袁希光主編:《傳感器技術(shù)手冊(cè)》,國(guó)防工業(yè)出版社,北京,1986。
半導(dǎo)體應(yīng)變片最突出的優(yōu)點(diǎn)是靈敏度高,這為它的應(yīng)用提供了有利條件。另外,由于機(jī)械滯后小、橫向效應(yīng)小以及它本身體積小等特點(diǎn),擴(kuò)大了半導(dǎo)體應(yīng)變片的使用范圍。
其最大的缺點(diǎn)是溫度穩(wěn)定性差、靈敏度離散程度大(由于晶向、雜質(zhì)等因素的影響)以及在較大應(yīng)變作用下非線(xiàn)性誤差大等,給使用帶來(lái)一定困難。
半導(dǎo)體應(yīng)變片分類(lèi)常用種類(lèi)
這種半導(dǎo)體應(yīng)變片是將單晶硅錠切片、研磨、腐蝕壓焊引線(xiàn),最后粘貼在鋅酚醛樹(shù)脂或聚酰亞胺的襯底上制成的。體型半導(dǎo)體應(yīng)變片可分為6種。
①普通型:它適合于一般應(yīng)力測(cè)量;
②溫度自動(dòng)補(bǔ)償型:它能使溫度引起的導(dǎo)致應(yīng)變電阻變化的各種因素自動(dòng)抵消,只適用于特定的試件材料;③靈敏度補(bǔ)償型:通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)囊r底材料(例如不銹鋼),并采用穩(wěn)流電路,使溫度引起的靈敏度變化極小;
④高輸出(高電阻)型:它的阻值很高(2~10千歐),可接成電橋以高電壓供電而獲得高輸出電壓,因而可不經(jīng)放大而直接接入指示儀表。
⑤超線(xiàn)性型:它在比較寬的應(yīng)力范圍內(nèi),呈現(xiàn)較寬的應(yīng)變線(xiàn)性區(qū)域,適用于大應(yīng)變范圍的場(chǎng)合;
⑥P-N組合溫度補(bǔ)償型:它選用配對(duì)的P型和N型兩種轉(zhuǎn)換元件作為電橋的相鄰兩臂,從而使溫度特性和非線(xiàn)性特性有較大改善。
這種應(yīng)變片是利用真空沉積技術(shù)將半導(dǎo)體材料沉積在 帶有絕緣層的試件上或藍(lán)寶石上制成的(圖1)。它通過(guò)改變真空沉積時(shí)襯底的溫度來(lái)控制沉積層電阻率的高低,從而控制電阻溫度系數(shù)和靈敏度系數(shù)。因而能制造出適于不同試件材料的溫度自補(bǔ)償薄膜應(yīng)變片。薄膜型半導(dǎo)體應(yīng)變片吸收了金屬應(yīng)變片和半導(dǎo)體應(yīng)變片的優(yōu)點(diǎn),并避免了它的缺點(diǎn),是一種較理想的應(yīng)變片。
這種應(yīng)變片是將 P型雜質(zhì)擴(kuò)散到一個(gè)高電阻N型 硅基底上,形成一層極薄的P型導(dǎo)電層,然后用超聲波或熱壓焊法焊接引線(xiàn)而制成(圖2)。它的優(yōu)點(diǎn)是穩(wěn)定性好,機(jī)械滯后和蠕變小,電阻溫度系數(shù)也比一般體型半導(dǎo)體應(yīng)變片小一個(gè)數(shù)量級(jí)。缺點(diǎn)是由于存在P-N結(jié),當(dāng)溫度升高時(shí),絕緣電阻大為下降。新型固態(tài)壓阻式傳感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用擴(kuò)散法制成的。
這種應(yīng)變片是在多晶硅或藍(lán)寶石的襯底上外延一層單晶硅而制成的。它的優(yōu)點(diǎn)是取消了P-N結(jié)隔離,使工作溫度大為提高(可達(dá)300℃以上)。
簡(jiǎn)單的說(shuō):利用制冷片,制冷片也叫熱電半導(dǎo)體制冷組件,帕爾貼等。因?yàn)橹评淦譃閮擅?,一面吸熱,一面散熱,只是起到?dǎo)熱作用,本身不會(huì)產(chǎn)生冷,所以又叫致冷片,或者說(shuō)應(yīng)該是叫致冷片。 半導(dǎo)體熱電偶由N型...
半導(dǎo)體主要具有三大特性:1.熱敏特性半導(dǎo)體的電阻率隨溫度變化會(huì)發(fā)生明顯地改變。例如純鍺,濕度每升高10度,它的電阻率就要減小到原來(lái)的1/2。溫度的細(xì)微變化,能從半導(dǎo)體電阻率的明顯變化上反映出來(lái)。利用半...
