不是 "蕭特基效應(yīng)"、"蕭特基二極管",應(yīng)該是 "肖特基效應(yīng)"、 "肖特基二極管"。
中文名稱 | 二極體 | 外文名稱 | Diode |
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性質(zhì) | 電子元件 |
二極體基本運(yùn)作
這里針對(duì)半導(dǎo)體二極體的運(yùn)作原理,選擇基本的PN接面(PN接面)型二極體作為例子,簡單地說
明其特性。讀者若是想了解真空管二極體的運(yùn)作原理,請(qǐng)參閱真空管的條目。
PN接面(PN接面)二極體是N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體互相結(jié)合所構(gòu)成。PN接面(PN接面)區(qū)彼此的電子和電洞相互抵銷,造成主要載流子不足,形成空乏層。在空乏層內(nèi)N型側(cè)帶正電,P型側(cè)帶負(fù)電,因此內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)靜電場(chǎng),空乏層的兩端存在電位差。但是如果讓兩端的載流子再結(jié)合的話,兩端的電壓差則會(huì)變成零。
順向偏壓(Forward Bias)
順向偏壓時(shí)的PN接面二極體
二極體的陽極側(cè)施加正電壓,陰極側(cè)施加負(fù)電壓,這樣就稱為順向偏壓,所加電壓為順向偏壓。如此N型半導(dǎo)體被注入電子,P型半導(dǎo)體被注入電洞。這樣一來,讓多數(shù)載流子過剩,空乏層縮小、消滅,正負(fù)載流子在PN接合部附近結(jié)合并消滅。整體來看,電子從陰極流向陽極(電流則是由陽極流向陰極)。在這個(gè)區(qū)域,電流隨著偏壓的增加也急遽地增加。伴隨著電子與電洞的再結(jié)合,兩者所帶有的能量轉(zhuǎn)變?yōu)闊?和光)的形式被放出。能讓順向電流通過的必要電壓被稱為開啟電壓,特定順向電流下二極體兩端的電壓稱為順向壓降。
逆向偏壓(Reverse Bias)
逆向偏壓時(shí)的PN結(jié)二極體
在陽極側(cè)施加相對(duì)陰極負(fù)的電壓,就是逆向偏壓,所加電壓為逆向偏壓。這種情況下,因?yàn)镹型區(qū)域被注入電洞,P型區(qū)域被注入電子,兩個(gè)區(qū)域內(nèi)的主要載流子都變?yōu)椴蛔?,因此結(jié)合部位的空乏層變得更寬,內(nèi)部的靜電場(chǎng)也更強(qiáng),擴(kuò)散電位也跟著變大。這個(gè)擴(kuò)散電位與外部施加的電壓互相抵銷,讓逆向的電流更難以通過。更多的細(xì)節(jié)請(qǐng)參閱「PN接面」條目。
實(shí)際的元件雖然處於逆向偏壓狀態(tài),也會(huì)有微小的逆向電流(漏電流、漂移電流)通過。當(dāng)逆向偏壓持續(xù)增加時(shí),還會(huì)發(fā)生隧道擊穿或雪崩擊穿或崩潰,發(fā)生急遽的電流增加。開始產(chǎn)生這種擊穿現(xiàn)象的(逆向)電壓被稱為擊穿電壓或崩潰電壓。超過擊穿電壓以后逆向電流急遽增加的區(qū)域被稱為擊穿區(qū)(崩潰區(qū))。在擊穿區(qū)內(nèi),電流在較大的范圍內(nèi)變化而二極體逆向壓降變化較小。穩(wěn)壓二極體就利用這個(gè)區(qū)域的動(dòng)作特性而制成,可以作為電壓源使用。
接面電壓
當(dāng)二極體的P-N接面處於順向偏壓時(shí),必須有相當(dāng)?shù)碾妷罕挥脕碡炌辗^(qū),導(dǎo)致形成一逆向的電壓源,此電壓源的電壓值就稱為接面電壓,矽半導(dǎo)體的接面電壓約0.6V~0.7V,鍺半導(dǎo)體的約0.3~0.4V
