CMOS集成電路后端設(shè)計與實戰(zhàn)基本信息

書????名 CMOS集成電路后端設(shè)計與實戰(zhàn) 作????者 劉峰
ISBN 9787111514404 [1]? 頁????數(shù) 375頁
出版社 機械工業(yè)出版社 出版時間 2015年9月1日
裝????幀 平裝 開????本 16開
叢書名 電子與嵌入式系統(tǒng)設(shè)計叢書

前言

第1章 引論 1

1.1　集成電路發(fā)展史簡介 1

1.2　國內(nèi)集成電路發(fā)展現(xiàn)狀 2

1.3　國際集成電路發(fā)展趨勢 4

第2章 集成電路后端設(shè)計方法 5

2.1　集成電路后端設(shè)計 5

2.2　后端全定制設(shè)計方法 5

2.2.1　后端全定制設(shè)計流程介紹 6

2.2.2　主流后端全定制設(shè)計工具介紹 6

2.2.3　后端全定制設(shè)計小結(jié) 13

2.3　后端半定制設(shè)計方法 13

2.3.1　后端半定制設(shè)計流程介紹 13

2.3.2　主流后端半定制設(shè)計工具介紹 14

2.3.3　后端半定制設(shè)計小結(jié) 21

第一部分　后端全定制設(shè)計及實戰(zhàn)

第3章 后端全定制設(shè)計之標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計技術(shù) 24

