中文名 | Mark Perakh | 外文名 | Mark Perakh |
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曹經(jīng)倩認(rèn)為能發(fā)生反應(yīng)
Cr2O7 2- 2H2SO4- = 2CrO3(OSO3 )2- H2O
王先友則認(rèn)為Cr6 能與H2SO4反應(yīng)生成Cr(VI)-H2SO4的配合物,實(shí)現(xiàn)了Cr6 往電極表面的傳輸,1979年,美國科學(xué)家 J.P.Hoare霍爾提出了HSO4-與三鉻酸分子的一端借助氫鍵封閉一端,裸露另一端的“單端屏蔽學(xué)說”。但是,氫鍵能很小,容易斷裂,依靠氫鍵形成的配合物是不穩(wěn)定的。
以上這些理論有一個(gè)共同點(diǎn),就是H2SO4與Cr(VI)生成了某種“配合物”,硫酸起配合劑的作用。1998年吳雙成也曾探討鍍鉻機(jī)理,認(rèn)為H2SO4和H2CrO4發(fā)生了如下反應(yīng),生成四元環(huán)結(jié)構(gòu)的硫酸鉻酰。
硫元素比鉻元素的電負(fù)性大,硫酸鉻酰是個(gè)極性分子,鉻?;鶐д姾?,硫酸根帶負(fù)電荷,與CrO4 2-,Cr2O7 2-相比,陰極對硫酸鉻酰分子的排斥作用減弱了。使得六價(jià)鉻容易接近陰極表面,實(shí)現(xiàn)往電極表面的傳輸。在陰極表面上,鉻?;囊欢酥赶蜿帢O表面,硫酸根的一端指向溶液。H2SO4的作用就是改變六價(jià)鉻的存在狀態(tài),使不易電還原的CrO4 2-,Cr2O7 2-轉(zhuǎn)變?yōu)橐子陔娺€原的硫酸鉻酰。如果鍍鉻液中不存在H2SO4,就不會(huì)有硫酸鉻酰的生成,難以電沉積出鉻來,此時(shí),溶液中的陽離子只有 H ,陰極只能將H 還原為H2氣體析出。
當(dāng)然,H2Cr2O7, H2Cr3O10都可與H2SO4反應(yīng),分別生成硫酸鉻酸鉻酰,硫酸二鉻酸鉻酰,它們分別是六元環(huán),八元環(huán),環(huán)的張力比四元環(huán)大,不太穩(wěn)定。四元環(huán)的硫酸鉻酰分子體積小,能更快地遷移到陰極表面,所以優(yōu)先電還原的物質(zhì)應(yīng)是硫酸鉻酰。
陰極反應(yīng)是 2H 2e = H2
CrO2SO4 6H 6e = Cr H2SO4 2 H2O
配合物電鍍中,直接在陰極放電的總是配位數(shù)較低的配離子、中性分子、甚至是陽離子。原因是配位數(shù)較高的配離子更強(qiáng)烈地受到雙電層電荷的排斥作用,這會(huì)導(dǎo)致配合位數(shù)較低的配離子成為主要的反應(yīng)離子。硫酸鉻酰是表面配合物或活化配合物,屬于低配位數(shù)配合物。而六元環(huán)的硫酸鉻酸鉻酰和八元環(huán)的硫酸二鉻酸鉻酰,屬于高配位數(shù)配合物,Cr2O7 2-、 Cr3O10 2-是溶液中主要存在形成離子。
曹錫章認(rèn)為,溶液中總是存在約1%的鉻氧基CrO2 2 ,1mol H2Cr2O4與1mol H2SO4反應(yīng)才能產(chǎn)生1mol CrO2 2 ,因此,鍍鉻溶液總是需要約1%的H2SO4催化劑。
