半導體硅材料基礎

第1章概論1

11硅材料工業(yè)的發(fā)展1

12半導體市場及發(fā)展2

13中國擴建新建多晶硅廠應注意的問題3

本章小結5

習題5

第2章半導體材料基本性質(zhì)6

21半導體材料的分類及性質(zhì)6

22硅的物理化學性質(zhì)8

23硅材料的純度及多晶硅標準10

本章小結11

習題12

第3章晶體幾何學基礎13

31晶體結構13

32晶向指數(shù)16

33晶面指數(shù)16

34立方晶體17

35金剛石和硅晶體結構19

36倒格子22

本章小結22

習題23

第4章晶體缺陷24

41點缺陷24

42線缺陷26

43面缺陷30

44體缺陷31

本章小結32

習題32

第5章能帶理論基礎33

51能帶理論的引入33

52半導體中的載流子35

53雜質(zhì)能級36

54缺陷能級38

55直接能隙與間接能隙38

56熱平衡下的載流子39

本章小結45

習題45

第6章pn結46

61pn結的形成46

62pn結的制備47

63pn結的能帶結構48

64pn結的特性49

本章小結50

習題50

第7章金屬半導體接觸和MIS結構51

71金屬半導體接觸51

72歐姆接觸55

73金屬絕緣層半導體結構(MIS)56

本章小結57

習題57

第8章多晶硅材料的制取58

81冶金級硅材料的制取58

82高純多晶硅的制取59

83太陽能級多晶硅的制取61

本章小結62

習題62

第9章單晶硅的制備63

91結晶學基礎63

92晶核的形成65

93區(qū)熔法69

94直拉法72

95雜質(zhì)分凝和氧污染80

96直拉硅中的碳85

97直拉硅中的金屬雜質(zhì)86

98磁拉法(MCz)89

99CCz法(連續(xù)加料法)93

本章小結96

習題97

第10章其他形態(tài)的硅材料98

101鑄造多晶硅98

102帶狀硅材料110

103非晶硅薄膜112

104多晶硅薄膜116

本章小結118

習題119

第11章化合物半導體材料120

111化合物半導體材料特性120

112砷化鎵(GaAs)122

本章小結131

習題131

第12章硅材料的加工132

121切去頭尾132

122外徑滾磨133

123磨定位面(槽)134

124切片136

125倒角(或稱圓邊)139

126研磨140

127腐蝕142

128拋光144

129清洗148

本章小結150

習題151

附錄152

附錄1常用物理量152

附錄2一些雜質(zhì)元素在硅中的平衡分凝系數(shù)、溶解度152

參考文獻153

《半導體硅材料基礎》系統(tǒng)地介紹了半導體硅材料的基本性質(zhì)、與半導體晶體材料相關的晶體幾何學、能帶理論、微電子學方面的基礎理論知識，系統(tǒng)地介紹了作為光伏技術應用的硅材料的制備基礎理論知識，為系統(tǒng)學習多晶硅生產(chǎn)技術和單晶硅及硅片加工技術奠定理論基礎，是硅材料技術專業(yè)的核心教材。

《半導體硅材料基礎》可作為高職高專硅材料技術及光伏專業(yè)的教材，同時也可作為中專、技校和從事單晶硅生產(chǎn)的企業(yè)員工的培訓教材，還可供相關專業(yè)工程技術人員學習參考。

1) 墻下條形基礎和柱下獨立基礎（單獨基礎）統(tǒng)稱為擴展基礎。擴展基礎的作用是把墻或柱的荷載側向擴展到土中，使之滿足地基承載力和變形的要求。擴展基礎包括無筋擴展基礎和鋼筋混凝土擴展基礎。

2) 無筋擴展基礎：無筋擴展基礎系指由磚、毛石、混凝土或毛石混凝土、灰土和三合土等材料組成的無需配置鋼筋的墻下條形基礎或柱下獨立基礎。無筋基礎的材料都具有較好的抗壓性能，但抗拉、抗剪強度都不高，為了使基礎內(nèi)產(chǎn)生的拉應力和剪應力不超過相應的材料強度設計值，設計時需要加大基礎的高度，其基礎的寬高比必須符合規(guī)范要求。因此，這種基礎幾乎不發(fā)生撓曲變形，故習慣上把無筋基礎稱為剛性基礎。