《電能計量芯片降低功耗的方法》有關(guān)一種降低功耗的方法,特別是指應(yīng)用于電能計量芯片中,用來降低電能計量芯片的功耗的方法。
圖1為實施《電能計量芯片降低功耗的方法》的電能計量芯片降低功耗的方法的流程圖。
《電能計量芯片降低功耗的方法》的目的在于提供一種能涵蓋該系統(tǒng)芯片的各個工作狀態(tài),以達到降低功耗的電能計量芯片降低功耗的方法。
實施《電能計量芯片降低功耗的方法》的電能計量芯片降低功耗的方法,該電能計量芯片設(shè)有兩個時鐘域,其中該電能計量芯片的CPU位于時鐘域一,并且該電能計量芯片還包括計量電路,計量電路包括功率有效值計算電路與能量累加電路,該二電路均位于時鐘域二,時鐘域一選擇使用低頻時鐘與高頻時鐘,并可停止動作并維持恒定電平,時鐘域二選擇使用低頻時鐘、降頻時鐘及高頻時鐘,并可停止動作維持恒定電平,并且該電能計量芯片可選擇通過電池或電力線供電,該方法包括如下步驟:
電能計量芯片判斷是通過電池還是電力線供電;
如果該電能計量芯片通過電池供電,則計量電路檢測電壓輸入信號的有效值是否小于一設(shè)定閾值,同時電流輸入信號的有效值是否大于一設(shè)定閾值?如是,則令時鐘域一使用高頻時鐘,時鐘域二使用高頻時鐘,計量電路計算電流輸入的電流有效值,并把得到的電流有效值設(shè)定為能量累加電路的固定輸入,并通過寄存器設(shè)定使功率有效值計算電路中的所有觸發(fā)器輸入不發(fā)生變化,之后令時鐘域一停止動作維持恒定電平;如否,則令時鐘域一和時鐘域二停止動作維持恒定電平;
如果該電能計量芯片是通過電力線供電,則計量電路檢測電壓輸入信號的有效值是否小于某個閾值,如是則時鐘域一使用介于低頻時鐘與高頻時鐘之間的時鐘,而時鐘域二使用降頻時鐘;如否,則進入正常工作模式,時鐘域一與二均使用高頻時鐘。
依據(jù)上述主要特征,時鐘域一與時鐘域二停止動作維持恒定電平之后,芯片持續(xù)判斷是否有恢復(fù)供電復(fù)位或者IO休眠喚醒復(fù)位發(fā)生,如有則返回判斷該電能計量芯片是通過電池還是電力線供電,如否則時鐘域與與時鐘域二保持停止動作并維持恒定電平。
依據(jù)上述主要特征,時鐘域一與時鐘域二保持停止動作并維持恒定電平狀態(tài)達到一定時間后,發(fā)生定時復(fù)位喚醒,重復(fù)休眠前的操作,并再次進入保持停止動作并維持恒定電平狀態(tài),上述循環(huán)重復(fù)達到預(yù)設(shè)的次數(shù)后,則芯片進入深休眠狀態(tài),即只有電池供電變?yōu)檎9╇娕c系統(tǒng)芯片的IO輸入發(fā)生變化才令芯片喚醒復(fù)位。
依據(jù)上述主要特征,在時鐘域一使用高頻時鐘,時鐘域二使用高頻時鐘,計量電路計算電流輸入的電流有效值,并把得到的電流有效值設(shè)定為能量累加電路的固定輸入,并通過寄存器設(shè)定使功率有效值計算電路中的所有觸發(fā)器輸入不發(fā)生變化,之后令時鐘域一停止動作維持恒定電平后,系統(tǒng)持續(xù)判斷是否有恢復(fù)供電復(fù)位或者IO休眠喚醒復(fù)位或者定時休眠喚醒復(fù)位發(fā)生,如有則返回判斷該電能計量芯片是通過電池還是電力線供電,如否則重復(fù)上述過程。
依據(jù)上述主要特征,該芯片使用一個輸入引腳來判斷當(dāng)前的供電狀態(tài),定義PWRUP信號標(biāo)志為從這個輸入引腳得到的供電狀態(tài),PWRUP=0表示芯片由電池供電,PWRUP=1表示芯片由電力線供電。
依據(jù)上述主要特征,時鐘域一的低頻時鐘為32768赫茲、高頻時鐘為32768xN,其中N為PLL倍頻系數(shù),N的典型值為100,時鐘域二的低頻時鐘為32768赫茲、降頻時鐘為204800赫茲、高頻時鐘為819200赫茲,典型值為32768x100。