在電鍍中一般的電鍍工藝電流效率在70%~100%之間,而生產(chǎn)中使用的鍍鉻工藝則電流效率很低,一般只有10%~25%,所以有很大的發(fā)展?jié)摿?,再者鍍鉻的應(yīng)用十分廣泛。因此,對鍍鉻的研究開發(fā)具有重要意義和良好的前景。
近年來鍍鉻添加劑的研究圍繞著解決鍍鉻的電流效率低、環(huán)境污染嚴(yán)重、消耗量大、鍍液的覆蓋能力差等問題而展開.熱點(diǎn)是稀土陽離子添加劑、有機(jī)陰離子添加劑及復(fù)合型添加劑的研究,并且已經(jīng)取得了較大的進(jìn)展。如CS型、RI-3C、CF-20l、HC-1、HEEF25、CH系列添加劑Atotech 公司的HCR840等都已進(jìn)入生產(chǎn)階段。超快速鍍鉻工藝HEEF-Fc采用高電流效率和高電流密度的方法使其鍍速為普通鍍鉻的10倍,但對設(shè)備的要求也更嚴(yán)格。
綜合以上對添加劑的作用分析,可以看到,有機(jī)陰離子及復(fù)合型添加劑有很大的開發(fā)潛力,深入理解添加劑的作用機(jī)理,結(jié)合生產(chǎn)實(shí)踐探索新型高效節(jié)能的環(huán)保型添加劑是電鍍工作者面臨的緊迫任務(wù)。
Mark Perakh在含100~1 600 g/L鉻酸的鍍鉻液中加入0.3%~15.0%(wt)的氯化物或碘化物,可以使鍍液陰極電流效率達(dá)50%~70%,但鍍層灰暗無光,而且內(nèi)應(yīng)力較大。
鍍鉻的陰極過程相當(dāng)復(fù)雜,1949年F.ogbum奧格本和A.Brenner布倫納等人用放射性同位素Cr51進(jìn)行研究,證實(shí)了鉻酸鹽溶液中電沉積是由六價(jià)鉻直接還原為金屬鉻的。但是,六價(jià)鉻是通過怎樣的過程還原的?是如何向陰極表面?zhèn)鬏數(shù)??為什么CrO3/H2SO4偏離100/1,鍍液的電流效率和沉積速度都會(huì)下降?等等問題長時(shí)間都未提出滿意的電沉積理論。對于鍍鉻及添加劑的作用機(jī)理的研究相對較少,添加劑在鍍液中以何種方式分解或參與陰極反應(yīng)也都不了解。
鍍鉻溶液中的六價(jià)鉻以CrO4 2-,Co2O7 2-,Cr3O10 2-,Cr4O13 2-等陰離子形式存在在時(shí),陰極對它們有很強(qiáng)的排斥作用,使它們很難接近荷負(fù)電的陰極表面而發(fā)生電還原反應(yīng)。因此,可能存在一個(gè)化學(xué)轉(zhuǎn)化步驟。
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鍍鉻添加劑種類繁多,按其功能分類如下:
4.1 替代部分H2SO4的添加劑—有機(jī)磺酸
有機(jī)磺酸分子結(jié)構(gòu)R—SO3H,與H2SO4相似,碳原子數(shù)少于3的甲基磺酸,乙基磺酸都是優(yōu)良的鍍鉻催化劑,烷基磺酸用量為1g/L-5g/L,占CrO3含量的1%—2%。
有機(jī)磺酸與H2CrO4反應(yīng)后,生成與硫酸鉻酰類似的極性分子,生成物是有機(jī)磺酸鉻酰。在有機(jī)磺酸鉻酰分子中,甲基、乙基、丙基等飽和烴基都是斥電子基因,使Cr-O-S間電子云密度提高,鍵加強(qiáng)了。鍵不容易斷裂,整個(gè)有機(jī)磺酸鉻酰分子變得不易水解,提高了穩(wěn)定性,因而提高了鍍鉻時(shí)的電流效率。
