CMP

CMP混合指示劑，主要用于水泥分析等帶雜質(zhì)情況下絡(luò)合滴定分析測定鈣，做指示劑，可減少干擾使滴定終點(diǎn)易于觀察。

鈣黃綠素一甲基百里香酚藍(lán)一酚酞(1:1:0.2 )

配制方法：準(zhǔn)確稱取1g鈣黃綠素，1g甲基百里香酚藍(lán)，0.2g酚酞，與50g已在105-110℃烘干過的硝酸鉀混合研細(xì)，貯存于磨口瓶中。

用途：

拋光概念

CMP，即Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械拋光。CMP技術(shù)所采用的設(shè)備及消耗品包括：拋光機(jī)、拋光漿料、拋光墊、后CMP清洗設(shè)備、拋光終點(diǎn)檢測及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測設(shè)備等。

CMP技術(shù)的概念是1965年由Monsanto首次提出。該技術(shù)最初是用于獲取高質(zhì)量的玻璃表面，如軍用望遠(yuǎn)鏡等。1988年IBM開始將CMP技術(shù)運(yùn)用于4MDRAM 的制造中，而自從1991年IBM將CMP成功應(yīng)用到64MDRAM 的生產(chǎn)中以后，CMP技術(shù)在世界各地迅速發(fā)展起來。區(qū)別于傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)的拋光方法，CMP通過化學(xué)的和機(jī)械的綜合作用，從而避免了由單純機(jī)械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點(diǎn)。它利用了磨損中的“軟磨硬”原理，即用較軟的材料來進(jìn)行拋光以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。

拋光CMP拋光液

CMP拋光液是以高純硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品，廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光。

ADCMP371: 推挽輸出級的通用型比較器

ADCMP370/ADCMP371均為通用型比較器,輸入失調(diào)電壓為6mV（最大值）。這些器件在-40°C至 85°C溫度范圍內(nèi)仍具有高性能,適合汽車及其它環(huán)境惡劣的高溫高熱應(yīng)用,而低功耗特性和節(jié)省空間的SC70封裝則使之成為電池供電便攜式設(shè)備的理想之選。ADCMP371為推挽輸出級,ADCMP370則為開漏輸出,通過一個外部電阻可以將輸出拉高至22V。

WCMP（Weight-CostMultipathRouting）加權(quán)多路徑，能夠非常靈活地按照比例在鏈路上傳遞流量，ECMP是它的特例。IGRP、EIGRP和部分靜態(tài)路由也支持WCMP。

IGRP和EIGRP通過Variance來設(shè)置可以負(fù)載均衡的鏈路。IGRP和EIGRP的命令格式如下：

variance multiplier

multiplier表示最優(yōu)Metric的倍數(shù)，所有從最優(yōu)Metric和multiplier×Metric值的路徑均是負(fù)載均衡的有效路徑。Multiplier可以在1－128之間，缺省情況下multiplier是1，即為ECMP。

遇到多路徑路由時(shí)，路由器的轉(zhuǎn)發(fā)引擎有兩種機(jī)制來實(shí)現(xiàn)負(fù)載分擔(dān)：

*基于數(shù)據(jù)流的負(fù)載分擔(dān)

*基于數(shù)據(jù)報(bào)文的負(fù)載分擔(dān)

目的地址和源地址相同的報(bào)文屬于一個數(shù)據(jù)流。所謂基于數(shù)據(jù)流的負(fù)載分擔(dān)，假定有10個數(shù)據(jù)流，有兩個路徑可選擇，一邊各走5個?；趫?bào)文的負(fù)載分擔(dān)就是，假定有10個數(shù)據(jù)報(bào)文，有兩個路徑可選擇，一邊各走5個。

可以通過表1中的命令來改變路由負(fù)載分擔(dān)的機(jī)制：

要想在靜態(tài)路由中實(shí)現(xiàn)WCMP，需要用表2中的命令：

靜態(tài)路由的weight權(quán)重缺省時(shí)值為1，權(quán)重參數(shù)是在靜態(tài)路由實(shí)現(xiàn)負(fù)載分擔(dān)時(shí)使用的一個參數(shù)，決定IP包負(fù)載分擔(dān)的比例。當(dāng)有兩條或兩條以上路由到達(dá)同一目的地址，但是下一跳不同的時(shí)候，路由器按照各條路由的權(quán)重比例轉(zhuǎn)發(fā)IP包，從而實(shí)現(xiàn)負(fù)載分擔(dān)的目的。