超導(dǎo)體的單電子隧道效應(yīng)基本信息

中文名 超導(dǎo)體的單電子隧道效應(yīng) 作????者 管惟炎、李宏成、蔡建華、吳杭生

L.Solymar,Chapman & Hall, Londo《超導(dǎo)電性·物理基礎(chǔ)》,科學(xué)出版社,北京,1981。2100433B

超導(dǎo)體的單電子隧道效應(yīng)造價信息

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超導(dǎo)體變頻支架 30W M型|535根 1 查看價格 佛山市順德區(qū)松維電器有限公司 廣東  佛山市 2015-03-29
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電子-內(nèi)部結(jié)構(gòu)模型圖通常把兩塊金屬電極中間夾一層很薄的絕緣層(厚度為10厘米的數(shù)量級)的結(jié)構(gòu)叫做隧道結(jié)。根據(jù)量子力學(xué)原理,電子可以通過這樣薄的絕緣層。在隧道結(jié)兩端有電壓()時,能夠產(chǎn)生足夠大的可觀測的電流()。這是隧道效應(yīng)的一種。隧道電流的大小除與絕緣層的厚度有很大關(guān)系外,還與兩個電極中電子態(tài)密度有關(guān)。電子態(tài)密度的特征會影響隧道結(jié)的伏安特性曲線()的形狀。

當(dāng)兩個電極都是正常金屬N時,在不太高的電壓(低于 1伏)范圍內(nèi)(如圖2中N-I-N情況),()是一條直線。它說明,在這個范圍內(nèi),正常金屬的電子態(tài)密度是一個與能量無關(guān)的常量。

超導(dǎo)體的單電子隧道效應(yīng)

若電極是超導(dǎo)體,()曲線就復(fù)雜些。超導(dǎo)微觀理論預(yù)言,超導(dǎo)體中單電子的態(tài)密度。這里 2墹是超導(dǎo)體的能隙寬度。當(dāng)溫度遠低于超導(dǎo)體的臨界溫度時,對于一個電極是超導(dǎo)體S的隧道結(jié),當(dāng)<墹時除了在能隙上的激發(fā)電子可以通過結(jié)外,在能隙下的大量電子都不能通過結(jié),因而電流很??;而當(dāng)塼墹時能隙下的電子可以通過結(jié),故電流陡然上升(如圖2中S-I-N 情況)。對于二個電極都是超導(dǎo)體的隧道結(jié),()曲線在處有一個極大值,在處有一個極小值,而在后電流陡然上升(如圖2中S-I-S情況)。利用這些特點,可以很準(zhǔn)確地測量超導(dǎo)體的能隙值。人們曾用這個方法研究了墹 隨溫度的變化關(guān)系,證明BCS理論預(yù)言的這個關(guān)系是正確的。

當(dāng)一個電極是正常金屬而溫度接近0K時,根據(jù)理論可以證明,隧道結(jié)()曲線的微商正比于另一個電極的態(tài)密度。人們用這個原理成功地測定了幾十種超導(dǎo)體的態(tài)密度。實驗表明,BCS理論的態(tài)密度公式基本上是正確的。但同時發(fā)現(xiàn),對于某些超導(dǎo)體,特別是鉛,實驗的態(tài)密度曲線上有一些很小但不容忽視的附加結(jié)構(gòu)。這在BCS理論的態(tài)密度公式中是不存在的(見超導(dǎo)微觀理論)。

進一步的超導(dǎo)理論證明,當(dāng)電子-聲子耦合較強時,電子態(tài)密度曲線上就會出現(xiàn)有效聲子態(tài)密度(ω)引起的附加結(jié)構(gòu)(見強耦合超導(dǎo)體)。由這種具有聲子結(jié)構(gòu)的電子態(tài)密度曲線可以計算出有效聲子譜(ω)。這里,是電子-聲子耦合強度,(ω)是聲子態(tài)密度。到目前為止,人們已測定了數(shù)十種超導(dǎo)體的(ω)。這對于檢驗超導(dǎo)理論以及研究超導(dǎo)體臨界溫度問題都有重要的意義。

由于超導(dǎo)體單電子隧道效應(yīng)的重要性,它的創(chuàng)始人I.加埃沃和半導(dǎo)體隧道二極管的發(fā)明者江崎玲於奈以及超導(dǎo)體約瑟夫森效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)者共同獲得了1973年的諾貝爾物理學(xué)獎。

在上述隧道效應(yīng)中,電子的能量并不改變,屬于彈性隧道過程。在穿越絕緣層時,電子也可以與其他粒子相互作用而改變能量,這就是非彈性隧道過程。當(dāng)絕緣層表面存在某些雜質(zhì)分子時,電子可以激發(fā)它們的轉(zhuǎn)動能級或振動能級。此時,在隧道電流中,能量高于激發(fā)能的電子數(shù)會減少,使()曲線在=處產(chǎn)生很微小的轉(zhuǎn)折。這種轉(zhuǎn)折在()的二次微商曲線上表現(xiàn)為一個尖峰──譜線,人們將它稱為非彈性電子隧道譜(IETS)。為了減小熱運動所造成的譜線寬度以及提高靈敏度,IETS通常都是在4.2K以下的溫區(qū)內(nèi)測得的。利用超導(dǎo)體作電極,可進一步提高靈敏度。IETS與紅外光譜和喇曼光譜同樣可用來辨認(rèn)分子的種類,比較起來,它的靈敏度更高些,可對極微量的雜質(zhì)分子進行檢測??諝馕廴痉治龊秃哿课镔|(zhì)分析是它的重要應(yīng)用領(lǐng)域。

超導(dǎo)體的單電子隧道效應(yīng)常見問題

  • 什么是“半導(dǎo)體”和“超導(dǎo)體”?