氨基磺酸,磺基乙酸雖然也含有磺酸基因,但是,氨基、乙酸基是吸電子基團(tuán),能使Cr-O-S間電子云密度降低,鍵被削弱了,會(huì)降低有機(jī)磺酸鉻酰的穩(wěn)定性,因而它們是較差的催化劑,其使用量也比較大,NH2SO3H/CrO3要大于1/10,磺基乙酸/ CrO3要大于1/3以上,才能提高催化能力,至于羥乙基磺酸,羥丙基磺酸,苯磺酸,丙炔基磺酸都含有吸電子基因(吸電子基因?yàn)榱u基,苯基,丙炔基),同樣會(huì)降低有機(jī)磺酸鉻酰的穩(wěn)定性,所以也是較差的催化劑。
硒酸H2SeO4與H2SO4性質(zhì)相似,催化能力相近,都可得到光亮的Cr-Se合金,但鍍層內(nèi)應(yīng)力大僅適用于微裂紋鉻。
4.2 替代F-的添加劑—鹵化物及鹵酸鹽
HF,H2SiF6,HBF4,H3AIF6,H2TiF6等是第3代復(fù)合鍍鉻添加劑,優(yōu)點(diǎn)是電流效率較高,覆蓋能力較好,缺點(diǎn)是單獨(dú)使用鍍層粗糙發(fā)暗黑,對陽極對鍍件都有腐蝕,鍍液容易積累雜質(zhì)金屬離子而使性能惡化,所以人們致力于尋找替代F-的添加劑。
鹵族元素化合物是首先考慮的,可提高鍍鉻效率,其中Cl-鍍液的電流效率最高。但是,鹵素離子對陽離子對鍍件均有較強(qiáng)的腐蝕性,容易被陽極氧化為鹵氣揮發(fā)掉,消耗快,單獨(dú)做催化劑時(shí),得到的鉻鍍層呈淺灰色,內(nèi)應(yīng)力大有脆性,不能全部取代H2SO4需要與H2SO4聯(lián)合使用。
HF,,HCl同樣能與H2CrO4反應(yīng),生成氟化鉻酰,氯化鉻酰。鹵原子具有吸電子誘導(dǎo)效應(yīng),同時(shí),其P電子與鉻氧雙鍵能發(fā)生Pπ共軛效應(yīng),Pπ共軛效應(yīng)大于誘導(dǎo)效應(yīng),使Cr-F鍵,Cr-Cl鍵加強(qiáng),增強(qiáng)了氟化鉻酰,氯化鉻酰的穩(wěn)定性,加上兩者分子體積小,容易遷移到陰極表面,所以能提高電流效率。Br- 、I-能與H2CrO4發(fā)生氧化還原反應(yīng),生成單質(zhì)Br2,I2揮發(fā)掉,幾乎沒有催化效果。IO3-的作用則是活化鍍層表面,避免了低電流區(qū)不能正常析鉻的現(xiàn)象。ClO4-被陰極還原為Cl-能起到催化作用。
用H2SiF6,HBF4,H3AIF6,H2TiF6做催化劑時(shí),電流效率要高于HF做催化劑時(shí)的電流效率,腐蝕性小于HF催化劑,。它們究竟是先轉(zhuǎn)化為HF后與H2CrO4反應(yīng)的,還是直接與H2CrO4反應(yīng)的?需要進(jìn)一步研究。
鹵代羧酸是新型的鍍鉻催化劑,在鍍液中會(huì)水解出CI-、F-,具有較高的電流效率,能提高鍍液的覆蓋能力和分散能力。鹵代羧酸水解產(chǎn)物鹵離子和羧酸,都能使鉻鍍層發(fā)灰(早期的鍍黑鉻是Siemens用醋酸做催化劑的)外觀不好。這也可能是低濃度鍍鉻不呈銀白色而是青白色的原因。鹵代羧酸的另一個(gè)重要作用是緩沖陰極界面PH值。
從鍵能看,C-F鍵比C-Cl鍵鍵能大許多,不容易斷裂氧化分解,氟碳型化合物是穩(wěn)定的,氟代羧酸要比氯代羧酸穩(wěn)定的多。鉻霧抑制劑就是氟碳型化合物。C-Br鍵,C-I鍵鍵能更小,容易斷裂分解,因而溴代、碘代羧酸是不穩(wěn)定的,不適合做鍍鉻添加劑。
4.3 替代H3BO3的添加劑—羧酸類