3.1　設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)單元庫的重要性 24

3.2　標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計技術(shù) 25

3.2.1　標(biāo)準(zhǔn)單元的基本介紹 25

3.2.2　標(biāo)準(zhǔn)單元的基本類型 27

3.2.3　標(biāo)準(zhǔn)單元庫提供的數(shù)據(jù) 29

3.2.4　標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計參數(shù) 29

3.3　標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計流程 39

3.3.1　方案設(shè)計 40

3.3.2　標(biāo)準(zhǔn)單元電路及版圖設(shè)計 43

3.3.3　標(biāo)準(zhǔn)單元庫版圖和時序信息的提取 45

3.3.4　庫模型與庫文檔生成 47

3.3.5　設(shè)計工具流程驗證 48

3.3.6　測試電路設(shè)計及工藝流片驗證 49

3.4　標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計需要的數(shù)據(jù) 49

3.5　標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計EDA工具 50

第4章 后端全定制設(shè)計之標(biāo)準(zhǔn)單元電路設(shè)計技術(shù) 51

4.1　CMOS工藝數(shù)字電路實現(xiàn)結(jié)構(gòu) 51

4.1.1　靜態(tài)電路實現(xiàn)結(jié)構(gòu) 51

4.1.2　偽NMOS電路實現(xiàn)結(jié)構(gòu) 52

4.1.3　傳輸管與傳輸門電路 53

4.1.4　動態(tài)電路實現(xiàn)結(jié)構(gòu) 54

4.1.5　高扇入邏輯電路的實現(xiàn)結(jié)構(gòu) 55

4.2　CMOS數(shù)字電路優(yōu)化 60

4.3　標(biāo)準(zhǔn)單元庫中幾種時序單元介紹 61

4.3.1　C2MOS觸發(fā)器 62

4.3.2　真單相觸發(fā)器 62

4.3.3　脈沖觸發(fā)器 63

4.3.4　數(shù)據(jù)流觸發(fā)器 64

第5章 后端全定制設(shè)計之標(biāo)準(zhǔn)單元電路設(shè)計實戰(zhàn) 65

5.1　電路設(shè)計流程 65

5.2　時序單元HLFF的電路設(shè)計 65

5.2.1　建立庫及電路設(shè)計環(huán)境 65

5.2.2　Vituoso Schematic Composer使用基礎(chǔ) 68

5.2.3　時序單元HLFF電路實現(xiàn) 69

5.2.4　時序單元HLFF電路元件的產(chǎn)生 70

5.2.5　時序單元HLFF電路網(wǎng)表輸出 71

5.3　時序單元HLFF的電路仿真 72

5.3.1　設(shè)置帶激勵輸入的仿真電路圖 73

5.3.2　使用Virtuoso Spectre Circuit Simulator進行電路仿真 74

第6章 后端全定制設(shè)計之標(biāo)準(zhǔn)單元版圖設(shè)計技術(shù) 80

6.1　基本CMOS工藝流程 80

6.2　基本版圖層 82

6.2.1　NMOS/PMOS晶體管的版圖實現(xiàn) 83

6.2.2　串聯(lián)晶體管的版圖實現(xiàn) 83

6.2.3　并聯(lián)晶體管的版圖實現(xiàn) 84

6.2.4　CMOS反相器的版圖實現(xiàn) 85

6.2.5　緩沖器的版圖實現(xiàn) 85

6.2.6　CMOS二輸入與非門和或非版圖實現(xiàn) 86

6.3　版圖設(shè)計規(guī)則 87

6.4　版圖設(shè)計中晶體管布局方法 93

6.4.1　基本歐拉路徑法 94

6.4.2　歐拉路徑法在動態(tài)電路中的應(yīng)用 95

6.4.3　晶體管尺寸對版圖的影響 97

6.5　標(biāo)準(zhǔn)單元版圖設(shè)計的基本指導(dǎo) 97

6.5.1　優(yōu)化設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)單元 98

6.5.2　標(biāo)準(zhǔn)單元PIN腳的設(shè)計 100

第7章 后端全定制設(shè)計之標(biāo)準(zhǔn)單元版圖設(shè)計實戰(zhàn) 104

7.1　版圖設(shè)計流程 104

7.2　時序單元HLFF版圖實現(xiàn) 105

7.2.1　建立項目庫及版圖設(shè)計環(huán)境 105

7.2.2　Vituoso Layout Editor使用基礎(chǔ) 106

7.2.3　時序單元HLFF版圖實現(xiàn) 111

7.2.4　時序單元HLFF版圖GDS輸出 115

7.3　版圖設(shè)計規(guī)則檢查 116

7.3.1　執(zhí)行版圖設(shè)計規(guī)則檢查 116

7.3.2　基于版圖設(shè)計規(guī)則結(jié)果的調(diào)試 119

7.4　版圖與電路等價性檢查 120

7.4.1　執(zhí)行版圖與電路等價性檢查 120

7.4.2　基于版圖與電路等價性檢查結(jié)果的調(diào)試 124

7.5　版圖寄生參數(shù)提取 126

第8章 后端全定制設(shè)計之標(biāo)準(zhǔn)單元特征化技術(shù) 129

8.1　標(biāo)準(zhǔn)單元時序模型介紹 129

8.1.1　基本的時序模型歸納 129

8.1.2　時序信息建模方法 130

8.1.3　時序信息文件基本內(nèi)容 131

8.2　標(biāo)準(zhǔn)單元物理格式LEF介紹 136

8.2.1　LEF文件中重要參數(shù)詳細說明 136

8.2.2　LEF文件全局設(shè)置 139

8.2.3　LEF文件中工藝庫物理信息設(shè)置 139

8.2.4　LEF文件中單元庫物理信息設(shè)置 142

8.2.5　LEF對應(yīng)的圖形視圖 144

第9章 后端全定制設(shè)計之標(biāo)準(zhǔn)單元特征化實戰(zhàn) 145

9.1　時序信息提取實現(xiàn) 145

9.1.1　時序信息特征化的實現(xiàn)流程 145

9.1.2　時序信息特征化的數(shù)據(jù)準(zhǔn)備 146

9.1.3　標(biāo)準(zhǔn)單元HLFF的時序信息特征化 149

9.1.4　SiliconSmart工具流程介紹 155

9.2　物理信息抽象化實現(xiàn) 155

9.2.1　物理信息抽象化實現(xiàn)流程 156

9.2.2　建立物理信息抽象化工作環(huán)境 156

9.2.3　標(biāo)準(zhǔn)單元HLFF的物理信息抽象化 161

9.2.4　版圖抽象化后LEF數(shù)據(jù)輸出 174

第二部分　后端半定制設(shè)計及實戰(zhàn)

