輕,體積較小的離子,例如Ag 、Cu2 、Li 、O2-、F-等。銀離子導(dǎo)體有AgX、Ag2S、RbAg4I5等,銅離子導(dǎo)體有CuI、Cu2Hgl4和Cu2Se。堿金屬離子導(dǎo)體主要是鋰離子導(dǎo)體和鈉離子導(dǎo)體。大多數(shù)氧離子導(dǎo)體以第四族副族的金屬或四價(jià)稀有金屬的氧化物(為主,摻雜一些價(jià)數(shù)較低金屬的氧化物才有實(shí)用價(jià)值,如測(cè)定氧的分壓。
多數(shù)離子導(dǎo)體中可運(yùn)動(dòng)的離子是很少的,因而離子電導(dǎo)率都不高。例如,食鹽(NaCl),室溫下離子電導(dǎo)率僅有10Ω·cm。
固體中除了本征缺陷外,還有由于異價(jià)雜質(zhì)的存在而產(chǎn)生的非本征缺陷。例如,在氟化鈣(CaF2)中,如果有三價(jià)金屬雜質(zhì)離子存在,就必定會(huì)形成相等數(shù)量的間隙氟離子,以實(shí)現(xiàn)電中性。這些本征的和非本征的點(diǎn)陣缺陷在外電場(chǎng)作用下都會(huì)進(jìn)行長(zhǎng)程運(yùn)動(dòng),從而對(duì)離子電導(dǎo)率作出貢獻(xiàn)。
快離子導(dǎo)體也是一種離子導(dǎo)體,但具有不同于一般離子導(dǎo)體的特征。
導(dǎo)體依靠導(dǎo)體中離子的定向運(yùn)動(dòng)(也稱(chēng)定向遷移)而導(dǎo)電,電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí),導(dǎo)體本身發(fā)生化學(xué)變化,導(dǎo)電能力隨溫度升高而增大。顧名思義,這類(lèi)導(dǎo)體稱(chēng)為離子導(dǎo)體(或稱(chēng)為第二類(lèi)導(dǎo)體)。電解質(zhì)溶液、熔融電解質(zhì)等屬于此類(lèi)。
電子導(dǎo)體能夠獨(dú)立地完成導(dǎo)電任務(wù),而離子導(dǎo)體則不能。要想讓離子導(dǎo)體導(dǎo)電,必須有電子導(dǎo)體與之相連接。因此,在使離子導(dǎo)體導(dǎo)電時(shí),不可避免地會(huì)出現(xiàn)兩類(lèi)導(dǎo)體相串聯(lián)的界面。即為了使電流能通過(guò)這類(lèi)導(dǎo)體,往往將電子導(dǎo)體作為電極浸入離子導(dǎo)體中。當(dāng)電流通過(guò)這類(lèi)導(dǎo)體時(shí),在電極與溶液的界面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng),與此同時(shí),在電解質(zhì)溶液中正、負(fù)離子分別向兩極移動(dòng)。
在離子導(dǎo)體中,離子參與導(dǎo)電與固體中的點(diǎn)缺陷密切相關(guān)。純凈固體中的點(diǎn)缺陷是本征缺陷,有弗侖克爾缺陷和肖特基缺陷兩類(lèi)(見(jiàn)點(diǎn)缺陷),前者是空位和填隙原子,后者為單純的空位。它們的濃度決定于固體的平衡溫度以及缺陷的生成能。含有雜質(zhì)的固體還多出非本征點(diǎn)缺陷,如KCl晶體含有少量CaCl2時(shí),Ca2 是二價(jià)離子,為了保持固體電中性,必須存在一個(gè)正離子空位(它帶一個(gè)負(fù)電荷),這種空位便是非本征點(diǎn)缺陷。
在外加電場(chǎng)作用下,離子固體中本征的和非本征的點(diǎn)缺陷都會(huì)對(duì)離子電導(dǎo)作貢獻(xiàn)。離子電導(dǎo)率σ與溫度T的關(guān)系,遵從阿倫尼烏斯定律:
式中σ0為常數(shù),Ea為電導(dǎo)微活能,k為玻耳茲曼常數(shù)。
固體中可動(dòng)離子是陽(yáng)離子的稱(chēng)為陽(yáng)離子導(dǎo)體,若是陰離子的則稱(chēng)為陰離子導(dǎo)體。
多數(shù)離子導(dǎo)體中可運(yùn)動(dòng)的離子是很少的,因而離子電導(dǎo)率都不高。例如,食鹽(NaCl),室溫下離子電導(dǎo)率僅有10-15Ω-1·cm-1。