采用羧酸類及取代羧酸類的添加劑很多,甲醛,乙二醛可被強(qiáng)氧化性鍍液氧化為甲酸,乙二酸,鹵代羧酸和酰胺類可以水解為羧酸、氫鹵酸、銨離子,吡啶羧酸可視為具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的特殊氨基酸,都可歸為羧酸類添加劑。
飽和一元羧酸屬于弱酸,電離常數(shù)很小,能夠緩沖陰極界面PH值。鹵代羧酸,醇酸,酚酸,氨基酸,吡啶羧酸均含有吸電子基因,能促使羧酸的電離,使電離常數(shù)增大,緩沖范圍向低PH值發(fā)展。
乙酸被氯取代后,由于氯原子較強(qiáng)的吸電子誘導(dǎo)效應(yīng),使得羧基電子云密度按箭頭所指的方向轉(zhuǎn)移,其結(jié)果是O-H間電子密度降低,羧基中氫更容易以質(zhì)子的形式電離,所以,一氯乙酸比乙酸性強(qiáng),鹵代酸的酸性隨鹵原子數(shù)的增加而加強(qiáng)。三氯乙酸的酸性幾乎與無機(jī)酸相當(dāng)。
鹵原子的電負(fù)性不同,對酸性的影響也不同,鹵原子的電負(fù)性順序?yàn)镕大于CI大于Br大于I
因此,不同的鹵代乙酸的酸性以氟代乙酸為最強(qiáng),一氟乙酸P=2.66.
鍍鉻溶液中Cr3 濃度約0.1mol/l,形成沉淀的PH值在4左右,為防止陰極界面沉淀的生成,要求緩沖劑的最佳范圍是PH小于4,大多數(shù)羧酸的Pka在2.5-5之間,緩沖范圍為Pka左右,所以,選用羧酸類做緩沖劑是合理的,而H3BO3的Pka=9.24,最佳緩沖范圍是8.24-10.24,顯然不太合乎要求,硼酸被羧酸類代替是必然的。
緩沖容量的大小與緩沖溶液的總濃度及組分比有關(guān),總濃度愈大,緩沖容量愈大;總濃度一定時(shí),緩沖組分的濃度比愈接近1:1,緩沖容量愈大;當(dāng)PH=Pka時(shí),緩沖容量最大。
在許多緩沖體系中,總有一個(gè)ka值在起作用,其緩沖范圍一般都比較窄。為使同一緩沖體系能在較廣泛的PH值范圍內(nèi)起緩沖作用,可用多元弱酸或弱堿組成緩沖體系。因?yàn)槠渲杏卸鄠€(gè)ka值起作用。例如檸檬酸。第3代鍍鉻添加劑就是將不同Pka的幾種羧酸配合劑搭配的應(yīng)用的,目的就在于更廣泛的PH值范圍內(nèi)起緩沖作用。
普通一元、二元羧酸可盡量加大濃度,以使緩沖容量最大。用醋酸、氨基乙酸做添加劑時(shí),用量要求比較大;用鹵代羧酸,磺基羧酸,羥基羧酸做添加劑時(shí),用量為幾十克/升,上百克/升。
采用同多酸或雜多酸做添加劑時(shí),提高電流效率的作用不明顯??梢哉J(rèn)為它們不是催化劑,而是緩沖劑。
4.4 代替Cr3 的添加劑—稀土類
Cr3 的存在有利于改善鍍鉻溶液的分散能力,促進(jìn)低電流密度區(qū)的電沉積。缺少鉻層易結(jié)瘤,硬度低,電沉積速度慢。稀土元素RE一般呈三價(jià),在鍍液中能代替部分Cr3 ,因此,稀土鍍鉻要求Cr3 含量低,不含也可以。稀土鍍鉻機(jī)理已經(jīng)發(fā)表不少文章,這里就不累贅闡述了。
羥基酸包括醇酸和酚酸,用量小還原性強(qiáng),能產(chǎn)生Cr3 ,也是代替Cr3 的添加劑。n也報(bào)道使用溴化物,可以有效改善鍍液分散能力,但由于存在著釋放大量鹵素氣體的缺陷,阻礙了這類鍍液的推廣應(yīng)用。
