單質(zhì)硅(silicon atom),分子式為Si,主要用作制多晶硅、單晶硅、硅鋁合金及硅鋼合金的化合物。
中文名稱 | 單質(zhì)硅 | 英文名稱 | silicon atom |
---|---|---|---|
中文別名 | 硅粉;硅;硅片; | 英文別名 | porous silicon;silicon powder;Silicon; |
CAS號 | 7440-21-3 | 分子式 | Si |
分子量 | 28.09000 | 精確質(zhì)量 | 27.98000 |
PSA | 0.00000 | LogP | 0.00000 |
外觀與性狀:銀色-灰色固體
熔點:1410oC
密度:2.33
沸點:2355oC
是的,金剛石是由碳元素組成,又是純凈物,所以是單質(zhì)
取飽和態(tài)海水,依測定量攪拌中通入氯氣并過量約15%(必須在通風良好的環(huán)境中?。?,靜置(溴沉在底部),分離,提純即得。注意其中含有一定量的碘,當用物理方法純化,且重復幾次。提制過程中要有防毒面具,橡膠手...
我想問下,管道的單質(zhì)重量應(yīng)該怎么確定多少是KG呢?
很好算啊,你就計算下一個支架多種,一般都是根據(jù)管道規(guī)格計算40*4的角鐵重量,一個管道支架也就幾公斤,就按5KG以內(nèi)即可
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評分: 4.7
通過對 6 塊玻璃自爆殘片的電鏡觀察和成分分析,發(fā)現(xiàn)并證明了引起鋼化玻璃自爆的主要原因不僅僅是傳統(tǒng)認識中的硫化鎳(NiS)微粒,很多情況是由單質(zhì)硅微粒引起的。進一步對單質(zhì)硅微粒引起自爆的力學機理進行了分析和有限元模擬。結(jié)果顯示:由于單質(zhì)硅微粒周邊玻璃的切向應(yīng)力過大從而引起局部拉伸破壞并導致整體破裂,降溫過程可以使這種應(yīng)力增加并加大破裂危險。
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評分: 4.4
多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。
多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)主要為改良西門子法和硅烷法。西門子法通過氣相沉積的方式生產(chǎn)柱狀多晶硅,為了提高原料利用率和環(huán)境友好,在前者的基礎(chǔ)上采用了閉環(huán)式生產(chǎn)工藝即改良西門子法。該工藝將工業(yè)硅粉與HCl反應(yīng),加工成SiHCl3,再讓SiHCl3在H2氣氛的還原爐中還原沉積得到多晶硅。還原爐排出的尾氣H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2和HCl經(jīng)過分離后再循環(huán)利用。
改良西門子法多晶硅生產(chǎn)過程中,由還原爐產(chǎn)生的反應(yīng)尾氣,在尾氣回收工序經(jīng)過多級冷凝分離,液相氯硅烷隨同HCL吸收塔塔釜氯硅烷富液進入解析塔。解析塔塔頂解析出其中的HCL,送至三氯氫硅合成工序回收利用。塔釜采出的氯硅烷貧液一部分回到吸收塔作為吸收劑,一部分采出送至精餾工序。送至精餾工序的氯硅烷貧液中還原反應(yīng)副產(chǎn)物二氯二氫硅約占5%-7%。這部分二氯二氫硅伴隨氯硅烷進入精餾塔,與三氯氫硅一起從精餾塔塔頂采出,再回到還原爐進行還原反應(yīng)。
《基于改良西門子法的多晶硅生產(chǎn)方法及多晶硅生產(chǎn)設(shè)備》發(fā)明人發(fā)現(xiàn)2014年12月之前技術(shù)中至少存在如下問題:送至還原爐進行還原反應(yīng)的三氯氫硅中含有5%-7%的二氯二氫硅,最終會降低參與還原反應(yīng)三氯氫硅的純度,影響了三氯氫硅的一次轉(zhuǎn)化率,增加了多晶硅的生產(chǎn)成本。
第1章含硅材料1
11單質(zhì)硅1
111單質(zhì)硅的性質(zhì)1
112多晶硅的生產(chǎn)和純化2
113單晶硅的制備6
12二氧化硅和無機硅酸鹽材料 9
121二氧化硅 9
122無機硅酸鹽材料15
13有機硅材料22
參考文獻22
第2章有機硅的分類、命名和發(fā)展24
21有機硅化合物的發(fā)展史 24
22有機硅材料的分類和命名 26
23有機硅材料工業(yè)現(xiàn)狀 31
24有機硅材料技術(shù)發(fā)展動向 34
參考文獻36
第3章有機硅單體37
31含氯硅烷單體 37
311含氯硅烷單體的合成37
312含氯硅烷單體的品種和性質(zhì) 46
32環(huán)硅氧烷單體 47
33其他硅烷單體 48
參考文獻50
第4章有機聚硅氧烷高分子化合物的合成和性質(zhì)51
41有機聚硅氧烷高分子的合成 51
411縮聚反應(yīng) 51
412環(huán)硅氧烷的開環(huán)聚合反應(yīng) 54
413高分子量聚硅氧烷的合成工藝路線59
42有機聚硅氧烷高分子的基本性質(zhì) 63
421有機聚硅氧烷高分子的光譜性質(zhì) 63
422有機聚硅氧烷高分子的物理性質(zhì)63
423有機聚硅氧烷高分子的化學性質(zhì)65
參考文獻67
第5章硅油68
51硅油的簡介和分類 68
52線型硅油 69
521二甲基硅油的合成和性質(zhì) 69
522甲基苯基硅油的合成和性質(zhì) 72
523二乙基硅油的合成和性質(zhì) 73
524甲基含氫硅油的合成和性質(zhì) 74
525甲基羥基硅油的合成和性質(zhì) 75
53改性硅油 76
531氯苯基甲基硅油 76
532含氰硅油 77
533甲基三氟丙基硅油 77
534甲基長鏈烷基硅油 78
535環(huán)氧改性硅油 79
