FBD內(nèi)存

與現(xiàn)有的普通DDR2內(nèi)存相比，F(xiàn)B-DIMM技術(shù)具有極大的優(yōu)勢:在內(nèi)存頻率相同的情況下能提供四倍于普通內(nèi)存的帶寬，并且能支持的最大內(nèi)存容量也達到了普通內(nèi)存的24倍，系統(tǒng)最大能支持192GB內(nèi)存。FB-DIMM最大的特點就是采用已有的DDR2內(nèi)存芯片(以后還將采用DDR3內(nèi)存芯片)，但它借助內(nèi)存PCB上的一個緩沖芯片AMB(Advanced Memory Buffer，高級內(nèi)存緩沖)將并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為串行數(shù)據(jù)流，并經(jīng)由類似PCI Express的點對點高速串行總線將數(shù)據(jù)傳輸給處理器。

與普通的DIMM模塊技術(shù)相比，F(xiàn)B-DIMM與內(nèi)存控制器之間的數(shù)據(jù)與命令傳輸不再是傳統(tǒng)設(shè)計的并行線路，而采用了類似于PCI-Express的串行接口多路并聯(lián)的設(shè)計，以串行的方式進行數(shù)據(jù)傳輸。在這種新型架構(gòu)中，每個DIMM上的緩沖區(qū)是互相串聯(lián)的，之間是點對點的連接方式，數(shù)據(jù)會在經(jīng)過第一個緩沖區(qū)后傳向下一個緩沖區(qū)，這樣，第一個緩沖區(qū)和內(nèi)存控制器之間的連接阻抗就能始終保持穩(wěn)定，從而有助于容量與頻率的提升。

FBD（Function Block Diagram） 功能塊圖 一種編程語言

功能塊圖用來描述功能、功能塊和程序的行為特征，還可以在順序功能流程圖中描述步、動作和轉(zhuǎn)變的行為特征。功能塊圖與電子線路圖中的信號流圖非常相似，在程序中，它可看作兩個過程元素之間的信息流。功能塊圖普遍地應(yīng)用在過程控制領(lǐng)域。

功能塊用矩形塊來表示，每一功能塊的左側(cè)有不少于一個的輸入端，在右側(cè)有不少于一個的輸出端，功能塊的類型名稱通常寫在塊內(nèi)，但功能塊實例的名稱通常寫在塊的上部，功能塊的輸入輸出名稱寫在塊內(nèi)的輸入輸出點的相應(yīng)地方。

1. 功能塊圖的信號流

在功能塊網(wǎng)路中，信號通常是從一個功能或功能塊的輸出傳遞到另一個功能或功能塊的輸入。信號經(jīng)由功能塊左端流入，并求值更新，在功能塊右端流輸出。

布爾信號的取反

在使用布爾信號時，功能或功能塊的取反輸入或輸出可以在輸入端或輸出端用一個小圓點來表示，這種表示與在輸入端或輸出端加一個“取反”功能是一致的。

信號反饋

功能塊圖允許功能塊的輸出反饋回網(wǎng)路左側(cè)的功能塊輸入，形成反饋路徑。

2 功能塊網(wǎng)路設(shè)計

功能塊圖的設(shè)計首先應(yīng)該保證主信號流的線路清晰，避免過多的信號跨接和線路方向改變。

3 功能的執(zhí)行控制

功能塊圖網(wǎng)路中的功能執(zhí)行控制隱含地從各功能所處的位置中表現(xiàn)出來。每一功能的執(zhí)行隱含地是由一個輸入使能EN控制，該輸入EN是一個布爾類型變量，允許功能有選擇的求值。當輸入EN為TRUE時，該功能就執(zhí)行，否則,功能不執(zhí)行。功能的輸出ENO也是一個布爾變量，當ENO從FALSE變成TRUE就表明功能已經(jīng)完成了求值。

4 跳轉(zhuǎn)和標注

功能塊圖允許使用“Jump”功能使得功能塊圖控制從程序的一個部分跳轉(zhuǎn)到另一個由標識符“Lable”標識的部分繼續(xù)執(zhí)行。在一個跳轉(zhuǎn)的實例中：當GasLevel的值超過0。15時，相應(yīng)的控制即轉(zhuǎn)移到有表識符GAS_ALARM的程序段繼續(xù)執(zhí)行。

可以說，現(xiàn)有或者即將上市的雙核服務(wù)器，基本都會采用新一代的FBD技術(shù)。但是不同廠商對于FBD的采用還是有區(qū)別的，無論從支持的服務(wù)器的機型級別，還是從采用此項新技術(shù)的機型數(shù)量來講，我們都能從中看出諸多端倪。

HP：雙路升級機型支持FBD

HP網(wǎng)站公布支持雙核處理器的2路機型，如ML 350G5、ML370G5、DL360G5和DL380G5都采用全新的全緩沖FBD技術(shù)，使用PC-5300的內(nèi)存。