稀土陽離子也是應(yīng)用很廣的一類鍍鉻添加劑,最早將稀土引入鍍鉻的是美國的 Romanowshi 等。他們在1976年獲得了使用稀土氟化物鍍鉻的專利,國內(nèi)于80~90年代對這方面進(jìn)行了大量研究,開發(fā)出一批比較有價(jià)值的工藝。稀土陽離子能較好地提高鍍液的均鍍能力,但對深鍍能力無明顯的改善,使用稀土的氟化物可以提高電流效率,但也同時(shí)引發(fā)了低電流區(qū)的腐蝕問題,另外稀土鍍鉻監(jiān)控比較困難,特別是在鍍硬鍍方面,該工藝還有待進(jìn)一步完善。
真正比較有希望全面改進(jìn)鍍鉻性能的是有機(jī)或復(fù)合型(有機(jī)物與陰離子或稀土混用)添加劑。
許多人一直認(rèn)為,在氧化性很強(qiáng)的鉻酸溶液中,尤其是在電解過程中,幾乎沒有什么有機(jī)物可以穩(wěn)定存在,因此限制了這類添加劑的發(fā)展。但 Edgan J提出使用鹵化有機(jī)酸,特別是鹵化有機(jī)二酸如溴化丁二酸、溴化丙二酸等,可以提高鍍液的分散及覆蓋能力,據(jù)稱此電解液即使在高溫、高電流密度下電解,有機(jī)物也不會(huì)被氧化。北京航空航天大學(xué)胡如南等也進(jìn)行了相似的工作,并得出了類似的結(jié)論。
為了達(dá)到預(yù)期的目的,加入的有機(jī)酸或鹵代有機(jī)酸的量比較大,一般為幾十克每升,例如 Chessin在含氟化物的鍍鉻液中,加入最高量為32 g/L的鹵代二酸,使鍍液獲得了好的分散及覆蓋能力。
有機(jī)化合物的加入可以提高陰極電流效率。Hyman Chessin采用有機(jī)磺酸為添加劑,以較高的電流效率(大于22%)獲得了結(jié)合力良好的光亮鍍層,并避免了低電流腐蝕問題,添加的有機(jī)磺酸要求S/C≥1/3,加入量為1~18 g/L。
Anthony D Barnyi提出,適量的氨基乙酸、氨基丙酸等可以提高陰極電流效率,如在CrO3 200 g/L,H2SO4 2 g/L的鍍液中加入2.5 g/L的氨基乙酸,在40 ℃下電鍍2 h,陰極電流效率可達(dá)21.45%。
另外含有機(jī)添加劑的鍍液所得鍍層一般硬度較高。Laition在含甲醛、甲酸或乙二醛的鍍液中,得到的鍍層硬度為950~ 1 000 HV,經(jīng) 600 ℃熱處理1 h,硬度可達(dá)1 600~1 800 HV,并且鍍層耐鹽腐蝕的能力是普通鉻鍍層的3倍。
將有機(jī)陰離子與有機(jī)添加劑復(fù)合使用,有時(shí)會(huì)取得很好的效果。Chessin將碘酸鉀、溴化鉀等與有機(jī)酸一起合用,得到平滑光亮的鍍層,并且電流效率很高,比較好的有機(jī)酸為磺基乙酸、丁二酸、三氯乙酸等,且用量較大,為5~100 g/L。在適當(dāng)工藝下,陰極電流效率可達(dá)50%,不足之處為鉻酸濃度高達(dá)800 g/L,并且有機(jī)酸含量高,易腐蝕陰極。
美國安美特公司的專利產(chǎn)品也含有復(fù)合型添加劑,由磺基乙酸、碘酸鹽及有機(jī)氮化物組成,鍍液可不含H2SO4,陰極電流效率至少為20%。