依據(jù)上述主要特征,如果該電能計量芯片是通過電力線供電,且計量電路檢測電壓輸入信號的有效值小于某個閾值,則時鐘域一使用32768xN赫茲時鐘,其中N<100,典型值為32768x25赫茲。
依據(jù)上述主要特征,如果該電能計量芯片是通過電力線供電,且計量電路檢測電壓輸入信號的有效值小于某個閾值,在CPU處理任務(wù)的空閑時刻,時鐘域一的所有觸發(fā)器的輸入都不再發(fā)生變化,直到有其他任務(wù)時,時鐘域一才退出上述狀態(tài)。
依據(jù)上述主要特征,芯片進入正常工作模式時,時鐘域一使用3.2768兆赫時鐘。
《電能計量芯片降低功耗的方法》通過為電能計量系統(tǒng)芯片設(shè)置多種時鐘狀態(tài),并根據(jù)系統(tǒng)芯片當(dāng)前的供電狀態(tài)以及休眠喚醒復(fù)位的產(chǎn)生來源進行時鐘狀態(tài)的轉(zhuǎn)換,從而利于降低電能計量系統(tǒng)芯片的功耗。
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CMOS電路中,有三部分功耗來源,即Ptotal=Pswitching Pshort Pleakage。其中Ptotal是一個CMOS電路的總功耗,Pswitching是開關(guān)功耗,大小取決于負載電容的充放電;Pleakage是漏電功耗。截至2011年5月,芯片中最主要的功耗是開關(guān)功耗,但是隨著低閾值電壓技術(shù)在低功耗設(shè)計中的應(yīng)用,短路功耗和漏電功耗也會變得越來越重要。
其中開關(guān)功耗Pswitching=VDD×fclk×ΣαiCLiΔVi,VDD是電源電壓;fclk是時鐘頻率;如果一個電路包含n個結(jié)點,ai是每秒鐘信號變化的次數(shù),即開關(guān)活動因子;CLi是結(jié)點電容;ΔVi是結(jié)點i的電壓變化幅度。
短路功耗發(fā)生在信號的翻轉(zhuǎn)瞬間,當(dāng)輸入信號的值在|Vth|和VDD-|Vtp|之間的時候,PMOS和NMOS同時導(dǎo)通,造成VDD到GND的短路電流。短路功耗可以表示為Pshort=VDDIshort,Ishort為短路電流。
漏電流功耗Pleakage=VDDIleakage,Ileakage是CMOS電路的漏電流,主要由亞閾值效應(yīng)以及漏源區(qū)與襯底反向偏置而引起的。對于深亞微米應(yīng)用,這一項尤其重要。
從上述分析可以知道,功耗與很多因素相關(guān),如開關(guān)活動因子、等效電容、電源電壓、工作頻率、短路電流、漏電流等。低功耗的設(shè)計方法就是從這幾個基本因素出發(fā),分別降低這些影響因素以便達到降低功耗的目的。
在電能表系統(tǒng)應(yīng)用中,對整機的功耗有著嚴格的規(guī)定,例如在電池供電的情況下,要求能夠工作5年以上。在電能表的系統(tǒng)芯片解決方案中,整機的功耗主要來自計量系統(tǒng)芯片,因此需要設(shè)計一種方法能涵蓋該系統(tǒng)芯片的各個工作狀態(tài),以達到降低功耗的目的。
1.一種電能計量芯片降低功耗的方法,該電能計量芯片設(shè)有兩個時鐘域,其中該電能計量芯片的CPU位于時鐘域一,并且該電能計量芯片還包括計量電路,計量電路包括功率有效值計算電路與能量累加電路,該二電路均位于時鐘域二,時鐘域一選擇使用低頻時鐘與高頻時鐘,并可停止動作并維持恒定電平,時鐘域二選擇使用低頻時鐘、降頻時鐘及高頻時鐘,并可停止動作維持恒定電平,并且該電能計量芯片可選擇通過電池或電力線供電,該方法包括如下步驟:電能計量芯片判斷是通過電池還是電力線供電;如果該電能計量芯片通過電池供電,則計量電路