中文名 | 電容溫度系數(shù) | 外文名 | temperature coefficient of capacitance |
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詞????性 | 名詞 | 簡(jiǎn)????介 | 標(biāo)稱電容的比值。 |
電容溫度系數(shù)(temperature coefficient of capacitance )是在給定的溫度間隔內(nèi),溫度每變化1℃時(shí),電容的變化數(shù)值與該溫度下的標(biāo)稱電容的比值。
電容溫度系數(shù)表達(dá)式為:αc=(式中:αc為電容溫度系數(shù),C為給定溫度下的標(biāo)稱電容,dC為當(dāng)溫度變化dt時(shí)電容的變化值,dt為溫度的變化值)。如在某溫度范圍內(nèi),則電容量的平均溫度系數(shù)的表達(dá)式為:(式中C為電容量;Δt為溫度變化值,ΔC為溫度變化Δt時(shí)電容量的變化值)。電容溫度系數(shù)是電容器陶瓷、微波陶瓷等材料的重要的電性能指標(biāo)之一。
電容溫度系數(shù)(10 -6次方/ ℃)溫度特性由顏色表示,蘭色和灰色表示正溫度系數(shù);綠色、紅色和褐色表示負(fù)溫度系數(shù),綠色最大,褐色最小。黑色為零溫度系數(shù)。
電容溫度系數(shù)是電容器陶瓷、微波陶瓷等材料的重要的電性能指標(biāo)之一。電容溫度系數(shù)(10 -6次方/ ℃)溫度特性由顏色表示,蘭色和灰色表示正溫度系數(shù);綠色、紅色和褐色表示負(fù)溫度系數(shù),綠色最大,褐色最小。黑色為零溫度系數(shù)。2100433B
(式中:αc為電容溫度系數(shù),C為給定溫度下的標(biāo)稱電容,dC為當(dāng)溫度變化dt時(shí)電容的變化值,dt為溫度的變化值)。如在某溫度范圍內(nèi),則電容量的平均溫度系數(shù)的表達(dá)式為:(式中C為電容量;Δt為溫度變化值,ΔC為溫度變化Δt時(shí)電容量的變化值)。
溫度特性有二種表示。采用EIA或日本JIS表示法。1.溫度補(bǔ)償用 CH (JIS) 溫度系數(shù)為 +/-60ppm/度, 溫度范圍為 -25 ... 85度 C0G (...
你好 1、電容屏在工廠測(cè)試的溫度是:零下20~零上60度 2、就是說(shuō)一個(gè)電容屏要出廠,必須通過(guò)這樣的測(cè)試,雖然只是抽檢,也可以代表整體 3、不過(guò)我們?cè)?40度時(shí)做過(guò)試驗(yàn),使用完全沒(méi)問(wèn)題,只是響應(yīng)時(shí)間會(huì)...
陶瓷電容器在工作中,溫度升高時(shí),如果容量下降過(guò)多,就會(huì)影響性能,造成失效.不同材質(zhì)的電容器,溫度節(jié)點(diǎn)是不一樣的. 比方說(shuō)MZD-DL材質(zhì),溫度變化范圍就是-25度到+85度.那么,如果長(zhǎng)期在70度以上...
