(1) 極限真空為3×10-4 Pa;在真空室下方設(shè)一個(gè)氣體截流閥,截流閥連續(xù)可調(diào),控制反應(yīng)室的工作氣壓。襯底可升降200mm,襯底旋轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速為30~60轉(zhuǎn)/分;基片加熱為700±1℃; (2) 噴淋頭分為三層結(jié)構(gòu),上部水冷,噴口處要求絕緣;Zn源管可拆卸,便于清洗, Zn源管與O源孔位的加工,必須使布?xì)饩鶆?四周有石英罩,距樣品臺(tái)邊緣距離20-30mm,電離電極側(cè)進(jìn)口。
薄膜材料。
國(guó)內(nèi)外企業(yè)利用低溫等離子體技術(shù)在環(huán)保方面開(kāi)發(fā)出了“低溫等離子體有機(jī)廢氣凈化設(shè)備”、“低溫等離子體廢水凈化設(shè)備”及“低溫等離子體汽車尾氣凈化技術(shù)”。1、低溫等離子體在保鮮、殺菌、除臭等方面產(chǎn)品開(kāi)發(fā),目前...
低溫等離子體物理與技術(shù)經(jīng)歷了一個(gè)由60年代初的空間等離子體研究向80年代和90年代以材料為導(dǎo)向研究領(lǐng)域的大轉(zhuǎn)變,高速發(fā)展的微電子科學(xué)、環(huán)境科學(xué)、能源與材料科學(xué)等,為低溫等離子體科學(xué)發(fā)展帶來(lái)了新的機(jī)遇和...
等離子體聚合物在結(jié)構(gòu)上與普通的聚合物顯著不同,它能形成含有活性基團(tuán)的高度交聯(lián)的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),從而具有良好的均勻性及對(duì)基質(zhì)的附著性[1,2].有關(guān)采用等離子體聚合膜的TSM傳感器的報(bào)道不多[3,4],本室已...
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評(píng)分: 4.5
介紹了采用90°螺旋管的過(guò)濾真空弧等離子體沉成膜系統(tǒng),對(duì)磁過(guò)濾管道的傳輸特性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究,實(shí)驗(yàn)觀察到,弧源聚焦磁場(chǎng)和過(guò)濾管道正偏壓越高,過(guò)濾管道的傳輸效率越高,但聚焦磁場(chǎng)高過(guò)一定閾值時(shí),會(huì)出現(xiàn)起弧不穩(wěn)現(xiàn)象,此閾值的大小同過(guò)濾管道磁場(chǎng)及偏壓的大小有關(guān),過(guò)濾管道正偏壓在40 ̄60V范圍內(nèi),管道磁場(chǎng)在7 ̄11mT時(shí)傳輸效率較高,偏壓越高達(dá)到最佳傳輸效率所需的過(guò)濾管道磁場(chǎng)越高。
低溫成膜,溫度對(duì)基片影響小,可制備厚膜,膜層成分均勻;等離子體對(duì)基片有清洗作用;該設(shè)備主要應(yīng)用等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù),用來(lái)制作SiO2、SiN4、非品Si等介電、半導(dǎo)體及金屬膜。
直徑450*H400mm,真空極限優(yōu)于6.7*10-5Pa,頻率13.56MHz.低溫成,溫度對(duì)基片影響小,可制備厚膜,膜層成分均勻,等離子體對(duì)基片有清洗作用。
低溫工藝,可在溫室下進(jìn)行SiO2淀積。