發(fā)光效率是一個(gè)光源的參數(shù),它是光通量與功率的比值。根據(jù)情況不同,此功率可以指光源輸出的輻射通量,或者是提供光源的能(可以是電能,化學(xué)能等)。發(fā)光效率中的功率通常要根據(jù)情境而定,但在很多情況下都指代不明。前者的定義有時(shí)叫輻射發(fā)光效率,后者稱電源發(fā)光效率。 電源發(fā)光效率為一種:測(cè)量電能提供光源發(fā)出可見光的效率,也就是輻射通量對(duì)輸入電功率的比值 。輻射發(fā)光效率描述:光源提供可見光的效率,也就是光通量對(duì)輻射通量的比值。因人眼的結(jié)構(gòu),并非所有波長(zhǎng)的光能見度都一樣。紅外光和紫外光的光譜對(duì)于發(fā)光效率不造成影響。光源的發(fā)光效率與光源把能量轉(zhuǎn)化為電磁輻射的能力以及人眼感知所發(fā)出的輻射的能力有關(guān)。
中文名稱 | 發(fā)光效率(簡(jiǎn)稱光效) | 外文名稱 | luminous efficiency |
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定義 | 光通量與功率的比值 | 別稱 | 光源輸出的輻射通量 |
公式 | i |
發(fā)光效率換算
λ0、λi各為發(fā)射及激發(fā)光的波長(zhǎng)。由于斯托克斯位移,常有ηq≥ηp的關(guān)系。
發(fā)光效率還可分為外部效率及內(nèi)部效率;外部效率只考慮輸出的光能與投向發(fā)光體的光能或電能之比,而且是吸收的能量轉(zhuǎn)化為光能的純轉(zhuǎn)化效率。輸入光由于反射和再吸收受到損失,因此,外部效率總是小于(或接近于)內(nèi)部效率,后者才是反映能量轉(zhuǎn)換過程的真實(shí)參數(shù)。
發(fā)光效率的大小反映發(fā)光體內(nèi)部能量激發(fā)、能量傳遞、復(fù)合發(fā)光以及無(wú)輻射復(fù)合過程的總效果,它與發(fā)光體的成分、發(fā)光中心的種類及濃度、共激活劑的選擇、有害雜質(zhì)(猝滅中心)的控制以及發(fā)光晶體的完整性,甚至與具體的工藝過程有關(guān)。
下表列出幾類實(shí)用發(fā)光體光度效率的參考值:
功率效率ηP是指發(fā)光體輸出的發(fā)射功率P0與輸入的激發(fā)功率Pi(光功率、電子束功率、電注入功率等)之比:ηP=P0/Pi,是一個(gè)無(wú)量綱的小于1的常數(shù)。因?yàn)槎鄶?shù)發(fā)光體用于顯示和照明,其功能是用人眼衡量的,但人眼只感覺可見光,且對(duì)不同波長(zhǎng)的靈敏度也很不相同。因此,發(fā)射光譜不同的發(fā)光體,即使它們有相同的功率效率,人眼所見的亮度也不同。要反映這樣的差別可用光度效率η1,它是發(fā)光體的發(fā)光通量Ф(以流明為單位)和激發(fā)功率Pi之比,η1=Ф/Pi,單位為流明/瓦。
顯然,如已知發(fā)光體的發(fā)射光譜,則功率效率與光度效率可以相互換算。
在對(duì)發(fā)光體的基礎(chǔ)研究中,尤其對(duì)于光致發(fā)光及注入式電致發(fā)光體,常用量子效率ηq表征發(fā)光效率。量子效率是指發(fā)光體發(fā)射的光子數(shù)N0與激發(fā)時(shí)吸收的光子數(shù)或注入的電子(空穴)數(shù)Ni之比:ηq=N0/Ni,是一個(gè)無(wú)量綱的數(shù)值。
對(duì)于光致發(fā)光材料,當(dāng)激發(fā)與發(fā)射均為單色光或接近單色光時(shí),量子效率與功率效率可以通過表式。
建筑模型射燈:電壓:1.8-2V,腳長(zhǎng):3.2cm,電流:15-20MA,亮度:超高亮,光源:聚光發(fā)光二極管的作用: 二極管是最常用的建筑模型環(huán)境燈,模型地塊裝飾燈柱,模型古樹七彩...