第10章　后端半定制設(shè)計之物理實現(xiàn)技術(shù) 178

10.1　半定制物理實現(xiàn)工程師應(yīng)該具備的能力 178

10.2　半定制物理實現(xiàn)流程 179

10.3　半定制物理實現(xiàn)使用的EDA工具 181

10.4　半定制物理實現(xiàn)需要的數(shù)據(jù) 182

10.5　布局規(guī)劃 182

10.6　電源規(guī)劃 188

10.6.1　電壓降與電遷移 188

10.6.2　電源規(guī)劃前的功耗預(yù)估方法 193

10.6.3　電源條帶的基本設(shè)置方法 194

10.6.4　電源環(huán)的基本設(shè)置方法 197

10.6.5　電源網(wǎng)絡(luò)分析的基本方法 197

10.7　時鐘樹的實現(xiàn) 199

10.7.1　常見時鐘網(wǎng)絡(luò)的實現(xiàn)方法 199

10.7.2　時鐘樹的綜合策略 201

10.7.3　時鐘樹的基本性能參數(shù) 202

10.7.4　時鐘樹的綜合流程 205

10.7.5　門控時鐘 209

10.7.6　時鐘樹優(yōu)化基本指導(dǎo) 210

10.8　布線 214

10.8.1　天線效應(yīng) 214

10.8.2　串?dāng)_噪聲 220

10.8.3　數(shù)模混合信號線走線的基本方法 224

10.9　ECO 226

第11章　后端半定制設(shè)計之Open-SparcT1-FPU布局布線實戰(zhàn) 229

11.1　布局布線的基本流程 229

11.2　布局布線工作界面介紹 230

11.3　建立布局布線工作環(huán)境 231

11.4　布局布線實現(xiàn) 236

11.4.1　芯片布局 236

11.4.2　電源網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn) 238

11.4.3　自動放置標(biāo)準(zhǔn)單元 244

11.4.4　時鐘樹綜合 247

11.4.5　布線 252

11.4.6　芯片版圖完整性實現(xiàn) 256

11.4.7　布局布線數(shù)據(jù)輸出 259

第12章　后端半定制設(shè)計之Open-SparcT1-FPU電壓降分析實戰(zhàn) 262

12.1　電壓降分析的基本流程 262

12.2　建立電壓降分析的工作環(huán)境 262

12.3　電壓降分析實現(xiàn) 266

12.3.1　設(shè)置電源網(wǎng)格庫 266

12.3.2　功耗計算 269

12.3.3　電壓降分析 271

第三部分　靜態(tài)時序分析及實戰(zhàn)

