電容耦合高頻等離子體(焰炬)capacili}ely caupfed high- frequency plasma[Torch)以小于30}MHa射頻為輻射頻率, 工作頻率在1U一1 OOMI-}a的一種電容藕合等離子體光源。 該光源由二極管振蕩器供給能量,并傳到電容器尖形電極上, 在尖端產生高場強。當其周圍氣體電離時,便發(fā)生放電火炬, 且維持不熄;待測試液通過載氣霧化后,吸噴到放電區(qū)進行 激發(fā)。作為原子發(fā)射光i}分析光源
等離子體聚合物在結構上與普通的聚合物顯著不同,它能形成含有活性基團的高度交聯的網絡結構,從而具有良好的均勻性及對基質的附著性[1,2].有關采用等離子體聚合膜的TSM傳感器的報道不多[3,4],本室已...
等離子體又叫做“電漿”,是由部分電子被剝奪后的原子及原子被電離后產生的正負電子組成的離子化氣體狀物質 在人工生成等離子體的方法中,氣體放電法比加熱的辦法更加簡便高效,如熒光燈、霓虹燈、電弧焊、電暈放電...
高頻等離子電源的價格如下: 徐州亞鴻數控設備制造廠 的高頻等離子電源售價是1.58萬元。 具體規(guī)格如下: 品牌/型號:亞鴻/YH1530,安裝占地:2米*3.5米,最大切割厚度...
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食品樣品使用微波消解處理后,選用質量數相近的鈧(Sc)作為內標,使用電感耦合等離子體-質譜儀測定總鉻含量。在0—150μg/L范圍內,儀器響應值與總鉻含量呈線性關系,線性方程為I=0.0429C,相關系數r=0.9998,檢出限為0.022mg/kg,相對標準偏差(n=6)為4.58%,加標回收率在97.6%—104%之間。
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等離子體電子工程(22)-電暈放電與高壓低溫等離子體
介紹
電容耦合高頻等離子體(焰炬)capacili}ely caupfed high- frequency plasma[Torch)以小于30}MHa射頻為輻射頻率, 工作頻率在1U一1 OOMI-}a的一種電容藕合等離子體光源。 該光源由二極管振蕩器供給能量,并傳到電容器尖形電極上, 在尖端產生高場強。當其周圍氣體電離時,便發(fā)生放電火炬, 且維持不熄;待測試液通過載氣霧化后,吸噴到放電區(qū)進行 激發(fā)。作為原子發(fā)射光i}分析光源 2100433B
電容耦合微波等離子體(焰炬)capaciti}cly coupled trii- }rnwa}e plasma 波為輻射頻率, ( torch ) E-大于〕1f1MI-}z(一般為24}n:'v1H} )微 功率在數百瓦到數千瓦的一種電容藕合等離 子體光源。由磁控管產生微波,通過同軸波導管傳輸到一根 同軸電極上,在電極尖端生成等離子體(焰炬)。它可在大氣 壓下放電點燃二試樣霧化后隨載氣進人等離子體激發(fā)發(fā)光。
電容耦合電路有多種同功能電路 ,它們都是電容耦合電路,但是各有不同,或是耦合電容的容量不同,或是電路形式不同。通過這些同功能電路的分析,可以擴展知識面,提高分析電路的能力。
1、高頻電容耦合電路
圖1-6所示是高頻耦合電容電路。C1是接在VT1集電極與VT2基極之間的高頻耦合電容,Cl是耦合電容,因為是高頻電路,所以Cl的容量較小,通常為0.01μF。電路的工作頻率越高,耦合電容的容量越小。
由于這是高頻電路,因此要求耦合電容采用高頻損耗小的高頻電容。
2、音頻電容耦合電路
圖1-7所示是音頻電容耦合電路,這是音頻電路中的電容耦合電路,音頻電路中的耦合電容容量通常為1~10μF。由于音頻電踣的工作頻率低,因此要求耦合電容容量大,故可以采用低頻電容,通常是有極性電解電容。
3、變形的音頻電容耦合電路
圖1-8所示是變形的電容耦合電路,這是變形的電容耦合電路,它在普通的電容耦合電路基礎上增加了一個電阻R1,R1串聯在耦合電容C1回路中,一些設計比較講究的電路通常會采用這種耦合電路。
作用提示:電阻R1的作用是用來防止可能出現的高頻振蕩,以提高電路工作的穩(wěn)定性。在音頻電路中,電阻R1通常取2.2kΩ。
4、集成電路輸入耦合電容電路和輸出耦合電容電路
圖1-9所示是集成電路輸入耦合電容電路和輸出耦合電容電路,串聯在集成電路A(502)輸入端(輸入引腳①)的電容C(553)是輸入端耦合電容,因為它是在集成電路的輸入端,所以被稱為輸入端耦合電容。
C(556)串聯在集成電路A(502)的輸出(輸出引腳③)回路中,所以被稱為輸出耦合電容。