多晶硅還原爐鐘罩清洗系統(tǒng)圖片
中文名 | 多晶硅還原爐鐘罩清洗系統(tǒng) | 適用范圍 | 全自動清洗和烘干 |
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工作原理 | 用高純水沖洗,完成清洗過程 | 系統(tǒng)特點 | 節(jié)能、環(huán)保、安全 |
多晶硅項目的多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測
高純多晶硅是電子工業(yè)和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)原料,在未來的50年里,還不可能有其他材料能夠替代硅材料而成為電子和光伏產(chǎn)業(yè)主要原材料。隨著信息技術(shù)和太陽能產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,全球?qū)Χ嗑Ч璧男枨笤鲩L迅猛,市場供...
該設(shè)備是專為太陽能工業(yè)設(shè)計的專用設(shè)備,使多晶硅鑄錠的必需設(shè)備。該型設(shè)備能自動或手動完成鑄錠過程,高效節(jié)能,運用先進的計算機控制技術(shù),實現(xiàn)穩(wěn)定定向凝固,生產(chǎn)的多晶硅硅錠質(zhì)量高,規(guī)格大。 該型設(shè)備的優(yōu)點有...
多晶硅分為電子級和太陽能級。先說太陽能級的,是作為太陽能產(chǎn)業(yè)鏈的原料,用于鑄錠或拉單晶硅棒,在切成硅片,生產(chǎn)成太陽能電池板,就是衛(wèi)星、空間站上的太陽能帆板,大部分還是用在建太陽能電站了,國內(nèi)的太陽能電...
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介紹多晶硅生產(chǎn)裝置碳鋼管道的酸洗、脫脂和鈍化等,分析管道及管件在清洗過程中所遇到現(xiàn)場保護的問題,并提出了改進措施。
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CIP(清洗系統(tǒng)) Clean In Place 的縮寫,原位清洗(在線清洗、就地清洗), CIP 系統(tǒng)。 CIP 清洗即 CLEAN IN PLACE( 原位清洗 )。 CIP 清洗即不分解生產(chǎn)設(shè)備,又可用簡單操作方法安全自動的 清洗系統(tǒng) ,幾乎 被引進到所有的食品,飲料及制藥等工廠。 CIP 清洗不僅能清洗機器,而且還能控 制微生物。 CIP 清洗技術(shù)已經(jīng)很廣泛的應(yīng)用在先進的食品行業(yè),比如酵母行業(yè)的龍頭企業(yè) 安琪酵母 ,就是采用的全套 CIP 清洗程序進行管道和罐子的清洗的。 CIP 清洗裝置其有以下的優(yōu)點: 1.能使生產(chǎn)計劃合理化及提高生產(chǎn)能力。 2.與手洗相比較,不但沒有因作業(yè)者之差異而影響清洗效果,還能提高其產(chǎn) 品質(zhì)量。 3.能防止清洗作業(yè)中的危險,節(jié)省勞動力。 4.可節(jié)能清洗劑、蒸汽、水及生產(chǎn)成本。 5、能增加機器部件的使用年限。 醫(yī)藥行業(yè)中 CIP 還與 WIP(wash i
圖1是根據(jù)《一種多晶硅還原爐》的一個實施例的多晶硅還原爐的示意圖;
圖2是根據(jù)《一種多晶硅還原爐》的另一實施例的多晶硅還原爐的示意圖。
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《一種多晶硅還原爐》的目的在于提出一種可以降低能耗并且可以提高產(chǎn)量的多晶硅還原爐。
根據(jù)《一種多晶硅還原爐》實施例的多晶硅還原爐,包括:底盤和爐體,所述爐體連接在所述底盤上且在所述爐體與所述底盤之間限定出反應(yīng)腔室;四十八對電極,所述四十八對電極設(shè)在所述底盤上且分別分布在第一、第二、第三和第四圓周,所述第一、第二、第三和第四圓周為以所述底盤中心為圓心且半徑依次增大的同心圓周;進氣系統(tǒng),所述進氣系統(tǒng)包括設(shè)在所述底盤中部的多個噴嘴;和排氣系統(tǒng),所述排氣系統(tǒng)包括多個排氣口,所述排氣口設(shè)在所述底盤上且位于所述第四圓周與所述爐體之間。