簡介:習(xí)慣上說的對(duì)地打阻值,或者對(duì)地測(cè)數(shù)值,最準(zhǔn)確的應(yīng)該叫做二極體值。這是最常用的測(cè)量方法,
關(guān)鍵字:二極體值,測(cè)量二極體值,對(duì)地?cái)?shù)值
習(xí)慣上說的對(duì)地打阻值,或者對(duì)地測(cè)數(shù)值,最準(zhǔn)確的應(yīng)該叫做二極體值。這是最常用的測(cè)量方法,原理是測(cè)量接地點(diǎn)到測(cè)試點(diǎn)的壓降值。使用方法也比較簡單,把萬用表開到二極體檔,然后紅色表筆接地,黑色表筆接欲測(cè)量之位置。然后看萬用表上的讀數(shù)即可。一般用在測(cè)量各個(gè)基本電壓如12V,5V,3.3V,5VSB,3VSB等是否對(duì)地短路和量測(cè)控制信號(hào)和AD信號(hào)線是否短路和開路。二極體測(cè)試法是一個(gè)很重要也很有效的測(cè)試方法,例如在主板不加電的時(shí)候,我們可以用來測(cè)量ATX插座上的12V,5V,3.3V是否對(duì)地有短路或微短現(xiàn)象。來確定上述的幾個(gè)重要電壓是否短路。又如測(cè)量PCI上的AD線的對(duì)地二極體值,可以確定南橋到PCI的AD線是否有開路和短路,來判斷南橋工作是否正常。測(cè)量USB口,網(wǎng)卡接口,COM口,LPT口信號(hào)線的對(duì)地二極體值,可以用來判斷相應(yīng)的端口和控制芯片是否工作正常等。
二極值的叫法,是臺(tái)灣的叫法,在大陸也并無具體的稱呼,由于在指針表時(shí)代,這個(gè)檔,只能測(cè)對(duì)地電阻,所以,老的叫法是對(duì)地打阻值,我們目前維修主板,普遍使用數(shù)字表,那么使用二極管檔,即反映電阻,也反映壓降。因?yàn)椴缓谜揖唧w的詞來定義,在本書中,各章節(jié)中提到的對(duì)地阻值,對(duì)地?cái)?shù)值、接口的數(shù)值、二極體值,均是同一個(gè)含義,因?yàn)檫@個(gè)不等同于電阻,所以,后面是沒有單位的(貌似我在數(shù)字萬用表上看到的有單位,單位是:伏(V))。
二極體具有陽極(anode)和陰極(Cathode)兩個(gè)端子(這些用語來自於真空管),電流只能往單一方向流動(dòng)。也就是說,電流可以從陽極流向陰極,不能從陰極流向陽極(單向性)。這種特性就被稱之為整流作用。在真空管內(nèi),藉由電極之間加上的電壓能夠讓熱電子從陰極到達(dá)陽極,因而有整流的作用。
半導(dǎo)體二極體中,有利用P型和N型兩種半導(dǎo)體接合面的PN接面效應(yīng),也有利用金屬與半導(dǎo)體接合產(chǎn)生的蕭特基效應(yīng)達(dá)到整流作用的類型。若是PN接面型的二極體,在P型側(cè)就是陽極,N型側(cè)則是陰極。
型號(hào): KTX403U 描述: EPITAXIAL PLANAR NPN &nb...
這樣放是B. 電池正極連接二極管P,負(fù)極連接二極管N,就是正向?qū)?。P是英文正極首字母,N是英文負(fù)極首字母。 (記憶)正極連接正極,負(fù)極連接負(fù)極,就是正向?qū)?。三角形大頭是正極,小頭是負(fù)極。反之,截至...
普通二極管的檢測(cè) (包括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開關(guān)二極管、續(xù)流二極管)是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娞匦?。通過用萬用表檢測(cè)其正、反向電阻值,可以判別出二極管的電極,還可估測(cè)...