檢測電壓輸入信號的有效值是否小于一設(shè)定閾值,同時電流輸入信號的有效值是否大于一設(shè)定閾值;如是,則令時鐘域一使用高頻時鐘,時鐘域二使用高頻時鐘,計量電路計算電流輸入的電流有效值,并把得到的電流有效值設(shè)定為能量累加電路的固定輸入,并通過寄存器設(shè)定使功率有效值計算電路中的所有觸發(fā)器輸入不發(fā)生變化,之后令時鐘域一停止動作維持恒定電平;如否,則令時鐘域一和時鐘域二停止動作維持恒定電平;如果該電能計量芯片是通過電力線供電,則計量電路檢測電壓輸入信號的有效值是否小于某個閾值,如是則時鐘域一使用32768xN赫茲時鐘,其中N<100,而時鐘域二使用降頻時鐘;如否,則進入正常工作模式,時鐘域一與二均使用高頻時鐘。
2.如權(quán)利要求1所述的電能計量芯片降低功耗的方法,其特征在于:時鐘域一與時鐘域二停止動作維持恒定電平之后,芯片持續(xù)判斷是否有恢復(fù)供電復(fù)位或者IO休眠喚醒復(fù)位發(fā)生,如有則返回判斷該電能計量芯片是通過電池還是電力線供電,如否則時鐘域一與時鐘域二保持停止動作并維持恒定電平。
3.如權(quán)利要求1所述的電能計量芯片降低功耗的方法,其特征在于:在時鐘域一使用高頻時鐘,時鐘域二使用高頻時鐘,計量電路計算電流輸入的電流有效值,并把得到的電流有效值設(shè)定為能量累加電路的固定輸入,并通過寄存器設(shè)定使功率有效值計算電路中的所有觸發(fā)器輸入不發(fā)生變化,之后令時鐘域一停止動作維持恒定電平后,系統(tǒng)持續(xù)判斷是否有恢復(fù)供電復(fù)位或者IO休眠喚醒復(fù)位或者定時休眠喚醒復(fù)位發(fā)生,如有則返回判斷該電能計量芯片是通過電池還是電力線供電,如否則重復(fù)上述過程。
4.如權(quán)利要求1所述的電能計量芯片降低功耗的方法,其特征在于:該芯片使用一個輸入引腳來判斷當(dāng)前的供電狀態(tài),定義PWRUP信號標(biāo)志為從這個輸入引腳得到的供電狀態(tài),PWRUP=0表示芯片由電池供電,PWRUP=1表示芯片由電力線供電。
5.如權(quán)利要求1所述的電能計量芯片降低功耗的方法,其特征在于:時鐘域一的低頻時鐘為32768赫茲、高頻時鐘為32768xN,其中N為PLL倍頻系數(shù),時鐘域二的低頻時鐘為32768赫茲、降頻時鐘為204800赫茲、高頻時鐘為819200赫茲。
6.如權(quán)利要求5所述的電能計量芯片降低功耗的方法,其特征在于:時鐘域一的高頻時鐘的典型值為32768x100。
7.如權(quán)利要求1所述的電能計量芯片降低功耗的方法,其特征在于:如果該電能計量芯片是通過電力線供電,且計量電路檢測電壓輸入信號的有效值小于某個閾值,則時鐘域
一使用32768x25赫茲時鐘。
8.如權(quán)利要求1所述的電能計量芯片降低功耗的方法,其特征在于:如果該電能計量芯片是通過電力線供電,且計量電路檢測電壓輸入信號的有效值小于某個閾值,在CPU處理任務(wù)的空閑時刻,時鐘域一的所有觸發(fā)器的輸入都不再發(fā)生變化,直到有其他任務(wù)時,時鐘域一才退出上述狀態(tài)。
9.如權(quán)利要求1所述的電能計量芯片降低功耗的方法,其特征在于:芯片進入正常工作模式時,時鐘域一使用3.2768兆赫時鐘。
為了實現(xiàn)降低功耗的目的,《電能計量芯片降低功耗的方法》為電能計量系統(tǒng)芯片設(shè)置多種時鐘狀態(tài),并根據(jù)系統(tǒng)芯片當(dāng)前的供電狀態(tài)以及休眠喚醒復(fù)位的產(chǎn)生來源進行時鐘狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。