固體中除了本征缺陷外,還有由于異價(jià)雜質(zhì)的存在而產(chǎn)生的非本征缺陷。例如,在氟化鈣(CaF2)中,如果有三價(jià)金屬雜質(zhì)離子存在,就必定會(huì)形成相等數(shù)量的間隙氟離子,以實(shí)現(xiàn)電中性。這些本征的和非本征的點(diǎn)陣缺陷在外電場(chǎng)作用下都會(huì)進(jìn)行長(zhǎng)程運(yùn)動(dòng),從而對(duì)離子電導(dǎo)率作出貢獻(xiàn)。
快離子導(dǎo)體也是一種離子導(dǎo)體,但具有不同于一般離子導(dǎo)體的特征。
LED燈是應(yīng)用半導(dǎo)體材料制作成發(fā)光二極體來(lái)裝配成燈,所以屬于半導(dǎo)體;
一、半導(dǎo)體 1.概念:導(dǎo)電性能介乎導(dǎo)體和絕緣體之間,它們的電阻比導(dǎo)體大得多,但又比絕緣體小得多.這類(lèi)材料我們把它叫做半導(dǎo)體. 2.半導(dǎo)體材料:鍺、硅、砷化鎵等,都是半導(dǎo)體. 3. 半導(dǎo)體的電學(xué)性能: ...
等離子體聚合物在結(jié)構(gòu)上與普通的聚合物顯著不同,它能形成含有活性基團(tuán)的高度交聯(lián)的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),從而具有良好的均勻性及對(duì)基質(zhì)的附著性[1,2].有關(guān)采用等離子體聚合膜的TSM傳感器的報(bào)道不多[3,4],本室已...
在離子導(dǎo)體中,離子參與導(dǎo)電與固體中的點(diǎn)缺陷密切相關(guān)。純凈固體中的點(diǎn)缺陷是本征缺陷,有弗侖克爾缺陷和肖特基缺陷兩類(lèi)(見(jiàn)點(diǎn)缺陷),前者是空位和填隙原子,后者為單純的空位。它們的濃度決定于固體的平衡溫度以及缺陷的生成能。含有雜質(zhì)的固體還多出非本征點(diǎn)缺陷,如KCl晶體含有少量CaCl2時(shí),Ca是二價(jià)離子,為了保持固體電中性,必須存在一個(gè)正離子空位(它帶一個(gè)負(fù)電荷),這種空位便是非本征點(diǎn)缺陷。
在外加電場(chǎng)作用下,離子固體中本征的和非本征的點(diǎn)缺陷都會(huì)對(duì)離子電導(dǎo)作貢獻(xiàn)。離子電導(dǎo)率σ與溫度T的關(guān)系,遵從阿倫尼烏斯定律:
σ=σ0exp(-Ea/kT)/T
式中σ0為常數(shù),Ea為電導(dǎo)微活能,k為玻耳茲曼常數(shù)。
固體中可動(dòng)離子是陽(yáng)離子的稱(chēng)為陽(yáng)離子導(dǎo)體,若是陰離子的則稱(chēng)為陰離子導(dǎo)體。
離子導(dǎo)體主要有以下幾方面的應(yīng)用:
氧離子選擇電極(氧敏傳感器)可用作測(cè)量金屬熔體中的含氧量、氣體中的含氧量以及檢測(cè)與氧有關(guān)的其他物質(zhì)的濕度、真空度等。鈉離子選擇電極可測(cè)定合金中的鈉含量。銀離子選擇電極可測(cè)定AgNO3中的銀離子濃度。鹵素離子選擇電極可測(cè)氯、溴、碘的濃度。
可作庫(kù)侖計(jì)測(cè)量電量,還可用作微電路的積分元件、定時(shí)器、電開(kāi)關(guān)等??勺隹勺冸娮杵?、電化學(xué)開(kāi)關(guān)、電積分器、雙電層電容器等。
此外,利用Na 、Li 離子導(dǎo)體內(nèi)某些離子的氧化一還原著色效應(yīng)可制作對(duì)比度大、大面積顯示和記憶的電色顯示器。還可作電池隔膜材料。
可用作高比能全固態(tài)蓄電池的電解質(zhì),光電化學(xué)電池的電解質(zhì)和全固體電色顯示器的電解質(zhì)。
1.研究更高的離子電導(dǎo)率的快離子導(dǎo)體特別是室溫高電導(dǎo)率的快離子導(dǎo)體,其中研究納米快離子導(dǎo)體是一個(gè)新的途徑,目標(biāo)是使室溫電導(dǎo)率達(dá)到102~103S/cm。