發(fā)光效率是一個(gè)光源的參數(shù)。它是光通量與功率的比值,此功率指的是光源輸出的輻射通量,或者是提供光源的電能,前者的定義有時(shí)叫輻射發(fā)光效率,后者稱電源發(fā)光效率。 電源發(fā)光效率為一種:...
白熾燈除了發(fā)出可見光,還有很大一部分能量以熱量形式輻射掉了. 日光燈屬于冷光源,相對(duì)輻射的熱量不多,大部分用于發(fā)光. 這是我的理解.
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白光 LED的發(fā)光效率的提高方法? 檢舉 | 2008-12-22 09:16 滿意回答 LED 的發(fā)光效率其實(shí)分為兩大塊:內(nèi)量子效率和外量子效率,對(duì)于內(nèi)量子效率 通俗講也就是電子躍遷產(chǎn)生光子的效率。 如何提高效率就是 1.降低非輻射躍遷- -減少非輻射的復(fù)合中心(主要是晶體缺陷) 2.形成穩(wěn)定的需要的能級(jí)差-- a. 有效摻雜 b.降低結(jié)溫 其實(shí)現(xiàn)在這部分技術(shù)相當(dāng)成熟了, 國(guó)外有很多的相關(guān)文獻(xiàn)可以參考, 基本可以達(dá) 到 80%甚至 90%以上 而外量子效率遠(yuǎn)沒有這樣高,也就是光子產(chǎn)生了,卻無(wú)法有效放出,被 LED 吸 收產(chǎn)生為熱能導(dǎo)致結(jié)溫升高,同時(shí)降低內(nèi)量子效應(yīng)才是問題的關(guān)鍵。 一、透明襯底技術(shù) InGaAlP LED 通常是在 GaAs 襯底上外延生長(zhǎng) InGaAlP 發(fā)光區(qū) GaP 窗口區(qū)制 備而成。與 InGaAlP 相比,GaAs 材料具有小得多的禁帶寬度,因此,當(dāng)短波長(zhǎng)
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光源發(fā)光效率
光源發(fā)光效率是指一個(gè)光源所發(fā)出的光通量 φ 與該光源所消耗的電功率 P之比。
一般稱為組件的外部量子效率,其為組件的內(nèi)部量子效率與組件的取出效率的乘積。所謂組件的內(nèi)部量子效率,其實(shí)就是組件本身的電光轉(zhuǎn)換效率,主要與組件本身的特性(如組件材料的能帶、缺陷、雜質(zhì))、組件的壘晶組成及結(jié)構(gòu)等相關(guān)。而組件的取出效率則指的是組件內(nèi)部產(chǎn)生的光子,在經(jīng)過組件本身的吸收、折射、反射后,實(shí)際在組件外部可測(cè)量到的光子數(shù)目。因此,關(guān)于取出效率的因素包括了組件材料本身的吸收、組件的幾何結(jié)構(gòu)、組件及封裝材料的折射率差及組件結(jié)構(gòu)的散射特性等。而組件的內(nèi)部量子效率與組件的取出效率的乘積,就是整個(gè)組件的發(fā)光效果,也就是組件的外部量子效率。早期組件發(fā)展集中在提高其內(nèi)部量子效率,主要方法是通過提高壘晶的質(zhì)量及改變壘晶的結(jié)構(gòu),使電能不易轉(zhuǎn)換成熱能,進(jìn)而間接提高LED的發(fā)光效率,從而可獲得70%左右的理論內(nèi)部量子效率,但是這樣的內(nèi)部量子效率幾乎已經(jīng)接近理論上的極限。在這樣的狀況下,光靠提高組件的內(nèi)部量子效率是不可能提高組件的總光量的,因此提高組件的取出效率便成為重要的研究課題。方法主要是:晶粒外型的改變——TIP結(jié)構(gòu),表面粗化技術(shù)。