其中ML 350G5內(nèi)存標配采用1GB (2 x 512MB) PC2-5300 (全緩沖DDR2 667)內(nèi)存，具有高級 ECC 和在線備用功能，最大為16GB;ML370G5內(nèi)存標配采用2GB (2 x 1GB) PC2-5300 (全緩沖DDR2 667)內(nèi)存，帶有高級 ECC、在線備用和鏡像。由于還提供一個內(nèi)存板，因此使最大內(nèi)存達到64GB。

DL360G5采用1GB (2 x 512MB) PC2-5300 (533MHz) 和2GB (2 x 1GB) PC2-5300(667MHz)全緩沖內(nèi)存，配有高級 ECC 功能(多位故障防護)、在線備用內(nèi)存、鏡像，最大可達32GB。DL380G5采用2GB (2 x 1GB) PC2-5300(533MHz)和4GB (4 x 1GB) 4:1 交叉 PC2-5300 (667MHz)兩種可選的全緩沖 DIMM DDR2-667 SDRAM，兼有高級內(nèi)存保護技術(shù)。

從市場的貨源情況來看，市場上有貨的機型為ML 350G5。但也僅是個別經(jīng)銷商，尚未在渠道中普及開來。從產(chǎn)品的價格來看，512 MB PC5300 ECC DDR2 (1 x512MB)的價格在1400元左右。

IBM：FBD應(yīng)用在高端

IBM對于全新FBD技術(shù)應(yīng)用較為謹慎，從所發(fā)布的機型來看，真正意義上的FBD技術(shù)還尚未實際采用。雖然從IBM的官方網(wǎng)站上，我們可以看到System X 3500標配1GB的PC2-5300 DDR2 SDRAM ，機柜式X 3650和X 3550都采用1GB的PC2-5300 DDR2 SDRAM ，內(nèi)存后所標注的Chipkill字樣，也僅代表熱插拔、在線備份、具有鏡像等功能。

據(jù)IBM的核心經(jīng)銷商反映：現(xiàn)有的DDR2 SDRAM 內(nèi)存配合Intel 5000系列的處理器，只是過渡配置。真正意義上的雙核Intel 5100系列處理器上市，還需等到9月中旬，整個系列的全部更新估計要到十月份。因此，可以這樣說，F(xiàn)BD的應(yīng)用還要期待一段時間。

DELL：雙路機型普遍支持FBD

DELL認為全緩沖內(nèi)存技術(shù)不僅在速度上實現(xiàn)三倍提升，在最大內(nèi)存容量支持方面也提升了4倍，最高可以支持64GB容量的內(nèi)存。DELL的2路服務(wù)器，如塔式PE 2900，機架PE 1950和PE 2950的內(nèi)存都已經(jīng)采用了FBD技術(shù)。

PE 2900擁有12個FBD DIMM插槽，支持高達48GB主內(nèi)存。提供256M/512M/1GB/

2GB/4GB FBD多種內(nèi)存，同時擁有錯誤糾正編碼(ECC)和單設(shè)備數(shù)據(jù)糾正(SDDC)技術(shù)，保持系統(tǒng)數(shù)據(jù)完整性，并有助于防止某個DIMM中的某個內(nèi)存芯片組故障所引發(fā)的內(nèi)存故障。PE 1950和PE 2950擁有高達32GB ECC全緩沖DIMM內(nèi)存;其中PE 1950采用三星1GB DDR2 533 FBD的內(nèi)存。

從市場的貨源情況來看，三個系列的產(chǎn)品在市場中都有現(xiàn)貨。單根1GB的DDR2 533 FBD價格在1800元。

聯(lián)想：2路中低端服務(wù)器劍指FBD

在聯(lián)想7月底出臺的產(chǎn)品調(diào)整方案里，我們看到其服務(wù)器產(chǎn)品已采用全新的支持四通道內(nèi)存讀寫技術(shù)，結(jié)合DDR2-533 FBD內(nèi)存，SAS硬盤及硬盤模組(熱插拔及非熱插拔)等技術(shù)，以最大限度地配合雙核處理器5000系列的效能發(fā)揮。其突出特點是在2路中低端大膽采用最新的FBD技術(shù)，而且應(yīng)用FBD機型的數(shù)量較多。

首先，聯(lián)想在2路部門級的T350和R350，紛紛從G5升級到G6，最大特點就是配置了1G FBD ECC DDR2-533的內(nèi)存，而且可以通過8個DIMM內(nèi)存插槽的擴展，最大達到16GB。其次，聯(lián)想在2路低端的機架式R510和R520服務(wù)器上，也大膽采用Fully Buffer DIMM 533內(nèi)存，支持高級ECC功能，支持內(nèi)存熱備份，在保證了內(nèi)存系統(tǒng)的穩(wěn)定可靠性的同時，整體內(nèi)存性能比DDRII 400提升30%。升級后的R510G6和R520G6機型都標配了兩條512M FBD ECC DDR2-533內(nèi)存。

在聯(lián)想升級機型中，采用最新FBD技術(shù)的機型，其數(shù)量已經(jīng)達到14款。其中T350G6和R350G6各3款，R510G6和R520G6各4款。如單以數(shù)量比較來看，聯(lián)想此次的動作已大大超出其他國外廠商的產(chǎn)品線。