2.研究新型的高分子離子導(dǎo)體,當(dāng)下的高分子一鹽類(lèi)的電導(dǎo)率很難超過(guò)10-4S/cm(25℃),要設(shè)計(jì)具有隧道結(jié)構(gòu)、層狀結(jié)構(gòu)或高結(jié)晶度的高分子,并選擇電荷分散型的陰離子(如帶芳香環(huán))以便獲得寬而淺的勢(shì)阱,使其的導(dǎo)電機(jī)制類(lèi)似于無(wú)機(jī)離子導(dǎo)體。
3.研究高分子單離子導(dǎo)體,這是指僅有單一陽(yáng)(或陰)離子迅速傳導(dǎo)而無(wú)對(duì)離子遷移的高分子離子導(dǎo)體。我國(guó)研制的高分子鋰離子導(dǎo)體的電導(dǎo)率已達(dá)到10-6S/cm,這對(duì)于不要陰離子遷移的鋰電池,是一個(gè)重要的材料。 2100433B
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評(píng)分: 4.6
半導(dǎo)體離子注入工藝 09電科 A柯鵬程 0915221019 離子注入法摻雜和擴(kuò)散法摻雜對(duì)比來(lái)說(shuō),它的加工溫度低、容易制作淺結(jié)、均勻的 大面積注入雜質(zhì)、易于自動(dòng)化等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)前,離子注入法已成為超大規(guī)模集成電路 制造中不可缺少的摻雜工藝。離子注入是一種將帶點(diǎn)的且具有能量的粒子注入襯底 硅的過(guò)程。注入能量介于 1eV到 1MeV之間,注入深度平均可達(dá) 10nm~10um。相對(duì) 擴(kuò)散工藝,粒子注入的主要好處在于能更準(zhǔn)確地控制雜質(zhì)參雜、可重復(fù)性和較低的 工藝溫度。 1.離子注入原理 : 離子是原子或分子經(jīng)過(guò)離子化后形成的,即等離子體,它帶有一定量的電荷。可通 過(guò)電場(chǎng)對(duì)離子進(jìn)行加速,利用磁場(chǎng)使其運(yùn)動(dòng)方向改變,這樣就可以控制離子以一定 的能量進(jìn)入 wafer 內(nèi)部達(dá)到摻雜的目的。 離子注入到 wafer 中后,會(huì)與硅原子碰撞而損失能量, 能量耗盡離子就會(huì)停在 wafer 中某位置。離子通過(guò)與硅原子
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評(píng)分: 4.7
針對(duì)強(qiáng)流雙潘寧離子源等離子體發(fā)生器電源系統(tǒng)的特殊要求,介紹了燈絲電源和弧電源的組成及其作用,并對(duì)其主電路設(shè)計(jì)思路進(jìn)行了相關(guān)的分析。離子源等離子體放電實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該套等離子體電源系統(tǒng)達(dá)到了設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。
kuailizi daoti
快離子導(dǎo)體
fast ionic conductor
也稱(chēng)超離子導(dǎo)體,有時(shí)又叫做固體電解質(zhì)
快離子導(dǎo)體雖然是固體,但它的一個(gè)亞點(diǎn)陣卻處于熔化狀態(tài)(見(jiàn)液態(tài)亞點(diǎn)陣),因此它又具有液體的某些特性,即具有固-液二重性。固體理論中的某些傳統(tǒng)概念和方法在這里都可能不完全適用,因而這是一個(gè)極需研究和發(fā)展的新領(lǐng)域。事實(shí)上,一門(mén)新興學(xué)科──固體離子學(xué)正在形成。