采用有機(jī)或復(fù)合添加劑的鍍鉻液一般稱為第三代鍍鉻液,現(xiàn)如今已經(jīng)有數(shù)種比較成熟的工藝。美國安美特公司的 HEEF25, HEEF40工藝比較有代表性。特別是 HEEF25,電流效率可達(dá) 22%~26%,沉積速度為30~80 μm/h,鍍層光亮平滑。其工藝優(yōu)點(diǎn)在于電流效率高,沉積速度快,且不含氟化物。但其成本較高,在一定程度上會(huì)影響其推廣應(yīng)用。英國 Canning 公司的 Machil 工藝特點(diǎn)與HEEF25相當(dāng),陰極電流效率可達(dá)26%,鍍層硬度高于1 200 HV,且同樣不含氟化物。國內(nèi)有關(guān)有機(jī)添加劑方面的研究報(bào)導(dǎo)較少,北京航空航天大學(xué)和山西大學(xué)進(jìn)行過一些研究。據(jù)資料介紹現(xiàn)國內(nèi)至少有五家單位提供了類似于HEEF25的鍍硬鉻工藝。
最新一代鍍鉻添加劑主要采用烷基二磺酸及其鹽,包括甲基二磺酸、甲基二磺酸鈉、甲基二磺酸鉀等為添加劑的主要成分,完全不同于常規(guī)鍍鉻和普通混合型催化劑鍍鉻工藝,具有以下特點(diǎn):1.高電流效率,可達(dá)23-29% 2.高沉積速度,是普通鍍鉻的2-3倍 3.高硬度HV900-1150 4.高電流密度可達(dá)90安培/平方分米 5.對鉛錫、鉛銻合金陽極腐蝕很小,對鍍件在低電流區(qū)無腐蝕。一般添加量約為4-10g/L, 每添加100公斤鉻酸酐同時(shí)消耗量8-15g烷基二磺酸及其鹽。
在此基礎(chǔ)上,很多添加劑廠商和研究部門以烷基二磺酸及其鹽為主要成分,添加有機(jī)物氨基磺酸、含氮雜環(huán)化合物等以及無機(jī)添加物碘酸鉀,溴酸鉀等等,等到了電流效率27-50%,硬度Hv900-1250的鍍鉻層,將鍍鉻工藝向前推進(jìn)了一大步。
總之,在有機(jī)添加劑的開發(fā)方面還有許多工作有待于表面處理工作者們?nèi)プ觥?
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本研究中心集合了國內(nèi)專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)、采用先進(jìn)的科學(xué)技術(shù)手段、吸取國外同行人 的經(jīng)驗(yàn),專門從事研發(fā)建筑材料精細(xì)化工助劑,先以開發(fā)出如下品種產(chǎn)品。 如需要,本研究 中心可轉(zhuǎn)讓以下產(chǎn)品配方,聯(lián)系電話 13371615612 劉先生 。 DC-W 建筑防水材料: DC-W1 無機(jī)鋁鹽防水劑 (粉體、液體 )— Inorganic aluminum salt waterproof agent DC-W2 有機(jī)硅防水劑—憎水劑— Silicone waterproofing agent DC-W3 永凝液 DPS—Ultimate waterproof agent DC-W4 抗?jié)B微晶防水劑— Microcrystal waterproof agent DC-W5 膨脹抗裂防水劑 DC-W6 膨脹纖維抗裂防水劑 DC-W7 水泥基滲透結(jié)晶防水涂料 DC-W8JS 聚合物防水涂料 (彈性、剛性
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通過在鎂鉻磚中加入不同含鋯添加劑,得出當(dāng)ZrO2加入量為3%可降低鎂鉻磚的氣孔率,并提高其抗?fàn)t渣的滲透性,剝落性,而脫硅鋯和斜鋯石的加入進(jìn)一步提高了鎂鉻磚的抗侵蝕性.