根據(jù)該發(fā)明實施例的多晶硅還原爐,所述四十八對電極設(shè)在所述底盤上且分別分布在第一、第二、第三和第四圓周,由此,可以合理利用熱能,同時也可以避免爐體內(nèi)側(cè)壁帶走過多熱量,可以降低熱量損耗。
另外,根據(jù)該發(fā)明上述實施例的多晶硅還原爐還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐,在所述第一、第二、第三和第四圓周上沿圓周方向依次均勻分布有六對、十對、十四對和十八對電極。電極如此布置,可以最大程度的合理利用熱能。
根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐,所述多個噴嘴分別分布于第五、第六、第七和第八圓周上,所述第五、第六、第七和第八圓周均以所述底盤中心為圓心且分別位于所述第一圓周之內(nèi)和第一與第二圓周、第二與第三圓周以及第三與第四圓周之間。由此,可以使工藝氣體在所述反應(yīng)腔室內(nèi)均勻分布,可以提高單爐產(chǎn)量。
有利地,根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐,所述多個噴嘴的數(shù)量為二十四個,其中在所述第五和第六圓周上分別均勻分布有四個噴嘴,第七和第八圓周上分別均勻分布有八個噴嘴。由此,可以使所述多個噴嘴的布局更為合理,可以有效地與所述四十八對電極相配合。
進一步地,根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐,所述進氣系統(tǒng)還包括:進氣環(huán)管,所述進氣環(huán)管位于所述底盤下方且與外部氣源相連通;二十四個進氣管,所述二十四個進氣管分別與所述二十四個噴嘴一一對應(yīng)且所述二十四個噴嘴通過所述二十四個進氣管與所述進氣環(huán)管相連接。由此,可以使每個所述噴嘴的進氣量都保持一致。
根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐,所述多個排氣口的數(shù)量為八個。由此,可以使反應(yīng)尾氣及時排出。
根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐,所述底盤內(nèi)形成有第一冷卻腔,且所述第一冷卻腔具有第一冷卻介質(zhì)進口和多個第一冷卻介質(zhì)出口,所述第一冷卻介質(zhì)進口位于所述底盤的中央,而所述多個第一冷卻介質(zhì)出口與所述多個排氣口一一對應(yīng)設(shè)置,每個所述第一冷卻介質(zhì)出口連接有第一冷卻管且每個所述排氣口連接有尾氣管,所述第一冷卻管套設(shè)在所述尾氣管上。由此,可以改善生產(chǎn)條件,可以保證安全生產(chǎn)。
根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐,所述爐體內(nèi)設(shè)有第二冷卻腔且所述第二冷卻腔連接有第二冷卻介質(zhì)進口和第二冷卻介質(zhì)出口,所述第二冷卻介質(zhì)進口位于所述爐體的底部且所述第二冷卻介質(zhì)出口位于所述爐體的頂部,所述第二冷卻腔內(nèi)設(shè)有多個隔流擋板,所述多個隔流擋板在所述第二冷卻腔內(nèi)由下至上繞所述反應(yīng)腔室呈螺旋狀分布。由此,可以改善生產(chǎn)條件,可以保證安全生產(chǎn)。
根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐,所述爐體包括位于下部的筒體和設(shè)在所述筒體頂端的封頭,所述封頭為中空半球體。由此,可以減小上升氣流在所述反應(yīng)腔室頂部的上升阻力。
有利地,根據(jù)該發(fā)明一個實施例的多晶硅還原爐,所述爐體上還設(shè)有多個觀察鏡,所述多個觀察鏡在所述筒體的高度方向上均勻分布成多排且所述多個觀察鏡沿所述筒體的周向均勻分布。由此,可以及時觀察所述反應(yīng)腔室內(nèi)的情況。
該發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過該發(fā)明的實踐了解到。
根據(jù)《一種多晶硅還原爐》實施例的多晶硅還原爐,可以合理利用熱能,同時也可以避免爐體內(nèi)側(cè)壁帶走過多熱量,可以降低熱量損耗。
2020年7月,《一種多晶硅還原爐》獲得第二十一屆中國專利銀獎。