CMOS（可讀寫芯片）

CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補型金屬氧化物半導(dǎo)體)是主板上一塊可讀寫的RAM芯片，用于保存當(dāng)前系統(tǒng)的硬件配置信息和用戶設(shè)定的某些參數(shù)。CMOS RAM由主板上的電池供電，即使系統(tǒng)掉電信息也不會丟失。對CMOS中各項參數(shù)的設(shè)定和更新可通過開機時特定的按鍵實現(xiàn)(一般是Del鍵)。進入BIOS 設(shè)置程序可對CMOS進行設(shè)置。一般CMOS設(shè)置習(xí)慣上也被叫做BIOS設(shè)置。2100433B

CCD元件的尺寸多為1/3英寸或者1/4英寸，在同分辨率下，元件尺寸大的較好。

CCD的優(yōu)點是靈敏度高，噪音小，信噪比大，但是生產(chǎn)工藝復(fù)雜，成本高，功耗高。

CMOS集成度高、功耗低（不到CCD的1/3）、成本低，但是噪音比較大，靈敏度低，對光源要求高。在相同像素下CCD的成像的通透性、明銳度很好，色彩還原、曝光準確，而CMOS較差

2.1 探針臺（針座，探針等），1套 1) 手動探針臺，寬大的測試空間，能對晶圓、芯片及單器件進行IV/CV及S參數(shù)測試 2) 載片臺直徑：6英寸，平坦度：±5um 3) 載片臺整體采用氣浮移動方式，快速移動范圍：185×235 mm，可單手控制自由移動，包含鎖死裝置，千分尺精細調(diào)節(jié)方式，調(diào)節(jié)范圍：25×25mm 4) 載片臺快速旋轉(zhuǎn)角度：360°，精細調(diào)節(jié)范圍：±5° 5) 載片臺具備兩個獨立的附加載臺，陶瓷吸波材料制作，可用于吸附射頻校準片 6) 載片臺采用完全獨立的真空孔吸附，真空孔直徑0.5um；可分區(qū)吸附樣品，并具備各分區(qū)獨立真空控制開關(guān) 7) 平臺包含三擋抬升方式，包括接觸位（0）、分離位（300μm）和裝載位（3mm），且有相應(yīng)阻尼緩沖設(shè)計 8) 平臺高度可調(diào)整范圍25mm；平臺大小可同時容納10個直流針座或者4個射頻針座。 9) 搭配筒式顯微鏡，可后仰90度抬頭，增大平臺可操作空間 10) 顯微鏡系統(tǒng)的最大放大倍率400倍，可連續(xù)變焦 11) 顯微鏡XY方向移動范圍：50 x 50 mm 12) 顯示器尺寸：21吋 13) 4套射頻針座，精確度±2μm，重復(fù)性±2μm。

(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)這是的全稱，我們首先要知道CMOS芯片的由來，中文學(xué)名為互補金屬氧化物半導(dǎo)體，它本是計算機系統(tǒng)內(nèi)一種重要的芯片，保存了系統(tǒng)引導(dǎo)最基本的資料。CMOS的制造技術(shù)和一般計算機芯片沒什么差別，主要是利用硅和鍺這兩種元素所做成的半導(dǎo)體，使其在CMOS上共存著帶N（帶-電） 和 P（帶 電）級的半導(dǎo)體，這兩個互補效應(yīng)所產(chǎn)生的電流即可被處理芯片紀錄和解讀成影像。

CMOS板機：以CMOS傳感器芯片為核心，外加輔助電路而成的監(jiān)控模擬視頻成像主板。傳感器主要擔(dān)負收集圖像處理圖像的作用，輔助電路有視頻放大，電源處理，IR-CUT切換器電路集成這些功能