536氨烴基改性硅油 80
537羧酸改性硅油 81
538巰基改性硅油 82
539聚醚改性硅油 83
5310其他改性硅油 84
5311有機硅表面活性劑 84
54硅油的二次加工制品 85
541硅脂和硅膏 85
542有機硅乳液 88
55硅油及其二次加工制品的應(yīng)用 93
551有機硅消泡劑 93
552有機硅脫膜劑 97
553硅油織物整理劑 98
參考文獻103
第6章硅橡膠104
61硅橡膠的簡介、分類和基本性能 104
611概述104
612硅橡膠的基本性能 106
62高溫硫化硅橡膠 111
621高溫硫化硅橡膠的主要品種及分類111
622高溫硫化硅橡膠的硫化機理 113
623硅混煉膠的生產(chǎn)115
624高溫硅橡膠的硫化成型和應(yīng)用 120
63液體硅橡膠 122
631液體硅橡膠的組成和硫化123
632液體硅橡膠的硫化成型125
633液體硅橡膠的品種和應(yīng)用126
64室溫硫化硅橡膠126
641單組分室溫硫化硅橡膠127
642縮合型雙組分室溫硫化硅橡膠 132
643加成型室溫硫化硅橡膠134
65光固化硅橡膠 135
參考文獻137
第7章硅樹脂138
71硅樹脂的簡介、分類和基本性能 138
711硅樹脂的簡介138
712硅樹脂的分類139
713硅樹脂的基本性能142
72硅樹脂的制備145
721硅樹脂的單體和預(yù)聚 145
722縮合型硅樹脂的制備146
723過氧化物型和加成型硅樹脂的制備 149
724改性硅樹脂的制備149
73硅樹脂的主要產(chǎn)品151
731硅樹脂涂料152
732硅樹脂膠黏劑156
733有機硅塑料158
74溶膠凝膠技術(shù)160
741硅溶膠160
742硅凝膠164
743溶膠凝膠二氧化硅材料的應(yīng)用167
參考文獻168
第8章硅烷偶聯(lián)劑169
81硅烷偶聯(lián)劑的結(jié)構(gòu)和合成169
82硅烷偶聯(lián)劑的作用機理 172
83硅烷偶聯(lián)劑的用途和選擇 175
84硅烷偶聯(lián)劑的使用方法 178
841氣相沉積法178
842溶液沉積法178
843整體混合法179
參考文獻180
六方 β-Si3N4
可在1300-1400℃的條件下用單質(zhì)硅和氮氣直接進行化合反應(yīng)得到氮化硅:
3 Si(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s)也可用二亞胺合成
SiCl4(l) + 6 NH3(g) → Si(NH)2(s) + 4 NH4Cl(s) 在0 ℃的條件下3 Si(NH)2(s) → Si3N4(s) + N2(g) + 3 H2(g) 在1000 ℃的條件下或用碳熱還原反應(yīng)在1400-1450℃的氮氣氣氛下合成:
3 SiO2(s) + 6 C(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) + 6 CO(g)對單質(zhì)硅的粉末進行滲氮處理的合成方法是在二十世紀50年代隨著對氮化硅的重新"發(fā)現(xiàn)"而開發(fā)出來的。也是第一種用于大量生產(chǎn)氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料純度低會使得生產(chǎn)出的氮化硅含有雜質(zhì)硅酸鹽和鐵。用二胺分解法合成的氮化硅是無定形態(tài)的,需要進一步在1400-1500℃的氮氣下做退火處理才能將之轉(zhuǎn)化為晶態(tài)粉末,二胺分解法在重要性方面是僅次于滲氮法的商品化生產(chǎn)氮化硅的方法。碳熱還原反應(yīng)是制造氮化硅的最簡單途徑也是工業(yè)上制造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。
電子級的氮化硅薄膜是通過化學氣相沉積或者等離子體增強化學氣相沉積技術(shù)制造的:
3 SiH4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 H2(g)3 SiCl4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 HCl(g)3 SiCl2H2(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 6 HCl(g) + 6 H2(g)如果要在半導體基材上沉積氮化硅,有兩種方法可供使用:
氮化硅的晶胞參數(shù)與單質(zhì)硅不同。因此根據(jù)沉積方法的不同,生成的氮化硅薄膜會有產(chǎn)生張力或應(yīng)力。特別是當使用等離子體增強化學氣相沉積技術(shù)時,能通過調(diào)節(jié)沉積參數(shù)來減少張力。
先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅,然后同時利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細碳粒子的硅膠進行處理后得到氮化硅納米線。硅膠中的特細碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解產(chǎn)生的。合成過程中涉及的反應(yīng)可能是:
SiO2(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g)3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 CO(g) → Si3N4(s) + 3 CO2(g) 或3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 C(s) → Si3N4(s) + 3 CO(g)