多數(shù)快離子導(dǎo)體是無(wú)機(jī)化合物,也有不少有機(jī)材料是銀、銅和氫離子的快離子導(dǎo)體。用于基礎(chǔ)研究的快離子導(dǎo)體多數(shù)是單晶體,但實(shí)際應(yīng)用時(shí)常采用多晶材料。近來(lái)又開(kāi)始了非晶態(tài)快離子導(dǎo)體的研究工作。
快離子導(dǎo)體中運(yùn)動(dòng)離子的半徑一般都比較小,研究得最多的是AgCu、Li、Na、F和O等的快離子導(dǎo)體。附表列出了一些有代表性的材料。
按照材料由一般離子相到快離子相的相變行為,可以把快離子導(dǎo)體分為三類(lèi):
① 類(lèi)。發(fā)生一級(jí)相變,相變時(shí)離子電導(dǎo)率有突變,典型代表是AgI。
② 類(lèi)。以PbF2為代表, 相轉(zhuǎn)變?cè)谙喈?dāng)寬的溫度范圍內(nèi)完成,離子電導(dǎo)率由一般離子態(tài)的值平滑地變到快離子態(tài)的值。這種相變叫做法拉第相變,相變時(shí)有比熱容峰。
③ 類(lèi)。在所研究的溫度范圍內(nèi)未發(fā)現(xiàn)相變,電導(dǎo)率增加隨溫度升高按指數(shù)式,Na-β-AIO就是一例。
快離子導(dǎo)體具有特殊的晶體結(jié)構(gòu),可以看成是由兩個(gè)亞點(diǎn)陣所構(gòu)成,一個(gè)是不運(yùn)動(dòng)離子形成的剛性亞點(diǎn)陣,另一個(gè)是由運(yùn)動(dòng)離子構(gòu)成的液態(tài)亞點(diǎn)陣。剛性亞點(diǎn)陣必須滿(mǎn)足三個(gè)條件:①剛性亞點(diǎn)陣中能被運(yùn)動(dòng)離子占據(jù)的位置數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于運(yùn)動(dòng)離子數(shù)。②間隙位置之間的勢(shì)壘必須足夠低,以使運(yùn)動(dòng)離子能通過(guò)熱激活從一個(gè)間隙位置躍遷到近鄰的位置。③能被運(yùn)動(dòng)離子占據(jù)的位置必須連成通道。這種通道可以是一維的,但最好是二維和三維的。
-AgI 具有典型的快離子導(dǎo)體結(jié)構(gòu),X 射線結(jié)構(gòu)分析表明I離子構(gòu)成體心立方點(diǎn)陣,而晶胞中的兩個(gè)Ag離子可以無(wú)序地分布在42個(gè)可能的間隙位置上,這些位置連接成三維通道。
快離子導(dǎo)體的應(yīng)用是多方面的,主要是在能源和固體離子器件方面。用Na-β-AlO作電解質(zhì)的鈉-硫電池具有比鉛酸電池高4~5倍的能量密度,它既可用作車(chē)輛的動(dòng)力源,也可作為貯能電池使用。用氧化鋯和其他快離子導(dǎo)體制成的氣體探測(cè)器,不僅可以控制汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)和鍋爐燃燒室的燃燒過(guò)程以節(jié)約燃料和減少污染,而且還可以監(jiān)測(cè)一些有害氣體從而對(duì)環(huán)境保護(hù)作出貢獻(xiàn)。氧離子導(dǎo)體和氫離子導(dǎo)體都可用作燃料電池的電解質(zhì)隔膜,從而使可燃?xì)怏w與氧氣經(jīng)電化學(xué)方法發(fā)生反應(yīng)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?。用快離子導(dǎo)體作成的固體電池具有自放電小、貯存壽命長(zhǎng)和抗振動(dòng)等優(yōu)點(diǎn),已在心臟起搏器電子手表、計(jì)算器和一些軍用設(shè)備上獲得應(yīng)用。近年來(lái)用快離子導(dǎo)體作成了超大容量電容器、定時(shí)器、庫(kù)侖計(jì)和電色顯示器等固體離子器件,引起人們的極大興趣。
由于金屬鋰的電極電位最負(fù),并具有低密度,鋰電池有很高的能量密度,所以電導(dǎo)率高的鋰離子導(dǎo)體一直是人們追求的目標(biāo),遺憾的是已發(fā)現(xiàn)的鋰離子導(dǎo)體都不夠理想。