第13章　靜態(tài)時序分析技術(shù) 278

13.1　靜態(tài)時序分析介紹 278

13.1.1　靜態(tài)時序分析背景 278

13.1.2　靜態(tài)時序分析優(yōu)缺點 279

13.2　靜態(tài)時序分析基本知識 280

13.2.1　CMOS邏輯門單元時序參數(shù) 280

13.2.2　時序模型 281

13.2.3　互連線模型 282

13.2.4　時序單元相關(guān)約束 283

13.2.5　時序路徑 284

13.2.6　時鐘特性 287

13.2.7　時序弧 289

13.2.8　PVT環(huán)境 292

13.3　串?dāng)_噪聲 293

13.3.1　串?dāng)_噪聲惡化原因 293

13.3.2　串?dāng)_噪聲的體現(xiàn)形式 294

13.3.3　串?dāng)_噪聲相互作用形式 295

13.3.4　時間窗口 296

13.4　時序約束 298

13.4.1　時鐘約束 298

13.4.2　I/O延時約束 308

13.4.3　I/O環(huán)境建模約束 309

13.4.4　時序例外 311

13.4.5　恒定狀態(tài)約束 315

13.4.6　屏蔽時序弧 316

13.4.7　時序設(shè)計規(guī)則約束 317

13.5　靜態(tài)時序分析基本方法 318

13.5.1　時序圖 318

13.5.2　時序分析策略 320

13.5.3　時序路徑延時的計算方法 321

13.5.4　時序路徑的分析方法 323

13.5.5　時序路徑分析模式 327

第14章　靜態(tài)時序分析實戰(zhàn) 339

14.1　靜態(tài)時序分析基本流程 339

14.2　建立靜態(tài)時序分析工作環(huán)境 339

14.3　靜態(tài)時序分析實現(xiàn) 343

14.3.1　建立時間分析 344

14.3.2　保持時間分析 360

14.3.3　時序設(shè)計規(guī)則分析 369

14.3.4　時序違反修復(fù) 371

參考文獻 374

CMOS集成電路后端設(shè)計與實戰(zhàn)造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
（除稅）		 工程建議價
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報價日期
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《CMOS集成電路后端設(shè)計與實戰(zhàn)》詳細介紹整個后端設(shè)計流程，分為概述、全定制設(shè)計、半定制設(shè)計、時序分析四大部分。本書同時基于廣度和深度兩個方面來闡述整個CMOS集成電路后端設(shè)計流程與設(shè)計技術(shù)，并通過實戰(zhàn)案例進行更深入地技術(shù)應(yīng)用講解，使集成電路后端設(shè)計初學(xué)者同時得到理論與實戰(zhàn)兩方面的雙重提高。

CMOS集成電路后端設(shè)計與實戰(zhàn)常見問題

CMOS集成電路后端設(shè)計與實戰(zhàn)文獻

CMOS集成電路排氣扇節(jié)電自動控制 CMOS集成電路排氣扇節(jié)電自動控制

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本文采用低功耗CMOS集成電路構(gòu)成排氣扇節(jié)電自動控制電路,比采用分立元件組成的線路更為簡單、可靠性高、易于制作、稍作調(diào)試即可正常工作。 1.工作原理電路原理如圖1所示,做成的電氣箱如圖2所示。A為CMOS可編程定時集成電路

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CMOS集成電路中電源和地之間的ESD保護電路設(shè)計 CMOS集成電路中電源和地之間的ESD保護電路設(shè)計

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評分： 4.5

討論了3種常用的CMOS集成電路電源和地之間的ESD保護電路,分別介紹了它們的電路結(jié)構(gòu)以及設(shè)計考慮,并用Hspice對其中利用晶體管延時的電源和地的保護電路在ESD脈沖和正常工作兩種情況下的工作進行了模擬驗證。結(jié)論證明:在ESD脈沖下,該保護電路的導(dǎo)通時間為380ns;在正常工作時,該保護電路不會導(dǎo)通,因此這種利用晶體管延時的保護電路完全可以作為CMOS集成電路電源和地之間的ESD保護電路。

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內(nèi)容簡介

《CMOS射頻集成電路分析與設(shè)計》以實現(xiàn)一個完整的無線收發(fā)機射頻前端為主線，按照“射頻電路基礎(chǔ)—射頻電路元器件—無線收發(fā)機系統(tǒng)結(jié)構(gòu)—射頻模塊電路分析與設(shè)計—后端設(shè)計與混合信號集成—無線收發(fā)機實例”的結(jié)構(gòu)編寫?！禖MOS射頻集成電路分析與設(shè)計》力圖面向?qū)嶋H應(yīng)用，在介紹清楚基本概念的基礎(chǔ)上，著重討論在集成射頻前端框架下各模塊電路的設(shè)計方法及提高性能的措施。全書共15章，第1-4章介紹了射頻電路基礎(chǔ)，第5-6章討論了射頻集成電路常用的元器件，第7章討論了無線收發(fā)機射頻前端的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，第8-13章討論了主要射頻電路模塊的分析與設(shè)計問題，第14章介紹了射頻集成電路的后端設(shè)計及混合信號集成問題，最后一章給出了一個無線接收機模擬前端實現(xiàn)的實例。

全書共15章，第1-4章介紹了射頻電路基礎(chǔ)，第5-6章討論了射頻集成電路常用的元器件，第7章討論了無線收發(fā)機射頻前端的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，第8-13章討論了主要射頻電路模塊的分析與設(shè)計問題，第14章介紹了射頻集成電路的后端設(shè)計及混合信號集成問題，最后一章給出了一個無線接收機模擬前端實現(xiàn)的實例。

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CMOS集成電路設(shè)計手冊(第3版·基礎(chǔ)篇)榮獲美國工程教育協(xié)會獎

CMOS集成電路設(shè)計手冊(第3版·基礎(chǔ)篇)是CMOS集成電路設(shè)計領(lǐng)域的權(quán)威書籍，有著以下的優(yōu)點

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