在本實施例中,使用系統(tǒng)芯片的一個輸入引腳來判斷當(dāng)前的供電狀態(tài),定義PWRUP信號標(biāo)志為從這個輸入引腳得到的供電狀態(tài),PWRUP=0表示芯片由電池供電,PWRUP=1表示芯片由電力線供電,即正常供電。
系統(tǒng)芯片內(nèi)部設(shè)置兩個時鐘域,CPU位于時鐘域1,而計量電路包括功率有效值計算電路與能量累加電路,該二電路均位于時鐘域2,兩個時鐘域分別使用獨立的時鐘。每個時鐘域的時鐘都可以由CPU運行的控制軟件分別進行控制,時鐘域1可以使用32768赫茲(低頻時鐘)以及32768xN(N為PLL倍頻系數(shù),N的典型值為100)赫茲(高頻時鐘),并可以被門控,即時鐘域1的時鐘停止動作,維持一個恒定電平。時鐘域2可以使用32768赫茲(低頻時鐘)、204800赫茲(降頻時鐘)、819200赫茲(高頻時鐘),并可以被門控,即時鐘域2的時鐘停止動作,維持一個恒定電平。關(guān)于門控時鐘的過程,具體原理如下:
1.程序或者某個動作觸發(fā)電路寫入一個控制寄存器;
2.電路查找時鐘的上升沿;
3.由于上升沿是從低電平到高電平的一個過程,電路在檢測到時鐘的上升沿后,等待適當(dāng)?shù)难訒r以便時鐘的電平變化過程穩(wěn)定,然后電路根據(jù)此寄存器的值輸出一個高電平或者低電平;
4.此高電平或者低電平與時鐘信號進行“或操作”,輸出的信號作為門控之后的信號;
5.如上所述,當(dāng)控制寄存器的值無效的時候,門控電路輸出的是低電平,和時鐘信號進行或操作后,時鐘信號依然保持原來的頻率,只是相位稍有延遲;當(dāng)控制寄存器的值有效的時候,門控電路輸出的是高電平,和時鐘信號進行或操作后,輸出的時鐘信號變?yōu)楹愣ǖ母唠娖?,即被門控。
在系統(tǒng)芯片上電復(fù)位后的初始狀態(tài)下,時鐘域1使用32768赫茲時鐘,時鐘域2使用32768赫茲時鐘。
在PWRUP=0的情況下,時鐘域1可以使用低頻時鐘、高頻時鐘、或者被門控;時鐘域2可以使用低頻時鐘、降頻時鐘、高頻時鐘、或者被門控。在PWRUP=1的情況下,時鐘域1可以使用低頻時鐘、高頻時鐘,但是不能被門控;時鐘域2可以使用低頻時鐘、降頻時鐘、高頻時鐘,但是也不能被門控。
定義時鐘域1被門控的狀態(tài)為芯片的休眠狀態(tài),而休眠狀態(tài)又分為淺休眠和深休眠兩種狀態(tài)。在淺休眠狀態(tài)下,當(dāng)PWRUP從0變?yōu)?(電池供電變?yōu)檎9╇姡O事件(系統(tǒng)芯片的IO輸入發(fā)生變化)或者休眠達到一定時間(對進入休眠狀態(tài)的時間進行計時,達到某個閾值)都可以產(chǎn)生一個喚醒復(fù)位,從而使芯片回到初始狀態(tài)。在深休眠狀態(tài)下,只有PWRUP從0變?yōu)?(電池供電變?yōu)檎9╇姡O事件(系統(tǒng)芯片的IO輸入發(fā)生變化)可以產(chǎn)生喚醒復(fù)位,休眠時間不能作為產(chǎn)生喚醒復(fù)位的依據(jù)。
在時鐘域1的時鐘不被門控的情況下,通過寄存器設(shè)定使時鐘域1中的所有觸發(fā)器的輸入都不再發(fā)生變化,定義這種狀態(tài)為時鐘域1的掛起狀態(tài)。
時鐘域2中的電路分為兩個部分,功率/有效值計算電路以及能量累加電路。在時鐘域2的時鐘不被門控的情況下,通過寄存器設(shè)定使功率/有效值計算電路中的所有觸發(fā)器的輸入都不再發(fā)生變化,并可以設(shè)定能量累加電路的輸入為某個固定值,定義這種狀態(tài)為時鐘域2的常量計量狀態(tài)。
參閱圖1所示,為實施《電能計量芯片降低功耗的方法》的電能計量芯片降低功耗的方法的流程圖,該方法包括如下步驟:
步驟100:判斷PWRUP是否為0?
