本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了磁控濺射硅靶材的分類及牌號(hào)、原料、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、供貨狀態(tài)及訂貨單(或合同)內(nèi)容。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體等電子器件用的各種磁控濺射硅靶材。
青島藍(lán)光晶科新材料有限公司、大工(青島)新能源材料技術(shù)研究院有限公司、河北東同光電科技有限公司、大連理工大學(xué)。
張磊、姜大川、崔娜、李鵬廷、譚毅、顧正、石爽、康明生、朱輝、郄奕、張衛(wèi)、姚玉杰、陳良杰、李云飛、王登科。
靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料,用于高能激光武器中,不同功率密度、不同輸出波形、不同波長(zhǎng)的激光與不同的靶材相互作用時(shí),會(huì)產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。鍍膜靶材是通過(guò)磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系...
關(guān)于ito靶材的綁定技術(shù)、不是制造ito而是綁定技術(shù)。
綁定其實(shí)就是焊接的一種,可以理解為釬焊或者擴(kuò)散焊,但要求在真空爐中進(jìn)行焊接,在需要綁定的兩種材料之間加上焊料(一般為低熔點(diǎn)的高純金屬銦),加壓加溫,最終焊接成型,管狀I(lǐng)TO應(yīng)該可以考慮套管或者其他類似...
ITO靶材是高純?nèi)趸熀投趸a粉末按照重量比9/1或95/5(最常用)混合均勻后,加壓燒結(jié)成陶瓷片狀,再加工成靶材成品,用作濺射鍍制TCO透明導(dǎo)電薄膜,由于氧化銦價(jià)格較高,所以I...
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了磁控濺射硅靶材的分類及牌號(hào)、原料、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、供貨狀態(tài)及訂貨單(或合同)內(nèi)容。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體等電子器件用的各種磁控濺射硅靶材。2100433B
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木材的特點(diǎn)和適用范圍
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.適用范圍: 本監(jiān)理細(xì)則適用于建筑工程的單層、 多層以及網(wǎng)架、 壓型金屬板等鋼結(jié)構(gòu)工程的制作、 安裝 的工程監(jiān)理 2.編制依據(jù): 2.1《建筑工程施工質(zhì)量驗(yàn)收統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》 GB50300—2001 2.2《鋼結(jié)構(gòu)工程施工質(zhì)量驗(yàn)收規(guī)范》 GB50205— 2001 2.3《建筑鋼結(jié)構(gòu)焊接規(guī)程》 GBJ81-91 2.4《鋼結(jié)構(gòu)高強(qiáng)螺栓連接的設(shè)計(jì)、施工及驗(yàn)收規(guī)范》 JGJ82—91 2.5《鋼結(jié)構(gòu)防火涂料應(yīng)用技術(shù)規(guī)程》 CECS24:90 2.6 建筑工程監(jiān)理合同和已批準(zhǔn)的工程監(jiān)理規(guī)劃 2.7 工程施工承包合同和已批準(zhǔn)的施工組織設(shè)計(jì) 3.工程特點(diǎn)及質(zhì)量目標(biāo): (略) 4.鋼結(jié)構(gòu)工程的監(jiān)理工作流程 4.1鋼結(jié)構(gòu)制作工程的監(jiān)理工作流程 4.1.1 型鋼件 放樣、號(hào)料→切割→矯正和成型→邊緣加工→制孔→構(gòu)件驗(yàn)收→ 涂裝、編號(hào) 4.1.2 管球節(jié)點(diǎn) 放樣、號(hào)料→切割→管球節(jié)點(diǎn)加工→焊接和焊接檢
材質(zhì)分類
金屬靶材
鎳靶Ni、鈦靶Ti、鋅靶Zn、鉻靶Cr、鎂靶Mg、鈮靶Nb、錫靶Sn、鋁靶Al、銦靶In、鐵靶Fe、鋯鋁靶ZrAl、鈦鋁靶TiAl、鋯靶Zr、鋁硅靶AlSi、硅靶Si、銅靶Cu、鉭靶Ta、鍺靶Ge、銀靶Ag、鈷靶Co、金靶Au、釓靶Gd、鑭靶La、釔靶Y、鈰靶Ce、不銹鋼靶、鎳鉻靶NiCr、鉿靶Hf、鉬靶Mo、鐵鎳靶FeNi、鎢靶、W等。
陶瓷靶材
ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶,、二氧化鉿靶,二硼化鈦靶,二硼化鋯靶,三氧化鎢靶,三氧化二鋁靶五氧化二鉭,五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶,氮化硅靶,氮化硼靶,氮化鈦靶,碳化硅靶,鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。
合金靶材
鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。
適用于直流二極濺射、三極濺射、四級(jí)濺射、射頻濺射、對(duì)向靶濺射、離子束濺射、磁控濺射等,可鍍制反光膜、導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體薄膜、電容器薄膜、裝飾膜、保護(hù)膜、集成電路、顯示器等,相對(duì)其它靶材,銅靶材的價(jià)格較低,所以銅靶材是在能滿足膜層的功能前提下的首選靶材料。
適用于直流二極濺射、三極濺射、四級(jí)濺射、射頻濺射、對(duì)向靶濺射、離子束濺射、磁控濺射等,可鍍制反光膜、導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體薄膜、電容器薄膜、裝飾膜、保護(hù)膜、集成電路、顯示器等,相對(duì)其它靶材,鋁靶材的價(jià)格較低,所以鋁靶材是在能滿足膜層的功能前提下的首選靶材料。