半導(dǎo)體封裝簡(jiǎn)介:半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。半導(dǎo)體封裝是指將通過(guò)測(cè)試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過(guò)程。封裝過(guò)程為:來(lái)自晶圓前道工藝的晶圓通過(guò)劃片工藝...
利用半導(dǎo)體單晶硅的壓阻效應(yīng)制成的一種敏感元件,又稱(chēng)半導(dǎo)體應(yīng)變片。壓阻效應(yīng)是半導(dǎo)體晶體材料在某一方向受力產(chǎn)生變形時(shí)材料的電阻率發(fā)生變化的現(xiàn)象(見(jiàn)壓阻式傳感器)。半導(dǎo)體應(yīng)變片需要粘貼在試件上測(cè)量試件應(yīng)變或粘貼在彈性敏感元件上間接地感受被測(cè)外力。利用不同構(gòu)形的彈性敏感元件可測(cè)量各種物體的應(yīng)力、應(yīng)變、壓力、扭矩、加速度等機(jī)械量。半導(dǎo)體應(yīng)變片與電阻應(yīng)變片(見(jiàn)電阻應(yīng)變片相比,具有靈敏系數(shù)高(約高 50~100倍)、機(jī)械滯后小、體積小、耗電少等優(yōu)點(diǎn)。P型和N型硅的靈敏系數(shù)符號(hào)相反,適于接成電橋的相鄰兩臂測(cè)量同一應(yīng)力。早期的半導(dǎo)體應(yīng)變片采用機(jī)械加工、化學(xué)腐蝕等方法制成,稱(chēng)為體型半導(dǎo)體應(yīng)變片。它的缺點(diǎn)是電阻和靈敏系數(shù)的溫度系數(shù)大、非線(xiàn)性大和分散性大等。這曾限制了它的應(yīng)用和發(fā)展。自70年代以來(lái),隨著半導(dǎo)體集成電路工藝的迅速發(fā)展,相繼出現(xiàn)擴(kuò)散型、外延型和薄膜型半導(dǎo)體應(yīng)變片,上述缺點(diǎn)得到一定克服。半導(dǎo)體應(yīng)變片主要應(yīng)用于飛機(jī)、導(dǎo)彈、車(chē)輛、船舶、機(jī)床、橋梁等各種設(shè)備的機(jī)械量測(cè)量。
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中北大學(xué) 2010 屆畢業(yè)設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū) 低劑量 X射線(xiàn) CT重建算法研究 摘 要 計(jì)算機(jī)斷層成像 ( CT)技術(shù)被廣泛運(yùn)用于工業(yè)、 醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。但是在應(yīng)用過(guò)程中, 特 別在醫(yī)學(xué)診斷時(shí),常常要求在盡可能小的射線(xiàn)劑量下獲得高分辨率、低噪聲的醫(yī)用 CT 圖像。因此,研究低劑量射線(xiàn)情況下的 CT 圖像重建算法具有十分重要的實(shí)用價(jià)值。本 論文將對(duì) X 射線(xiàn) CT圖像的優(yōu)質(zhì)重建算法進(jìn)行研究,并尋求優(yōu)化重建速度的方法。主要 研究?jī)?nèi)容包括: 在平移 /旋轉(zhuǎn)掃描方式下, 分別介紹濾波反投影重建算法, 迭代重建算法 和統(tǒng)計(jì)重建算法中 MLEM 算法、MAP 算法和 OSEM算法等圖像重建算法的原理, 并在 計(jì)算機(jī)上對(duì)各算法予以實(shí)現(xiàn),最后比較不同重建算法的圖像重建效果。 關(guān)鍵詞:X-CT圖像重建 , 濾波反投影重建算法 , 系統(tǒng)矩陣, 迭代重建算法, 統(tǒng)計(jì)重 建算法 中北大學(xué) 2010 屆畢業(yè)設(shè)計(jì)說(shuō)明書(shū) A R
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廣州美術(shù)學(xué)院建筑學(xué)專(zhuān)業(yè)閱讀參考書(shū)目 1, 書(shū) 名:外國(guó)近現(xiàn)代建筑史 (第二版 ) 作者:羅小未 出版社:中國(guó)建筑工業(yè)出版社 本書(shū)為普通高等教育土建學(xué)科“十五”規(guī)劃教材。本教材對(duì) 1982 年 第一版《外國(guó)近現(xiàn)代建筑史》一書(shū)進(jìn)行了全面地修訂和重新編寫(xiě) , 大 大地補(bǔ)充和增加了新的內(nèi)容 , 并盡可能地反映了國(guó)外自 18 世紀(jì)中葉 工業(yè)革命至今兩百余年來(lái)的建筑文化發(fā)展概況 ,以適應(yīng)新暑期的教學(xué) 需要。具體內(nèi)容體現(xiàn)在以下六個(gè)方面 :一、 18 世紀(jì)下半葉至 19 世紀(jì) 下半葉歐洲與歐洲與美國(guó)的建筑 ;二、 19 世紀(jì)下半葉至 20 世紀(jì)初對(duì) 新建筑的探求 ; 三、新建筑運(yùn)動(dòng)的高潮—現(xiàn)代建筑派及其代表人物 ; 四、第二次世界大戰(zhàn)后的城市建設(shè)與建筑活動(dòng) ;五、戰(zhàn)后 40~70年代的建筑思想—現(xiàn)代建筑 派的普及與發(fā)展 ;六、現(xiàn)代主義之后的建筑思潮等。 2, 書(shū) 名:現(xiàn)代建筑——一部批評(píng)的歷史 著 者:(