利用半導(dǎo)體中PN接合的整流性質(zhì),是最基本的半導(dǎo)體二極體。細(xì)節(jié)請(qǐng)參照PN接面的條目。
肖特基二極體(Schottky Barrier Diode)利用金屬和半導(dǎo)體二者的接合面的'肖特基效應(yīng)'的整流作用。由於順向的切入電壓較低,導(dǎo)通回復(fù)時(shí)間也短,適合用於高頻率的整流。一般而言漏電流較多,突波耐受度較低。也有針對(duì)此缺點(diǎn)做改善的品種推出。
穩(wěn)壓二極體(Reference Diode)(常用稱法:齊納二極體(Zener Diode))被施加反方向電壓的場(chǎng)合,超過特定電壓時(shí)發(fā)生的逆向擊穿電壓隨逆向電流變化很小,具有一定的電壓穩(wěn)定能力。利用此性質(zhì)做成的元件被用於電壓基準(zhǔn)。藉由摻雜物的種類、濃度,決定擊穿電壓(破壞電壓)。其順向特性與一般的二極體相同。
恒流二極體(或稱定電流二極體,CRD、Current Regulative Diode,Constant Current Diode)被施加順方向電壓的場(chǎng)合,無論電壓多少,可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然被稱為二極體,但是構(gòu)造、動(dòng)作原理都與接合型電場(chǎng)效應(yīng)電晶體相似。
變?nèi)荻O體(Variable Capacitance Diode、Varactor Diode)施加逆向電壓的場(chǎng)合,二極體PN接合的空乏層厚度會(huì)因電壓不同而變化,產(chǎn)生靜電容量(接合容量)的變化,可當(dāng)作由電壓控制的可變電容器使用。沒有機(jī)械零件所以可靠度高,廣泛應(yīng)用於壓控振湯器(VCO)或可變電壓濾波器,也是電視接收器和行動(dòng)電話不可缺少的零件。
發(fā)光二極體(Light-Emitting Diode,LED)可以發(fā)光的二極體。由發(fā)光種類與特性又有紅外線二極體、各種顏色的可見光二極體、紫外線二極體等。
雷射二極體(Laser Diode)當(dāng)LED產(chǎn)生的光是頻寬極窄的同調(diào)光(Coherent Light)時(shí),則稱為雷射二極體。
光電二極體(Photo Diode)光線射入PN接面,P區(qū)電洞、N區(qū)電子大量發(fā)生,產(chǎn)生電壓(光電效應(yīng))。藉由測(cè)量此電壓或電流,可作為光感應(yīng)器使用。有PN、PIN、蕭特基、APD等類型。太陽電池也是利用此種效應(yīng)。
隧道二極體(Tunnel Diode)、江崎二極體(Esaki Diode)、透納二極體由日本人江崎玲於奈於1957年發(fā)明。是利用量子穿隧效應(yīng)的作用,會(huì)出現(xiàn)在一定偏壓范圍內(nèi)順向電壓增加時(shí)流通的電流量反而減少的「負(fù)電阻」的現(xiàn)象。這是最能耐受核輻射的半導(dǎo)體二極體。
PIN二極體(P-intrinsic-N Diode)PN之間一層高電阻的半導(dǎo)體層,使少數(shù)載子的積蓄效果增加,逆回復(fù)時(shí)間也較長。利用順向偏壓時(shí)高頻率訊號(hào)較容易通過的性質(zhì),用於天線的頻帶切換以及高頻率開關(guān)。
耿效應(yīng)二極體(Gunn Diode)應(yīng)用於低功率微波振湯器。
二極真空管氣體放電管整流器針狀電極和平板電極相向接近尖端放電。若把針狀電極當(dāng)做負(fù)極,比較低的電壓就會(huì)開始放電。利用這樣的性質(zhì)來做當(dāng)作整流器。
點(diǎn)接觸二極體用鎢之類的金屬針狀電極與N型半導(dǎo)體的表面接觸,此構(gòu)造的特徵是寄生電容非常小。采用於鍺質(zhì)二極體和耿效應(yīng)二極體。礦石收音機(jī)中使用的礦石檢波器也是一種點(diǎn)接觸二極體。
交流二極體(DIAC)、突波保護(hù)二極體、雙向觸發(fā)二極體當(dāng)施加超過規(guī)定電壓(Break Over電壓,VBO)的電壓會(huì)開始導(dǎo)通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用於電路的突波保護(hù)上。另,雖被稱為二極體,實(shí)際的構(gòu)造、動(dòng)作原理都應(yīng)歸類為閘流管/;矽控整流器整流器(thyristor/SCR)的復(fù)雜分類中。