步驟101:如是,則判斷計量電路檢測電壓輸入信號的有效值是否小于某個閾值,并且電流輸入信號的有效值是否大于某個閾值?
如是,則進入步驟102,即進入淺休眠與常量計量模式,之后持續(xù)判斷是否有恢復(fù)供電復(fù)位或者IO休眠喚醒復(fù)位或者定時休眠喚醒復(fù)位發(fā)生,即步驟105,如有則回到步驟100,如否則保持為淺休眠與常量計量模式。其中淺休眠與常量計量模式是指時鐘域1使用高頻時鐘,時鐘域2使用高頻時鐘,計量電路計算電流輸入的電流有效值,并把得到的電流有效值設(shè)定為能量累加電路的固定輸入,并通過寄存器設(shè)定使功率有效值計算電路中的所有觸發(fā)器輸入不發(fā)生變化,即時鐘域2進入常量計量狀態(tài),之后令時鐘域一停止動作維持恒定電平,即芯片進入淺休眠狀態(tài)。此特別適用于在某些竊電行為發(fā)生的時候,電流互感器產(chǎn)生的功率太小不足以讓芯片工作,或者電能表中不存在電流互感器元件,或者為正常的停電狀態(tài),此時芯片完全由電能表中的電池供電。設(shè)時鐘域1使用高頻時鐘的時間為t(即計算獲得電流有效值的時間),保持淺休眠狀態(tài)的時間為T。由于能量累加電路相比功率/有效值計算電路面積極小,其功耗相比也可以忽略,且時鐘域2進入常量計量狀態(tài)后,僅有與時鐘電路相關(guān)的功耗,其功耗也可以忽略的情況下,則芯片的平均功耗為(Pswitching Pshort)t/T Pleakage。
如否,則進入庫存模式,即步驟103,之后持續(xù)判斷是否有恢復(fù)供電復(fù)位或者IO休眠喚醒復(fù)位發(fā)生,即步驟104,如有則回到步驟100,如否則保持為庫存模式。其中在庫存模式,系統(tǒng)門控時鐘域2的時鐘,并使芯片進入淺休眠狀態(tài),即此時時鐘域1與時鐘域2均被門控,處于停止動作維持恒定電平狀態(tài)。休眠達到一定時間后,發(fā)生定時復(fù)位喚醒,重復(fù)休眠前的操作,并再次進入淺休眠。上述循環(huán)重復(fù)達到預(yù)設(shè)的次數(shù)后,如果在之前的過程中始終沒有發(fā)生PWRUP從0變?yōu)?或者IO事件或者計量電路檢測電壓和電流輸入的有效值超出閾值的事件,則門控時鐘域2的時鐘,使芯片進入深休眠狀態(tài)。在庫存模式下,只有恢復(fù)供電或者發(fā)生IO事件才能使芯片離開庫存狀態(tài),否則,芯片會一直處于深休眠狀態(tài),維持在極低功耗的狀態(tài)。在庫存模式下,Pswitching=VDD×fclk×ΣαiCLiΔVi中的fclk為0,Pswitching為0,從而Pshort也為0,芯片只剩下Pleakage。根據(jù)芯片的制造工藝,整個芯片的漏電流維持在幾百納安培。
當(dāng)在步驟100中判斷PWRUP不為0時,計量電路檢測電壓輸入信號的有效值是否小于某個閾值,即步驟106。
如是,則進入降頻工作模式,即步驟108。其中降頻工作模式時,因PWRUP=1,根據(jù)芯片時鐘狀態(tài)的描述,時鐘域1和時鐘域2都不能被門控。為了降低功耗,時鐘域1使用32768xN(N<100,N的典型值為25)赫茲時鐘,時鐘域2使用降頻時鐘。并且在CPU處理任務(wù)的空閑時刻,時鐘域1進入掛起狀態(tài),直到有其他應(yīng)該處理的任務(wù)的時候(例如中斷或者定時達到預(yù)設(shè)閾值),時鐘域1才退出掛起狀態(tài)。即在降頻模式下,時鐘域1和時鐘域2降低了工作頻率,時鐘域2中的電路正常工作,正常計量電量。時鐘域1中的電路間歇性的對外界事件做出響應(yīng)。此適用于發(fā)生竊電行為且電壓輸入信號為0的時候,電能表里面的電流互感器能夠產(chǎn)生感應(yīng)電壓,并為芯片供電。由于電流互感器產(chǎn)生的功率有限,不足以支持芯片的正常功耗,所以要求此時芯片能夠工作,但是可以降低計量精度以及處理任務(wù)的能力。