上編 實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)
實(shí)驗(yàn)1 箔式應(yīng)變片的單臂電橋性能
實(shí)驗(yàn)2 金屬箔式應(yīng)變片的單臂、半橋、全橋的性能比較
實(shí)驗(yàn)3 金屬應(yīng)變片的溫度補(bǔ)償
實(shí)驗(yàn)4 半導(dǎo)體應(yīng)變片的溫度補(bǔ)償
實(shí)驗(yàn)5 箔式應(yīng)變片與半導(dǎo)體應(yīng)變片性能比較
實(shí)驗(yàn)6 金屬箔式應(yīng)變片的交流全橋?qū)嶒?yàn)
實(shí)驗(yàn)7 電子秤標(biāo)定與稱(chēng)重
實(shí)驗(yàn)8電容傳感器特性實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)9 移相器實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)10 差動(dòng)變壓器的標(biāo)定
實(shí)驗(yàn)11 差動(dòng)變壓器零位電壓的補(bǔ)償
實(shí)驗(yàn)12 相敏檢波器實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)13 差動(dòng)變壓器的應(yīng)用--振動(dòng)測(cè)量
實(shí)驗(yàn)14 電渦流式傳感器的靜態(tài)標(biāo)定
實(shí)驗(yàn)15 被測(cè)材料對(duì)電渦流傳感器特性的影響
實(shí)驗(yàn)16 電渦流傳感器的應(yīng)用--振幅測(cè)量
實(shí)驗(yàn)17 差動(dòng)螺管式電感傳感器
實(shí)驗(yàn)18 差動(dòng)螺管式電感傳感器位移測(cè)量
實(shí)驗(yàn)19 差動(dòng)螺管式電感傳感器振幅測(cè)量
實(shí)驗(yàn)20 激勵(lì)頻率對(duì)電感傳感器的影響
實(shí)驗(yàn)21 霍爾傳感器的直流激勵(lì)特性
實(shí)驗(yàn)22 霍爾傳感器的交流激勵(lì)特性
實(shí)驗(yàn)23 霍爾傳感器的應(yīng)用--振幅i貝4量
實(shí)驗(yàn)24 霍爾傳感器的應(yīng)用--電子秤
實(shí)驗(yàn)25 壓電加速度傳感器
實(shí)驗(yàn)26 引線(xiàn)電容對(duì)電壓放大器的影響
實(shí)驗(yàn)27 磁電式傳感器的性能
實(shí)驗(yàn)28 熱電式傳感器--熱電偶的標(biāo)定
實(shí)驗(yàn)29 熱電偶、熱電阻測(cè)溫實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)30 PN結(jié)溫度傳感器測(cè)溫實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)31 熱敏電阻測(cè)溫實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)32 擴(kuò)散硅壓阻式壓力傳感器實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)33 光纖位移傳感器的靜態(tài)測(cè)量
實(shí)驗(yàn)34 光纖位移傳感器的動(dòng)態(tài)測(cè)量(一)
實(shí)驗(yàn)35 光纖位移傳感器的動(dòng)態(tài)測(cè)量(二)
實(shí)驗(yàn)36 光電傳感器的應(yīng)用--光電轉(zhuǎn)速測(cè)試
實(shí)驗(yàn)37光敏電阻實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)38 光敏二極管的特性實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)39 硅光電池實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)40 氣敏傳感器(MQ3)實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)41 濕敏傳感器(RH)實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)42 微機(jī)檢測(cè)與轉(zhuǎn)換--數(shù)據(jù)采集處理
下編 實(shí)驗(yàn)報(bào)告
實(shí)驗(yàn)報(bào)告1 箔式應(yīng)變片的單臂電橋性能
實(shí)驗(yàn)報(bào)告2 金屬箔式應(yīng)變片的單臂、半橋、全橋的性能比較
實(shí)驗(yàn)報(bào)告3 金屬應(yīng)變片的溫度補(bǔ)償
實(shí)驗(yàn)報(bào)告4 半導(dǎo)體應(yīng)變片的溫度補(bǔ)償
實(shí)驗(yàn)報(bào)告5 箔式應(yīng)變片與半導(dǎo)體應(yīng)變片性能比較