裝飾性鍍鉻0.001-0.003mm
耐磨性鍍鉻0.05-0.1mm
恢復(fù)尺寸鍍鉻要根據(jù)磨損程度來確定厚度,到一定厚度后要加以研磨
電鍍鉻:dianduge
電鍍硬鉻一般應(yīng)用于模具的產(chǎn)品位的表面。
經(jīng)電鍍鉻處理后,模具、工件有如下優(yōu)點(diǎn):
一、表面平整、光潔、易于脫模,為保證產(chǎn)品之光潔、平整。
二、不會(huì)生銹,一點(diǎn)銹斑都不會(huì)有。
三、鍍的過程中原零件變形小,表層鍍鉻后可增強(qiáng)硬度(HR65以上),耐高溫達(dá)500℃、耐腐蝕、防酸、耐磨損。
四、如果零件尺寸不到位,可以通過加幾c鉻來達(dá)到尺寸。
五、根據(jù)產(chǎn)品之特點(diǎn),達(dá)到視覺、立體的效果,確保產(chǎn)品的穩(wěn)定的表面質(zhì)量。
其他:除了可以鍍鉻,還可以鍍鈦,目前國內(nèi)模具最流行的是鍍鈦.
由于鍍鉻層具有優(yōu)良的性能,廣泛用作防護(hù)一裝飾性鍍層體系的外表層和功能鍍層,在電鍍工業(yè)中一直占重要的地位。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和人們對環(huán)境保護(hù)的日趨重視,在傳統(tǒng)鍍鉻的基礎(chǔ)上相繼發(fā)展了微裂紋和微孔鉻、黑鉻、松孔鉻、低濃度鍍鉻、高效率鍍硬鉻、三價(jià)鉻鍍鉻、稀土鍍鉻等新工藝,使鍍鉻層的應(yīng)用范圍進(jìn)一步擴(kuò)大。
根據(jù)鍍鉻液的組成和性能不同,可將鍍鉻液分為如下幾類。
①普通鍍鉻液 以硫酸根作為催化劑的鍍鉻溶液。鍍液中僅含有鉻酐和硫酸,成分簡單,使用方便,是目前應(yīng)用最為廣泛的鍍鉻液。鉻酐和硫酸的比例一般控制在Cr03:H2SO4=100:1,鉻酐的濃度在150~450g/L之間變化。根據(jù)鉻酐濃度的不同,可分為高濃度(350~500g/L)、中濃度(150~250g/L)和低濃度(50~150g/L)鍍鉻液。習(xí)慣上把Cr03250g/L和H2SO42.5g/L的中等濃度鍍鉻液稱為"標(biāo)準(zhǔn)鍍鉻液",又稱為"萬能鍍鉻液",用于裝飾及功能性多種鍍鉻。低濃度的鍍鉻液電流效率高,鉻層的硬度也高,但覆蓋能力較差,主要用于功能性電鍍,如鍍硬鉻、耐磨鉻等;高濃度鍍液穩(wěn)定,導(dǎo)電性好,電解時(shí)只需較低的電壓,覆蓋能力較稀溶液好,但電流效率較低,主要用于裝飾性鍍鉻及復(fù)雜件鍍鉻。
②復(fù)合鍍鉻液 以硫酸和氟硅酸作催化劑的鍍鉻液。氟硅酸的添加,使鍍液的電流效率、覆蓋能力和光亮范圍均比普通鍍鉻液有所改善,如陰極的電流效率可達(dá)到20%以上。然而,氟硅酸對陽極和陰極零件鍍不上鉻的部位及鍍槽的鉛襯均有較強(qiáng)的腐蝕作用,必須采取一定的防護(hù)措施,其襯里和陽極最好采用鉛一錫合金。此鍍液主要用于滾鍍鉻。