    一、半導(dǎo)體 1.概念:導(dǎo)電性能介乎導(dǎo)體和絕緣體之間,它們的電阻比導(dǎo)體大得多,但又比絕緣體小得多.這類材料我們把它叫做半導(dǎo)體. 2.半導(dǎo)體材料:鍺、硅、砷化鎵等,都是半導(dǎo)體. 3. 半導(dǎo)體的電學(xué)性能: ...

  • 超導(dǎo)體為什么能絕對抗磁

    理想導(dǎo)體(電阻為零的導(dǎo)體)就是超導(dǎo)體。理想導(dǎo)體具有完全抗磁性。邁斯納是一位偉大的科學(xué)家,他當(dāng)然知道對比實驗。理想導(dǎo)體擺在眼前他卻不認(rèn)識。于是,就根據(jù)自己的想象捏造理想導(dǎo)體不具有完全抗磁性。他的對比實驗...

  • led二級發(fā)光管是半導(dǎo)體材料還是超導(dǎo)體材料?

    發(fā)光二極管的核心部分是由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成的晶片,在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間有一個過渡層,稱為p-n結(jié)。在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中,注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式...

超導(dǎo)體的單電子隧道效應(yīng)文獻

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用簡單的管狀爐制備B(Pb)SCCO超導(dǎo)體 用簡單的管狀爐制備B(Pb)SCCO超導(dǎo)體

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用簡單的管狀爐制備B(Pb)SCCO超導(dǎo)體

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美國固體物理學(xué)家加埃沃在超導(dǎo)電性研究中取得的一個重要成就,1960年完成。加埃沃把兩塊金屬電極中間夾一層很薄的絕緣層(10—7厘米數(shù)量級)的結(jié)構(gòu)叫做隧道結(jié)。根據(jù)量子力學(xué)原理,電子可以通過這樣薄的絕緣層,當(dāng)給隧道結(jié)兩端加電壓時就能產(chǎn)生電流。對于一個電極是超導(dǎo)體的隧道結(jié),當(dāng)所加電壓可使電子能量超過其能隙寬度時,在溫度遠低于超導(dǎo)體臨界溫度的情況下,電子可以通過結(jié),從而使電流陡然上升。這便是超導(dǎo)體的單電子隧道效應(yīng)。加埃沃由于這一發(fā)現(xiàn)而與半導(dǎo)體隧道二極管的發(fā)明者江崎玲於奈以及約瑟夫森共同獲得1973年獲諾貝爾物理學(xué)獎 。

迷信家在隕石中發(fā)現(xiàn)了自然構(gòu)成的超導(dǎo)體。加州大學(xué)圣地亞哥的研討人員挑選現(xiàn)有礦物質(zhì)樣本。這些樣原本自地球或許隕石,由位于華盛頓的史密森學(xué)會搜集。隕石是在極端溫度和壓力下構(gòu)成的。這些條件逾越了地球上任何實驗室的才能。因而指導(dǎo)這項研討的物理學(xué)家 Ivan Schuller 以為,它們是尋覓新化合物的理想沃土。

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研討人員在兩種隕石的樣本中發(fā)現(xiàn)了超導(dǎo)性的證據(jù):1911 年發(fā)現(xiàn)于澳洲內(nèi)陸的 9980 公斤鐵塊——慕拉比拉鐵隕石,以及 1995 年在南極發(fā)現(xiàn)的 Graves Nunataks 碳質(zhì)隕石。

Grave Nunataks 隕石中的超導(dǎo)體是由銦和錫構(gòu)成的合金。慕拉比拉鐵隕石中的超導(dǎo)體似乎是銦、錫和鉛的合金。兩種都是臨界溫度在 5 開爾文左右的著名超導(dǎo)體。

研討后果標(biāo)明,超導(dǎo)性在宇宙中是普遍存在的。

人們發(fā)現(xiàn)一些宏觀量,例如微顆粒的磁化強度,量子相干器件中的磁通量等亦有隧道效應(yīng),稱為宏觀的量子隧道效應(yīng)。早期曾用來解釋納米鎳粒子在低溫繼續(xù)保持超順磁性。來人們發(fā)現(xiàn)Fe-Ni薄膜中疇壁運動速度在低于某一臨界溫度時基本上與溫度無關(guān)。于是,有人提出量子理想的零點震動可以在低溫起著類似熱起伏的效應(yīng)。從而使零溫度附近微顆粒磁化矢量的重取向,保持有限的馳豫時間,即在絕對零度仍然存在非零的磁化反轉(zhuǎn)率。宏觀量子隧道效應(yīng)的研究對基礎(chǔ)研究及實用都有著重要的意義,它限定了磁帶、磁盤進行信息貯存的時間極限。量子尺寸效應(yīng),隧道效應(yīng)將會是未來電子器件的基礎(chǔ),或者它確立了現(xiàn)存微電子器件進一步微型化的極限。當(dāng)電子器件進一步細(xì)微化時,必須要考慮上述的量子效應(yīng)。

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