實(shí)驗(yàn)報(bào)告6 金屬箔式應(yīng)變片的交流全橋?qū)嶒?yàn)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告7 電子秤標(biāo)定與稱(chēng)重
實(shí)驗(yàn)報(bào)告8 電容傳感器特性實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告9 移相器實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告10 差動(dòng)變壓器的標(biāo)定
實(shí)驗(yàn)報(bào)告11 差動(dòng)變壓器零位電壓的補(bǔ)償
實(shí)驗(yàn)報(bào)告12 相敏檢波器實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告13 差動(dòng)變壓器的應(yīng)用--振動(dòng)測(cè)量
實(shí)驗(yàn)報(bào)告14 電渦流式傳感器的靜態(tài)標(biāo)定
實(shí)驗(yàn)報(bào)告15 被測(cè)材料對(duì)電渦流傳感器特性的影響
實(shí)驗(yàn)報(bào)告16 電渦流傳感器的應(yīng)用--振幅測(cè)量
實(shí)驗(yàn)報(bào)告17 差動(dòng)螺管式電感傳感器
實(shí)驗(yàn)報(bào)告18 差動(dòng)螺管式電感傳感器位移測(cè)量
實(shí)驗(yàn)報(bào)告19 差動(dòng)螺管式電感傳感器振幅測(cè)量
實(shí)驗(yàn)報(bào)告20 激勵(lì)頻率對(duì)電感傳感器的影響
實(shí)驗(yàn)報(bào)告21 霍爾傳感器的直流激勵(lì)特性
實(shí)驗(yàn)報(bào)告22 霍爾傳感器的交流激勵(lì)特性
實(shí)驗(yàn)報(bào)告23 霍爾傳感器的應(yīng)用--振幅測(cè)量
實(shí)驗(yàn)報(bào)告24 霍爾傳感器的應(yīng)用--電子秤
實(shí)驗(yàn)報(bào)告25 壓電加速度傳感器
實(shí)驗(yàn)報(bào)告26 引線(xiàn)電容對(duì)電壓放大器的影響
實(shí)驗(yàn)報(bào)告27 磁電式傳感器的性能
實(shí)驗(yàn)報(bào)告28 熱電式傳感器--熱電偶的標(biāo)定
實(shí)驗(yàn)報(bào)告29 熱電偶、熱電阻測(cè)溫實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告30 PN結(jié)溫度傳感器測(cè)溫實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告31 熱敏電阻測(cè)溫實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告32 擴(kuò)散硅壓阻式壓力傳感器實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告33 光纖位移傳感器的靜態(tài)測(cè)量
實(shí)驗(yàn)報(bào)告34 光纖位移傳感器的動(dòng)態(tài)測(cè)量(一)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告35 光纖位移傳感器的動(dòng)態(tài)測(cè)量(二)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告36 光電傳感器的應(yīng)用--光電轉(zhuǎn)速測(cè)試
實(shí)驗(yàn)報(bào)告37 光敏電阻實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告38 光敏二極管的特性實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告39 硅光電池實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告40 氣敏傳感器(MQ3)實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告41 濕敏傳感器(RH)實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)報(bào)告42 微機(jī)檢測(cè)與轉(zhuǎn)換--數(shù)據(jù)采集處理
學(xué)傳感器的種類(lèi)繁多,如電阻應(yīng)變片壓力傳感器、半導(dǎo)體應(yīng)變片壓力傳感器、壓阻式壓力傳感器、電感式壓力傳感器、電容式壓力傳感器、諧振式壓力傳感器及電容式加速度傳感器等。但應(yīng)用最為廣泛的是壓阻式壓力傳感器,它具有極低的價(jià)格和較高的精度以及較好的線(xiàn)性特性。
傳感器中的電阻應(yīng)變片具有金屬的應(yīng)變效應(yīng),即在外力作用下產(chǎn)生機(jī)械形變,從而使電阻值隨之發(fā)生相應(yīng)的變化。電阻應(yīng)變片主要有金屬和半導(dǎo)體兩類(lèi),金屬應(yīng)變片有金屬絲式、箔式、薄膜式之分。半導(dǎo)體應(yīng)變片具有靈敏度高(通常是絲式、箔式的幾十倍)、橫向效應(yīng)小等優(yōu)點(diǎn)。