復(fù)合平帶簡介

中文名稱

復(fù)合平帶

英文名稱

laminated belt

定　　義

由尼龍片基或滌綸繩為承載層，工作面貼鉻鞣革或掛膠帆布等層壓而成的平帶。

應(yīng)用學(xué)科

機(jī)械工程（一級(jí)學(xué)科），傳動(dòng)（二級(jí)學(xué)科），帶傳動(dòng)（三級(jí)學(xué)科）

平帶狀態(tài)一般是指理想MOS系統(tǒng)中各個(gè)區(qū)域的能帶都是拉平的一種狀態(tài)。對(duì)于實(shí)際的MOS系統(tǒng)，由于金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)差φms和Si-SiO2系統(tǒng)中電荷Qf 的影響, 在外加?xùn)艠O電壓為0 時(shí)，半導(dǎo)體表面的能帶即發(fā)生了彎曲，從而這時(shí)需要另外再加上一定的電壓才能使能帶拉平，這個(gè)額外所加的電壓就稱為平帶電壓

對(duì)于體相的半導(dǎo)體材料而言，我們可以通過Mott-Schottly公式推算，進(jìn)行簡化戳通過作圖大體上計(jì)算出其平帶電位，但是對(duì)于納米級(jí)別的半導(dǎo)體材料則主要是通過儀器的直接測定。

電化學(xué)方法：在三電極體系下，使用入射光激發(fā)半導(dǎo)體電極，并改變電極上的電勢。當(dāng)施加的電位比平帶電位偏負(fù)的時(shí)候，光生電子不能夠進(jìn)入外電路，也就是說不會(huì)產(chǎn)生光電流。相反，當(dāng)施加的電位比平帶電位偏正的時(shí)候，光生電子則能偶進(jìn)入外電路，進(jìn)而產(chǎn)生光電流。所以開始產(chǎn)生光電流的電勢即為該納米半導(dǎo)體的平帶電位。

光譜電化學(xué)方法：該方法同樣是在三電極體系下，對(duì)半導(dǎo)體納米晶施加不同的電位，測量其在固定波長下吸光度的變化?；镜脑砼c電化學(xué)方法大體相同。當(dāng)電極電位比平帶電位正時(shí)，吸光度不發(fā)生變化；偏負(fù)時(shí)則急劇上升。因?yàn)?，吸光度開始急劇上升的電位即為納米半導(dǎo)體的平帶電位。

MOS的閾值電壓是指使半導(dǎo)體表面產(chǎn)生反型層（即溝道）時(shí)所需要外加的柵極電壓。

如果存在平帶電壓，柵壓超過平帶電壓的有效電壓使得半導(dǎo)體表面出現(xiàn)空間電荷層（耗盡層），然后再進(jìn)一步產(chǎn)生反型層；故總的閾值電壓中需要增加一個(gè)平帶電壓部分。

由于平帶電壓中包含有Si-SiO2系統(tǒng)中電荷Qf 的影響，而這些電荷與工藝因素關(guān)系很大，故在制作工藝過程中需要特別注意Na離子等的沾污，以便于控制或者獲得預(yù)期的閾值電壓。