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PT100 溫度變送器的正溫度系數(shù)補(bǔ)償 摘要:本文回顧了通用溫度傳感器的主要特性, 重點(diǎn)介紹 RTD PT100 溫度變送器,并提供了一種簡(jiǎn)單的方法對(duì) PT100 輸出信號(hào)進(jìn)行線性化處理和調(diào)理。 溫度是非常重要的物理參數(shù), 熱電偶 和熱敏電阻 (RTD) 適合大多數(shù)高溫測(cè)量,但設(shè)計(jì)人員必須為特定的應(yīng)用選擇恰當(dāng)?shù)?傳感器,表 1 提供了常用傳感器的選擇指南。 表 1. 傳感器特性 Feature Thermocouple RTD Response time Better Maximum temperature Higher Ruggedness Better Cost efficiency Better Accuracy Better Long-term stability Better Standardization Better RTD 具有較高的精度,工作溫度范圍: -
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一、電容的主要參數(shù): 1、 電壓 1) 額定電壓:兩端可以持續(xù)施加的電壓,一般為直流電壓,通常用 VDC。而專用于 交流電的則為交流有效值電壓,通常為 VAC。 電容器的交直流額定電壓換算關(guān)系 直流額定電壓 VR/VDC 50 63 100 250 400 630 1000 交流額定電壓 VR/VAC 30 40 63 160 200 220 250 2) 浪涌電壓:電解電容特有的電壓參數(shù),是短時(shí)間可以承受的過(guò)電壓,為額定電壓的 1.15 倍。 3) 瞬時(shí)過(guò)電壓:是鋁電解電容特有電壓參數(shù),為可以瞬時(shí)承受的過(guò)電壓,這個(gè)浪涌電 壓約為額定電壓的 1.3 倍,是鋁電解電容的擊穿電壓。 4) 介電強(qiáng)度:電容額定電壓低于電容中介質(zhì)的擊穿電壓。一般為額定電壓的 1.5~2.5 倍。如:鋁電解電容的擊穿電壓約為額定電壓的 1.3 倍;其它介質(zhì)則通常為 1.75~2 倍以上。 5) 試驗(yàn)電壓:薄膜電容
CT---勢(shì)壘電容Cj---結(jié)(極間)電容,表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容Cjv---偏壓結(jié)電容Co---零偏壓電容CJO---零偏壓結(jié)電容Cjo/Cjn---結(jié)電容變化Cs---管殼電容或封裝電容Ct---總電容CTV---電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下,穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比CTC---電容溫度系數(shù)Cvn---標(biāo)稱電容2100433B
用高介電常數(shù)的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤(pán)作為介質(zhì),并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合(包括高頻在內(nèi))。這種電容器不宜使用在脈沖電路中,因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿 。
陶瓷電容器分類
陶瓷電容器又分為高頻瓷介電容器和低頻瓷介電容器兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩電路中,作為回路電容器。低頻瓷介電容器用在對(duì)穩(wěn)定性和損耗要求不高的 場(chǎng)合或工作頻率較低的回路中起旁路或隔直流作用,它易被脈沖電壓擊穿,故不能使用在脈沖電路中。高頻瓷介電容器適用于高頻電路。
多層陶瓷電容器常見(jiàn)小缺陷的規(guī)避方法
因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻(ESR)、低成本、高可靠性和高紋波電流能力,多層陶瓷 (MLC) 電容器在電源電子產(chǎn)品中變得極為普遍。一般而言,它們用在電解質(zhì)電容器 leiu 中,以增強(qiáng)系統(tǒng)性能。相比使用電解電容器鋁氧化絕緣材料時(shí)相對(duì)介電常數(shù)為 10 的電解質(zhì),MLC 電容器擁有高相對(duì)介電常數(shù)材料 (2000-3000) 的優(yōu)勢(shì)。這一差異很重要,因?yàn)殡娙葜苯优c介電常數(shù)相關(guān)。在電解質(zhì)的正端,設(shè)置板間隔的氧化鋁厚度小于陶瓷材料,從而帶來(lái)更高的電容密度。
溫度和DC偏壓變化時(shí),陶瓷電容器介電常數(shù)不穩(wěn)定,因此我們需要在設(shè)計(jì)過(guò)程中理解它的這種特性。高介電常數(shù)陶瓷電容器被劃分為 2 類。圖 1 顯示了如何以 3 位數(shù)描述方法來(lái)對(duì)其分類,諸如:Z5U、X5R 和 X7R 等。例如,Z5U 電容器額定溫度值范圍為 +10 到 +85o C,其變化范圍為 +22/–56%。再穩(wěn)定的電介質(zhì)也存在一定的溫度電容變化范圍。
圖 1 :2類電介質(zhì)使用 3 位數(shù)進(jìn)行分類。注意觀察其容差!