但稍有遺憾的是，上述升級機型在市場中暫時沒有現(xiàn)貨，還需要有一周的訂貨周期。在價格方面，一根512M FBD ECC DDR2-533內(nèi)存的價格為1500元，一根1G FBD ECC DDR2-533內(nèi)存的價格為3500元。

浪潮：雙路機型普遍采用FBD

浪潮的行動雖然比聯(lián)想稍晚半個多月，但在8月中旬，從浪潮向經(jīng)銷商提供的最新配置表來看，其中的2路機型的配置中，服務(wù)器內(nèi)存幾乎都采用FBD的技術(shù)。

這一點，可以從具體配置中得以證實。浪潮英信NP370D、NL230D、NL380D，機架式的NF190D、NF280D和NF380D都采用1G DDR2 FBD的內(nèi)存。由于是新升級的機型，大部分還需要訂貨。512M ECC FBD 內(nèi)存的價格在1500元，1G ECC FBD 內(nèi)存的價格在3000元。

綜合來看，F(xiàn)BD的技術(shù)已經(jīng)在國內(nèi)外廠商中普遍采用，雖然各家所持態(tài)度不盡相同，應(yīng)用的范圍和機型級別不同，但未來作為廉價、平滑升級的FB-DIMM還是擁有極大的勝算，想必DDR2系統(tǒng)終結(jié)于2007年，縱然隨后會推出DDR3，可是考慮到FB-DIMM為Intel自己的杰作，我們幾乎可以斷定FB-DIMM將成為傳統(tǒng)DDR體系的終結(jié)者，這一點僅僅是時間上的問題。

FB-DIMM技術(shù)是Intel為了解決內(nèi)存性能對系統(tǒng)整體性能的制約而發(fā)展出來的，在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上實現(xiàn)了跨越式的性能提升，同時成本也相對低廉。在整個計算機系統(tǒng)中，內(nèi)存可謂是決定整機性能的關(guān)鍵因素，光有快的CPU，沒有好的內(nèi)存系統(tǒng)與之配合，CPU性能再優(yōu)秀也無從發(fā)揮。這種情況是由計算機原理所決定的，CPU在運算時所需要的數(shù)據(jù)都是從內(nèi)存中獲取，如果內(nèi)存系統(tǒng)無法及時給CPU供應(yīng)數(shù)據(jù)，CPU不得不長時間處在一種等待狀態(tài)，硬件資源閑置，性能自然無從發(fā)揮。對于普通的個人電腦來說，由于是單處理器系統(tǒng)，內(nèi)存帶寬已經(jīng)能滿足其性能需求；而對于多路的服務(wù)器來說，由于是多處理器系統(tǒng)，其對內(nèi)存帶寬和內(nèi)存容量是極度渴求的，傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)無法滿足其需求了。這是因為普通DIMM采用的是一種“短線連接”(Stub-bus)的拓撲結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)中，每個芯片與內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)總線都有一個短小的線路相連，這樣會造成電阻抗的不繼續(xù)性，從而影響信號的穩(wěn)定與完整，頻率越高或芯片數(shù)據(jù)越多，影響也就越大。雖然Rambus公司所推出的的XDR內(nèi)存等新型內(nèi)存技術(shù)具有極高的性能，但是卻存在著成本太高的問題，從而使其得不到普及。而FB-DIMM技術(shù)的出現(xiàn)就較好的解決了這個問題，既能提供更大的內(nèi)存容量和較理想的內(nèi)存帶寬，也能保持相對低廉的成本。FB-DIMM與XDR相比較，雖然性能不及全新架構(gòu)的XDR，但成本卻比XDR要低廉得多。

所謂內(nèi)存同步，就是內(nèi)存頻率與CPU外頻運行在同一頻率。也就是說，在內(nèi)存同步的情況下，內(nèi)存頻率=CPU外頻。比如當200MHz外頻的 P4 520與內(nèi)存同步時，內(nèi)存也運行在200MHz外頻上。由于使用的是DDR內(nèi)存，所以內(nèi)存的頻率=200MHz×2=400MHz（DDR400）。

6502色漿綠FBD是一種化工原料。

6502色漿綠FBD又稱65fl2涂料色漿綠FF}或6502涂料色漿艷綠 FBD。綠色漿狀。具有徐料色漿的通性二由酞著綠、平平加 和甘油經(jīng)調(diào)和、磨細后，以水稀釋而成。適用于涂料印花和塑 料薄膜的印花。 2100433B

內(nèi)存異步技術(shù)則是讓內(nèi)存頻率與CPU外頻不同，內(nèi)存頻率=CPU外頻×N/M（特定的一個比值）。200MHz外頻的P4 520在內(nèi)存異步時，內(nèi)存可以運行在166MHz，使用DDR333內(nèi)存就可以了。當然，內(nèi)存也可以運行在266MHz，此時系統(tǒng)只需要使用DDR533 內(nèi)存即可。也就是說，N/M的比值可以大于1也可以小于1，即內(nèi)存異步時，內(nèi)存的頻率可以高于或低于CPU外頻。