非線性電阻器(英文:Varistor,日文:バリスタ)若超過一定電壓,電阻就會(huì)降低。是保護(hù)電路受到突波電壓傷害的雙向元件。通常由二氧化鋅的燒結(jié)體顆粒制成,當(dāng)作非線性電阻使用。雖然一般認(rèn)為它的作用應(yīng)是由內(nèi)部眾多金屬氧化物顆粒間的蕭特基接面二極體效應(yīng)而產(chǎn)生,但對(duì)外并不呈現(xiàn)二極體的特性,因此平常并不列在二極體分類之中。
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CNS15437輕鋼架天花板(T-bar)嵌入型發(fā)光二極體燈具
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發(fā)光二極管 (LED)失效分析 時(shí)間 : 2009-12-27 15:17 來源 : unknown 作者 : 11 點(diǎn)擊 : 1 次 發(fā)光二極管 (LED)失效分析 2009年 06月 27日星期六 12: 17LED(Light-Emitting-Diode 中文意思為發(fā)光二極管 )是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化 為可見光的半導(dǎo)體, 它改變了白熾燈鎢絲發(fā)光與節(jié)能燈三基色粉發(fā)光的原理, 而 采用電場(chǎng)發(fā)光。據(jù) 發(fā)光二極管 (LED)失效分析 2009年 06月 27日星期六 12: 17LED(Light-Emitting-Diode 中文意思為發(fā)光二極管 )是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化 為可見光的半導(dǎo)體, 它改變了白熾燈鎢絲發(fā)光與節(jié)能燈三基色粉發(fā)光的原理, 而 采用電場(chǎng)發(fā)光。據(jù)分析。 LED 的特點(diǎn)非常明顯。 壽命長、光效高、無輻射與低功耗。 LED的光譜幾乎全部集中于可見光 頻段。 其發(fā)光
發(fā)光二極體是一種特殊的二極體。和普通的二極體一樣,發(fā)光二極體由半導(dǎo)體晶片組成,這些半導(dǎo)體材料會(huì)預(yù)先透過注入或攙雜等工藝以產(chǎn)生p、n架構(gòu)。與其它二極體一樣,發(fā)光二極體中電流可以輕易地從p極(陽極)流向n極(負(fù)極),而相反方向則不能。兩種不同的載流子:空穴和電子在不同的電極電壓作用下從電極流向p、n架構(gòu)。當(dāng)空穴和電子相遇而產(chǎn)生復(fù)合,電子會(huì)跌落到較低的能階,同時(shí)以光子的模式釋放出能量(光子也即是我們常稱呼的光)。
它所發(fā)出的光的波長(顏色)是由組成p、n架構(gòu)的半導(dǎo)體物料的禁帶能量決定。由於矽和鍺是間接帶隙材料,在常溫下,這些材料內(nèi)電子與空穴的復(fù)合是非輻射躍遷,此類躍遷沒有釋出光子,而是把能量轉(zhuǎn)化為熱能,所以矽和鍺二極體不能發(fā)光(在極低溫的特定溫度下則會(huì)發(fā)光,必須在特殊角度下才可發(fā)現(xiàn),而該發(fā)光的亮度不明顯)。發(fā)光二極體所用的材料都是直接帶隙型的,因此能量會(huì)以光子形式釋放,這些禁帶能量對(duì)應(yīng)著近紅外線、可見光、或近紫外線波段的光能量。
發(fā)展初期,采用砷化鎵(GaAs)的發(fā)光二極體只能發(fā)出紅外線或紅光。隨著材料科學(xué)的進(jìn)步,各種顏色的發(fā)光二極體,現(xiàn)今皆可制造。
中國傳統(tǒng)上的紫色以物理上光譜波長劃分有兩種:一種是波長由380nm至450nm的是段單色可見光,英語上稱為Violet,較接近紫藍(lán)色;而另一種是由紅光加上藍(lán)光混合而成,英語上稱為Purple,較接近紅色。要注意的是雖然中文名稱同叫作紫色,但物理性質(zhì)有所不同,當(dāng)兩個(gè)較長的波段紅、藍(lán)光混合一起時(shí)所產(chǎn)生的光譜會(huì)是紅藍(lán)光的光譜重疊在一起,而不會(huì)有比藍(lán)光波長更短的光產(chǎn)生。黃磷又名白磷。