多晶硅超聲波清洗機工藝流程

自動上料→去離子水 超聲波清洗 振動篩拋動→堿液 超聲波清洗 拋動→去離子水 超聲波清洗 拋動→堿液 超聲波清洗 拋動→堿液 超聲波清洗 拋動→去離子水 超聲波清洗 拋動 溢流→去離子水 超聲波清洗 拋動 溢流→自動下料

多晶硅超聲波清洗機具有以下特點：

1、械手或多機械手組合，實現(xiàn)工位工藝要求。

2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。

3、自動上下料臺，準確上卸工件。

4、凈化烘干槽，獨特的烘干前處理技術(shù)，工作干燥無水漬。

5、全封閉外殼與抽風系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。

6、具備拋動清洗功能，保證清洗均勻。

7、全封閉清洗均勻。

8、全封閉外殼與抽風系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。

多晶硅超聲波清洗要結(jié)構(gòu)特點：

1、采用三套獨立的電腦控制機械臂自動化作業(yè)

2、采用第三代最新技術(shù)，全面完善的防酸防腐措施，保護到機器每一個角落

3、最新全自動補液技術(shù)

4、獨特的硅片干燥前處理技術(shù)，保證硅片干燥不留任何水痕

5、成熟的硅片干燥工藝，多種先進技術(shù)集于一身

6、彩色大屏幕人機界面操作，方便參數(shù)設(shè)置多工藝方式轉(zhuǎn)換

多晶硅超聲波清洗加工設(shè)備，可廣泛用于IC生產(chǎn)及半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)中晶片的濕法化學(xué)工藝。該設(shè)備可有效去除晶片表面的有機物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。

爐前（RCA）清洗：擴散前清洗

光刻后清洗：除去光刻膠。

氧化前自動清洗：氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。

拋光后自動清洗：除去切、磨、拋的沾污。

外延前清洗：除去埋層擴散后的SiO2及表面污物。

合金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線后，表面雜質(zhì)及光膠殘渣。

離子注入后的清洗：除去光刻膠，SiO2層。

擴散預(yù)淀積后清洗：除去預(yù)淀積時的BSG和PSG。

CVD后清洗：除去CVD過程中的顆粒。

附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。

多晶硅超聲波清洗機具有以下特點：

1、械手或多機械手組合，實現(xiàn)工位工藝要求。

2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。

3、自動上下料臺，準確上卸工件。

4、凈化烘干槽，獨特的烘干前處理技術(shù)，工作干燥無水漬。

5、全封閉外殼與抽風系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。

6、具備拋動清洗功能，保證清洗均勻。

7、全封閉清洗均勻。

8、全封閉外殼與抽風系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。