薄膜鉑熱電阻優(yōu)點(diǎn)

熱電阻感溫元件在0℃的電阻值（R0）

分度號(hào)Pt100　B級(jí)　R0=100±0.12Ω

鉑熱電阻的電阻與溫度關(guān)系一般可用以下關(guān)系表示：在-79～0℃范圍內(nèi)

Rt=R0{1 At Bt2 C(t-100℃)t3}

Rt=R0(1 At Bt2)

Rt 為t℃時(shí)熱電阻的電阻值（Ω）

式中的R0為0℃時(shí)熱電阻的電阻值（Ω）

t為被測(cè)介質(zhì)溫度（℃）

A、B、C等均為有關(guān)的分度常數(shù)

測(cè)量范圍和準(zhǔn)確度

□ 型號(hào)和規(guī)格

工業(yè)用薄膜鉑熱電阻作為新一代的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)傳感器，通常用來(lái)和顯示儀表等配套，以直接測(cè)量各種生產(chǎn)過(guò)程中-79℃～600℃范圍內(nèi)液體，蒸汽和氣體介質(zhì)及固定表面等溫度。

薄膜鉑熱電阻的優(yōu)點(diǎn)，已成為鉑熱電阻元件的主體，其鮮明的優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)如下：

① 體積細(xì)小目前最小尺寸的薄膜鉑熱電阻元件，其寬度為3μm，長(zhǎng)度1.6mm，厚度為0.6mm;

② 響應(yīng)時(shí)間快在τ0.5 的條件下，水流速V=0.2m/s 時(shí)僅為0.05s，空氣流速V=1m/s 時(shí)僅為4s;

③ 一致性好 自動(dòng)化的生產(chǎn)和檢測(cè)線，使元件具有良好的一致性;

④ 機(jī)械性能好抗震、抗振動(dòng)等機(jī)械性能明顯優(yōu)于繞絲類鉑熱電阻元件;

⑤ 精度高除常規(guī)的 B 級(jí)、A 級(jí)外，還可提供1/3B 級(jí)及1/10B 級(jí)精度的元件;

⑥ 測(cè)溫范圍寬從-196℃到1000℃的薄膜鉑熱電阻元件已經(jīng)出現(xiàn)并投入應(yīng)用，最高溫度達(dá)到1250℃的產(chǎn)品已在研發(fā)，不久將可面市;

⑦ 結(jié)構(gòu)多樣化從傳統(tǒng)的帶引線結(jié)構(gòu)，到無(wú)引線的SMD 產(chǎn)品以及適應(yīng)于各種特殊領(lǐng)域的特殊結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品已經(jīng)面市;

⑧ 長(zhǎng)期穩(wěn)定性好在元件的極限溫度工作超過(guò)1000 小時(shí)后，其電阻值的變化<0.02%;

⑨ 標(biāo)稱阻值多從 Pt6.8 到Pt10k 的產(chǎn)品均已投入市場(chǎng);

⑩價(jià)格便宜由于元件用鉑量大幅度減少并采用自動(dòng)化生產(chǎn)，使得薄膜鉑熱電阻元件的價(jià)格逐步走低，A 級(jí)精度的元件價(jià)格將低于10 元/支;

產(chǎn)品性能符合IEC751-1995和JIS1604有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)， 　溫度系數(shù)： 　R100/R0=1.3851 　經(jīng)過(guò)嚴(yán)格質(zhì)撿并注明每只元件在攝氏0 ℃時(shí)的準(zhǔn)確阻值。 　薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑特制而成，在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在 -50 ℃ ∽ 4OO ℃ 的溫度下使用. 　鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層，因而薄膜鉑熱電阻元件具有良好的防振動(dòng)和防沖擊性能。 　薄膜表面覆蓋以陶瓷，因此元件能夠承受高電壓并有良好的絕緣性。 　鉑熱電阻芯片除了提供 Pt100Ω的外，尚有Pt500和 Pt1000Ω的元件。 　精度：除了提供A級(jí)和B 級(jí)外，尚有更精確的1/3B級(jí)供用戶選用。

溫度使用范圍： -50 ℃ ∽ 4OO ℃ . 　精度：A級(jí)，B級(jí)，，尚有更精確的1/3B級(jí)。 　規(guī)定電流（mA）： 2mA（最大） 　引線材料： 鈀金合金。 　薄膜膜片鉑熱電阻芯片廣泛應(yīng)用于世界各地儀器儀表制造業(yè)，用于制造各種溫度傳感器。 　特別是對(duì)溫度測(cè)量精度要求比較高的科研領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域更適合。 　廣泛應(yīng)用于世界各地戶型和熱電聯(lián)產(chǎn)熱量表配對(duì)溫度傳感器的制造。 　應(yīng)用于中央空調(diào)的溫度控制。 ） 　其它測(cè)溫控制領(lǐng)域。(PH值溫度補(bǔ)償?shù)?2100433B