CMOS模擬集成電路分析與設(shè)計

第一章 CMOS集成電路制造工藝

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

第二章 基本MOS器件物理

第三章 單級放大器

運放是運算放大器的簡稱。在實際電路中，通常結(jié)合反饋網(wǎng)絡(luò)共同組成某種功能模塊。由于早期應(yīng)用于模擬計算機中，用以實現(xiàn)數(shù)學(xué)運算，故得名“運算放大器”，此名稱一直延續(xù)至今。運放是一個從功能的角度命名的電路單元，可以由分立的器件實現(xiàn)，也可以實現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片當(dāng)中。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，如今絕大部分的運放是以單片的形式存在。現(xiàn)今運放的種類繁多，廣泛應(yīng)用于幾乎所有的行業(yè)當(dāng)中。

第四章 恒流源電路

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本書分析了CMOS模擬集成電路設(shè)計理論與技術(shù),全書由18章組成。從CMOS集成電路的工藝著手,介紹了CMOS模擬集成電路的基礎(chǔ),即MOS器件物理以及高階效應(yīng),然后分別介紹了模擬集成電路中的各種電路模塊:基本放大器、恒流源電路、差分放大器、運算放大器、基準(zhǔn)電壓源、開關(guān)電容電路、集成電壓比較器、數(shù)/模轉(zhuǎn)換與模/數(shù)轉(zhuǎn)換以及振蕩器與鎖相環(huán)等。另外,在第6章、第7章與第10章中還特別介紹了CMOS模擬集成電路的頻率響應(yīng)、穩(wěn)定性、運算放大器的頻率補償及其反饋電路特性,在第8章與第12章中還分析了噪聲與非線性。

本書作為CMOS模擬集成電路的教材,可供本科生高年級與研究生使用,也可供從事相關(guān)專業(yè)的技術(shù)人員參考。

期待多年之后，備受尊敬的兩位作者Phillip E. Allen和Douglas R.Holberg又為讀者奉上了經(jīng)典教材《CMOS模擬集成電路設(shè)》的第二版。作者從CMOS技術(shù)的前沿出發(fā)，將他們豐富的實踐經(jīng)驗與教學(xué)經(jīng)驗相結(jié)合，對CMOS模似電路設(shè)計的原理和技術(shù)給出了深入和詳盡的論述，本書有兩個主要目標(biāo)：

將理論和實踐完美結(jié)事，在內(nèi)容處理上既不膚淺也不拘泥于細節(jié)；

使讀者能夠應(yīng)用層次化設(shè)計的方法進行模擬集成電路設(shè)計；

第二版中講到的多數(shù)技術(shù)和原理在過去的十年中已經(jīng)介紹給了工業(yè)界的讀者，他們提出的問題和需求對本書的修訂起了很大的作用，從而使新版教材成為更有價值的工程技術(shù)人員的參考書。

本書的特點是獨特的設(shè)計方法，該方法可使讀者一步一步地經(jīng)歷創(chuàng)建實際電路的過程，并能夠分析復(fù)雜的設(shè)計問題。本書詳細計論了容易被忽略的問題，同時有意識地談化了雙極型模擬電路，因為CMOS是模擬集成電路設(shè)計的主流工藝。本書適用于具有一定基礎(chǔ)電子學(xué)背景知識的高年級本科生和研究生，這些知識主要包括：偏置、建模、電路分析和頻率響應(yīng)。本書提供了一個完整的設(shè)計流程圖，使讀者能夠用CMOS技術(shù)完成模擬電路設(shè)計。

《CMOS模擬集成電路設(shè)計》（第2版）（英文版）是模擬集成電路設(shè)計課的一本經(jīng)典教材。全書共分5個部分。主要介紹了模擬集成電路設(shè)計的背景知識、基本MOS半導(dǎo)體制造工藝、CMOS技術(shù)、CMOS器件建模，MOS開關(guān)、MOS二極管、有源電阻、電流阱和電流源等模擬CMOS分支電路，以及反相器、差分放大器、共源共柵放大器、電流放大器、輸出放大器等CMOS放大器的原理、特性、分析方法和設(shè)計，CM0S運算放大器、高性能CMOS運算放大器、比較器，開關(guān)電容電路、D/A和A/D變換器等CMOS模擬系統(tǒng)的分析方法、設(shè)計和模擬等內(nèi)容。

該書可作為高等學(xué)校電子工程、微電子學(xué)、計算機科學(xué)、電機工程與應(yīng)用電子技術(shù)等專業(yè)的的教科書，以及有關(guān)專業(yè)的選修課教材或研究生教材、教學(xué)參考書；也可作為在職的模擬集成電路設(shè)計工程師或與模擬集成電路設(shè)計有關(guān)的工程師的進修教材或工程設(shè)計參考書。

本書闡述CMOS集成電路分析與設(shè)計的相關(guān)知識： 主要介紹CMOS模擬集成電路設(shè)計的背景、MOS器件物理及建模等相關(guān)知識； 分析電流源、電流鏡和基準(zhǔn)源，以及共源極、共漏極、共柵極和共源共柵極等基本放大器結(jié)構(gòu)、原理、分析與設(shè)計技術(shù)； 同時分析電路的頻率、噪聲等特性，并進一步討論運算放大器、反饋結(jié)構(gòu)及其穩(wěn)定性和頻率補償； 然后討論開關(guān)電容電路、比較器，進而介紹數(shù)模轉(zhuǎn)換器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器的基本結(jié)構(gòu)和工作原理； 最后討論與CMOS模擬集成電路相關(guān)的版圖設(shè)計技術(shù)。 本書可作為高等院校電子信息類本科生和研究生教材，也可作為相關(guān)領(lǐng)域工程師的參考用書 。