當(dāng)我們研究偏壓電容依賴度時(shí),情況變得更加糟糕。圖 2 顯示了一個(gè) 22 uF、6.3伏、X5S 電容器的偏壓依賴度。我們常常會(huì)把它用作一個(gè) 3.3 伏負(fù)載點(diǎn) (POL) 穩(wěn)壓器的輸出電容器。3.3 伏時(shí)電容降低 25%,導(dǎo)致輸出紋波增加,從而對(duì)控制環(huán)路帶寬產(chǎn)生巨大影響。如果您曾經(jīng)在 5 伏輸出時(shí)使用這種電容器,則在溫度和偏壓之間,電容降低達(dá) 60% 之多,并且由于 2:1 環(huán)路帶寬增加,可能產(chǎn)生一個(gè)不穩(wěn)定的電源。許多陶瓷電容器廠商都沒(méi)有詳細(xì)說(shuō)明這一問(wèn)題。
圖 2:注意電容所施加偏壓變化而降低
陶瓷電容器的第二個(gè)潛在缺陷是,它們具有相對(duì)較小的電容和低ESR。在頻域和時(shí)域中,這會(huì)帶來(lái)一些問(wèn)題。如果它們被用作某個(gè)電源的輸入濾波電容器,則它們很容易隨輸入互連電感諧振,形成一個(gè)振蕩器。要想知道是否存在潛在問(wèn)題,可將寄生互連電感估算為每英寸 15 nH,然后根據(jù)這兩篇文章介紹的方法把濾波輸出阻抗與電源輸入電阻進(jìn)行對(duì)比。第二個(gè)潛在問(wèn)題存在于時(shí)域中,我們可在以太網(wǎng)電源 (POE) 等系統(tǒng)中看到它們的蹤影。
在這些系統(tǒng)中,電源通過(guò)大互連電感連接至負(fù)載。負(fù)載通過(guò)一個(gè)開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)開(kāi)啟,并可能會(huì)使用陶瓷電容器構(gòu)建旁路。這種旁路電容器和互連電感可以形成一個(gè)高 Q諧振電路。由于負(fù)載電壓振鈴可以高達(dá)電源電壓的兩倍,因此在負(fù)載下關(guān)閉開(kāi)關(guān)會(huì)形成一個(gè)過(guò)電壓狀態(tài)。這會(huì)引起意外電路故障。例如,在 POE 中,負(fù)載組件的額定電壓變化可以高達(dá)電源額定電壓的兩倍。
第三個(gè)潛在缺陷的原因是陶瓷電容器為壓電式。也就是說(shuō),當(dāng)電容器電壓變化時(shí),其物理尺寸改變,從而產(chǎn)生可聽(tīng)見(jiàn)的噪聲。例如,我們將這種電容器用作輸出濾波電容器時(shí)(存在大負(fù)載瞬態(tài)電流),或者在"綠色"電源中,其在輕負(fù)載狀態(tài)下進(jìn)入突發(fā)模式。這種問(wèn)題的變通解決方案如下:
· 轉(zhuǎn)而使用更低介電常數(shù)的陶瓷材料,例如:COG 等。
· 使用不同的電介質(zhì),例如:薄膜等。
· 使用加鉛和表面貼裝技術(shù) (SMT) 組件,可緊密貼合印制線路板 (PWB)。
· 使用更小體積器件,降低電路板應(yīng)力。
· 使用更厚組件,降低施加電壓應(yīng)力和物理變形。
SMT陶瓷電容器存在的另一個(gè)問(wèn)題是,在PWB彎曲時(shí),由于電容器和 PWB 之間存在的熱膨脹系數(shù) (TCE) 錯(cuò)配,它們的軟焊接頭往往會(huì)裂開(kāi)。您可以采取一些預(yù)防措施來(lái)減少這種問(wèn)題的發(fā)生:
· 封裝尺寸限制為 1210。
· 使電容器遠(yuǎn)離高曲率地區(qū),例如:拐角區(qū)等。
· 使電容器朝向電路板短方向。
· 使電路板安裝點(diǎn)遠(yuǎn)離邊角。
· 在所有裝配過(guò)程均注意可能出現(xiàn)的電路板彎曲。
總之,如果您注意其存在的一些小缺點(diǎn),則相比電解電容器,多層陶瓷電容器擁有低成本、高可靠性、長(zhǎng)壽命和小尺寸等優(yōu)勢(shì)。它們具有非常寬的電容容差范圍,因此您需要對(duì)其溫度和偏壓變化范圍內(nèi)的性能進(jìn)行評(píng)估。它們均為壓電式,其意味著它們會(huì)在有脈沖電流的系統(tǒng)中產(chǎn)生可聽(tīng)見(jiàn)的噪聲。最后,它們很容易出現(xiàn)破裂,因此我們必須采取預(yù)防措施來(lái)減少這一問(wèn)題的發(fā)生。所有這些問(wèn)題都有相應(yīng)的解決辦法。因此,MLC 電容器仍會(huì)變得越來(lái)越受歡迎。