在降頻工作模式下,Pswitching=VDD×fclk×ΣαiCLiΔVi中的fclk降為正常狀態(tài)下的1/4,且時鐘域1中的大部分ai在掛起狀態(tài)下為0,只有與時鐘相關(guān)的電路的ai不等于0,從而時鐘域1中的大部分電路的Pswitching為0,從而相關(guān)的Pshort也為0。芯片只剩下Pleakage、降低為正常狀態(tài)下1/4的時鐘域2的Pswithcing,以及時鐘域1中的前述的相關(guān)功耗。
如否,則進入正常工作模式,即步驟107,在正常工作模式下,時鐘域1使用3.2768兆赫時鐘(即N=100),時鐘域2使用819200赫茲時鐘,所有的電路均處于正常翻轉(zhuǎn)狀態(tài),即Pswitching中的f,ai,deltavi均為正常值,時鐘電路的功耗也處于正常狀態(tài)。
從以上的描述中可以看出,在休眠狀態(tài)下f為0,Pswitching=0,且時鐘電路功耗也為0,而在掛起狀態(tài)下,ai為0,Pswitching=0,僅存在時鐘電路功耗;在降頻模式下,功耗會根據(jù)降頻倍數(shù)成倍降低,從而可以有效在降低該電能計量芯片的功耗。
2016年12月7日,《電能計量芯片降低功耗的方法》獲得第十八屆中國專利優(yōu)秀獎。 2100433B
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文中簡要介紹了無磁計量芯片的基本構(gòu)成,重點研究了輸入模塊的工作原理和設(shè)計方法,分析了一般傳感器的原理及局限性,建立了無磁傳感器模型,采用兩級遲滯比較器的基本結(jié)構(gòu)設(shè)計了具有低功耗特點的輸入比較器模塊,通過適時關(guān)閉比較器使其進入休眠模式,以及合理的安排時序關(guān)系來降低整個輸入模塊的平均功耗。經(jīng)過仿真得到模擬比較器的增益為55dB,帶寬達到1.2MHz,滿足了1MHz的工作速度,同時靜態(tài)功耗降到7.29μW,實現(xiàn)了低功耗的目的。最終經(jīng)過流片測試,電路工作正常。
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隨著電力供應(yīng)市場化的逐步深入和計算機網(wǎng)絡(luò)的快速發(fā)展,為了緩解電力供應(yīng)緊張的現(xiàn)狀,全世界均在大力推廣分時電價。而含復(fù)費率計算的多功能電力儀表也成為了電能表新的發(fā)展趨勢和需求熱點。電子式多功能網(wǎng)絡(luò)電力儀表主要針對國內(nèi)市場三相用電的工業(yè)用戶。隨著電力行業(yè)改革深入,
來源:內(nèi)容來自超能網(wǎng),謝謝。
在7nm節(jié)點,臺積電已經(jīng)是雄心勃勃,除了AMD官方提到的7nm Vega芯片之外,臺積電還手握50多個7nm芯片流片,新工藝性能可提升35%或者功耗降低65%,未來升級到5nm之后性能還能再提升15%,功耗降低20%。
英特爾在14nm、10nm工藝上的難產(chǎn)給了其他半導(dǎo)體公司趕超的機會,由于2019年之前都無法推出10nm芯片,而三星、臺積電的7nm工藝今年就會量產(chǎn)了,這一輪競爭中英特爾真的輸了,哪怕官方多次宣布自家的10nm工藝在性能、晶體管密度上比其他家的7nm節(jié)點還好也沒用了。在7nm節(jié)點,臺積電已經(jīng)是雄心勃勃,除了AMD官方提到的7nm Vega芯片之外,臺積電還手握50多個7nm芯片流片,新工藝性能可提升35%或者功耗降低65%,未來升級到5nm之后性能還能再提升15%,功耗降低20%。