③自動(dòng)調(diào)節(jié)鍍鉻液 以硫酸鍶和氟硅酸鉀為催化劑的鍍鉻液。在一定溫度及一定濃度的鉻酸溶液中,硫酸鍶和氟硅酸鉀各自存在著沉淀溶解平衡,并分別有一溶度積常數(shù)Ksp,即當(dāng)溶液中[S042-]或[SiF62-]濃度增大時(shí),相應(yīng)的離子濃度乘積將大于溶度積常數(shù),過量的S042-或SiF62-便生成SrS04或K2SiF6沉淀而析出;相反,當(dāng)溶液中[S042-]或[ SiF62-]濃度不足時(shí),槽內(nèi)的SrS04或K2SiF6沉淀溶解,直至相應(yīng)的離子濃度乘積等于其溶度積時(shí)為止。所以,當(dāng)鍍液的溫度和鉻酐的濃度一定時(shí),鍍液中[S042-]或[SiF62-]濃度可通過溶解沉淀平衡而自動(dòng)的調(diào)節(jié),并不隨電鍍過程的持續(xù)而變化。這類鍍液具有電流效率高(270A),允許電流密度范圍大(高達(dá)80~100A/dm2),鍍液的分散能力和覆蓋能力好,沉積速度快(50/-m/h)等優(yōu)點(diǎn),故又稱"高速自動(dòng)調(diào)節(jié)鍍鉻"。但鍍液的腐蝕性強(qiáng)。
④快速鍍鉻液在普通鍍鉻液基礎(chǔ)上,加入硼酸和氧化鎂,允許使用較高的電流密度,從而提高了沉積速度,所得鍍層的內(nèi)應(yīng)力小,與基體的結(jié)合力好。
⑤四鉻酸鹽鍍鉻液這類鍍液的鉻酐濃度較高,鍍液中除含有鉻酐和硫酸外,還含有氫氧化鈉和氟化鈉,以提高陰極極化作用。添加糖或醇作為還原劑,以穩(wěn)定鍍液中的Crs+;添加檸檬酸鈉以掩蔽鐵離子。這類鍍液的主要優(yōu)點(diǎn)是電流效率高(35%以上),沉積速度快、
鍍液的分散能力好,但鍍液只在室溫下穩(wěn)定,操作溫度不宜超過24℃,采用高電流密度時(shí)需冷卻鍍液;鍍層的光亮性差,硬度較低,鍍后需經(jīng)拋光才能滿足裝飾鉻的要求。
⑥常溫鍍鉻鍍液由鉻酐和氟化物(NH4F或NaF)組成,也可加入少量的硫酸。這種鍍液的工作溫度(15~25℃)和電流密度(8~12A/dm2)低,沉積速度慢,適用于薄層電鍍。其電流效率和分散能力較高,可用于掛鍍和滾鍍。
⑦低濃度鉻酸鍍鉻鍍液中鉻酐濃度較標(biāo)準(zhǔn)鍍鉻液低5倍,可大大降低對環(huán)境的污染。電流效率及鍍層的硬度介于標(biāo)準(zhǔn)鍍鉻液和復(fù)合鍍鉻液之間,其覆蓋能力和耐蝕性與高濃度鍍鉻相當(dāng)。但鍍液的電阻大,槽電壓高,對整流設(shè)備要求嚴(yán)格,同時(shí)鍍液的覆蓋能力有待提高。
⑧三價(jià)鉻鍍鉻鍍液中以Cr3+化合物為主鹽,添加絡(luò)合劑、導(dǎo)電鹽及添加劑。該工藝消除或降低了環(huán)境污染,鍍液的分散能力和覆蓋能力較鉻酸鍍液高,陰極電流效率有所改善;可常溫施鍍;槽壓低;電鍍不受電流中斷的影響。但鍍液對雜質(zhì)敏感,鍍層的光澤較暗,鍍層厚度為幾微米,并不能隨意增厚;鍍層的硬度低,鍍液成分復(fù)雜不利于維護(hù)。
⑨稀土鍍鉻液在傳統(tǒng)鍍鉻液的基礎(chǔ)上加入一定量的稀土元素及氟離子。采用稀土元素可降低鉻酐的濃度、拓寬施鍍溫度范圍(10~50℃)及陰極電流密度范圍(5~30A/dm2),降低槽壓,改善鍍層的光亮度及硬度。使鍍鉻生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)低溫度、低能耗、低污染和高效率,即所謂的"三低一高"鍍鉻工藝。但對于鍍液的穩(wěn)定性和可靠性,目前尚有不同的看法,尤其是對其機(jī)理的研究還有待深入。