EEtimes今天報道了臺積電的工藝路線圖,官方公布了7nm及未來的5nm工藝細節(jié),首先是第一代7nm工藝,今年將會量產(chǎn),后面還有50多個芯片陸續(xù)流片,涉及到CPU、GPU、AI芯片、加密貨幣芯片、網(wǎng)絡(luò)、游戲、5G、自動駕駛芯片等等行業(yè)。
7nm工藝的性能將提升35%,或者功耗降低65%,芯片密度達到3倍水平——原文這里沒提到是跟誰對比,不過不可能是10nm,臺積電官網(wǎng)上跟10nm工藝對比的結(jié)果是性能提升20%或者功耗降低40%,芯片密度1.6倍,因此這里對比的很可能是臺積電的16nm工藝。
第一代7nm工藝沒有使用EUV光刻工藝,N7+節(jié)點才會用上EUV光刻機,不過這個是制造過程的改變,N7+工藝的性能沒什么變化,晶體管密度提升大概20%,功耗降低10%。
此外,N7+工藝雖然目前的良率不錯,但是還有一些關(guān)鍵單元要到今年底或者明年初才能搞定,完整用于N7+工藝的EDA工具大概要等到8月份。
7nm之后臺積電今年還要風(fēng)險試產(chǎn)5nm工藝,與最初7nm工藝相比,臺積電的5nm工藝大概能再降低20%的能耗,晶體管密度再高1.8倍,至于性能,預(yù)計能提升15%,不過使用新設(shè)備的話可能會提升25%。
按照之前的規(guī)劃,臺積電的5nm工藝預(yù)計會在2020年量產(chǎn),那時候英特爾順利的話可能會進入7nm節(jié)點了。
臺積電7nm后的發(fā)展方向
7nm工藝之后,臺積電計劃推出7nm+版本。不僅如此,臺積電還計劃在2020年發(fā)布全新的5nm制造工藝,該技術(shù)將又比7nm、7nm+有大幅度提升,從而進一步顯著改善移動處理器。
公司聯(lián)合首席執(zhí)行官魏哲家表示,臺積電在256M的SRAM芯片上看到了“兩位數(shù)的良率”,以及將會使用5nm工藝制造“更大的測試芯片”。
這里所說的良率,指的是所生產(chǎn)的芯片能同時滿足性能和功耗指標(biāo)的百分比。其中的收益率是和技術(shù)的健康程度成正比的。
目前臺積電在5nm工藝上的工作仍未全部完成,良率也偏低,與符合智能手機所需要的處理器成本來說,遠遠不能滿足。不過這是一個非常好的里程碑技術(shù),如今也處于正軌之上。
魏哲家表示,一些臺積電的主要客戶——可能是智能手機處理器大咖級制造商——已經(jīng)在用該技術(shù)設(shè)計“功能模塊”了。
雖然這些客戶目前還不能使用該技術(shù)來設(shè)計完整的產(chǎn)品,但可能正處于流片測試階段,以實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)這一套設(shè)計完成時,設(shè)計人員則可以非常容易的使用5nm技術(shù)來用到別的產(chǎn)品上。
盡管臺積電開發(fā)過一些壽命較短的技術(shù)——如20nm、10nm——但這5nm技術(shù)應(yīng)該不屬于其中。近年來,臺積電將轉(zhuǎn)型為長壽命節(jié)點技術(shù)的公司。
根據(jù)魏哲家的說法,5nm工藝將擁有較長的壽命,它也非常具有成本效益,這就意味著,該技術(shù)將被更廣泛的使用,不僅僅是那些追求高性能的產(chǎn)品。
因此,在2020年5nm工藝投入大規(guī)模的生產(chǎn)之后,臺積電還會在2021年推出5nm+的進階產(chǎn)品,也就是對性能、功耗、面積上有所增強,
再到2022年,我們就可以期待臺積電的下一次飛躍——3nm。
今天是《半導(dǎo)體行業(yè)觀察》為您分享的第1576期內(nèi)容,歡迎關(guān)注。
要降低礦山電費,應(yīng)做到3點:
(1)除控制有功功率消耗外,還需嚴格控制裝機容景,避免出現(xiàn)“大馬拉小車”現(xiàn)象。
(2)合理安排同時接入電網(wǎng)的變壓器臺數(shù)和容量。
(3)加強管理和調(diào)度。降低最大需量,采用哪種計費方式,由礦山與供電部門根據(jù)當(dāng)?shù)厍闆r商定 。2100433B
目前SoC芯片對功耗要求越來越苛刻,如何最大限度的降低功耗成為集成電路設(shè)計領(lǐng)域亟待解決的關(guān)鍵問題。超級動態(tài)電壓調(diào)節(jié)(UDVS)思想是動態(tài)電壓調(diào)節(jié)技術(shù)向低電壓區(qū)的延展,通過在芯片低負載時將電源電壓更大程度的降低(甚至低至亞閾值區(qū))來大幅度降低芯片功耗,在低功耗方法中具有顯著優(yōu)勢。但是低電壓和超深亞微米下電路的延時特性受電源波動、工藝偏差和溫度變化(PVT)的影響巨大,甚至?xí)斐呻娐饭ぷ鳡顟B(tài)出錯。因此,項目研究了超級動態(tài)電壓調(diào)節(jié)理論和電路實現(xiàn)方法,針對UDVS和先進工藝下延時波動大的問題,提出了新的片上時序監(jiān)測電路用來實時監(jiān)測電路的時序是否出錯,并將檢測結(jié)果反饋給電壓調(diào)節(jié)單元以調(diào)節(jié)供電電壓來補償這種影響;并將開環(huán)控制與閉環(huán)控制相結(jié)合設(shè)計了自適應(yīng)電壓頻率調(diào)節(jié)方案,攻克了在較大電壓范圍內(nèi)根據(jù)芯片的實際工作情況自適應(yīng)調(diào)節(jié)電路工作電壓的關(guān)鍵技術(shù),最大程度的降低了由于PVT影響帶來的時序余量,從而有效降低了SoC芯片的功耗。 項目的核心內(nèi)容包括:1)建立了一套最優(yōu)化能耗模型來尋找數(shù)字電路的最低工作點,用以指導(dǎo)UDVS電壓調(diào)節(jié)的范圍;2)設(shè)計了適用于UDVS的基本電路單元,并通過建庫工具建立了符合標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字電路設(shè)計規(guī)范的完整的標(biāo)準(zhǔn)單元庫;此外還設(shè)計了低功耗關(guān)鍵電路,例如自適應(yīng)耦合觸發(fā)器和具有零穩(wěn)態(tài)電流的上電復(fù)位電路;3)提出并設(shè)計了兩種類型的電路延遲特性監(jiān)測單元:帶自恢復(fù)功能的原地監(jiān)測單元和基于復(fù)制關(guān)鍵路徑的在線監(jiān)測單元,并設(shè)計實現(xiàn)了相應(yīng)的自適應(yīng)電源調(diào)節(jié)方法;4)提出并設(shè)計了適用于UDVS系統(tǒng)的快速鎖定數(shù)字鎖相環(huán)電路;5)構(gòu)造了兩套應(yīng)用UDVS技術(shù)的低功耗SoC設(shè)計平臺驗證UDVS關(guān)鍵技術(shù),其中基于復(fù)制關(guān)鍵路徑的CPU系統(tǒng)的調(diào)節(jié)效果明顯,在25℃、TT工藝角下相比于未用電壓調(diào)節(jié)的恒定1.2V CPU系統(tǒng)節(jié)省了38.27%的功耗,F(xiàn)F工藝角節(jié)省42.22%;此外,以三級流水線乘法器為主體的自適應(yīng)電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)在25℃、TT工藝角下節(jié)省了32.61%的功耗,F(xiàn)F工藝角節(jié)省47.94%。 項目超額完成了立項指標(biāo),累計在國內(nèi)外期刊和學(xué)術(shù)會議上發(fā)表SCI論文10篇,EI論文12篇;申請中國發(fā)明專利10項、美國發(fā)明專利2項;授權(quán)中國專利4項;獲江蘇省科技進步獎1項。參加國際學(xué)術(shù)會議數(shù)次,協(xié)助培養(yǎng)博士研究生2名、碩士研究生8名。