富士功率模塊的技術(shù)參數(shù)

一、u4系列igbt模塊(用于變頻器及各種電源變換) 二、s系列pim模塊(用于變頻器) 三、n系列igbm模塊(用于單進單出ups) 四、r系列ipm模塊(用于變頻器) 五、整流模塊

1、1 in 1 例: 1mbi600s-120 產(chǎn)品中分別內(nèi)置有1 個igbt 和1 個fwd。作為具有電流額定量大的產(chǎn)品，經(jīng)常通過并列連接后用于更大容量的區(qū)域。 2、2 in 1 例: 2mbi450ue-120 產(chǎn)品中分別內(nèi)置有2 個igbt 和2 個fwd。一般以3 臺為一組使用，構(gòu)成pwm 變頻器。另外，也經(jīng)常并列使用電流額定量大的產(chǎn)品。 3、6 in 1 例: 6mbi450u-120 產(chǎn)品中分別內(nèi)置有5 個igbt 和5 個fwd。還有內(nèi)置檢測溫度用熱敏電阻的類型。一般以一臺為一組構(gòu)成pwm 變頻器。 另外，適于并列使用的econopack+tm 也有很大的產(chǎn)品陣容。 4、pim 例: 7mbr75ub120 所謂的7 in 1，就是產(chǎn)品中分別有7 個igbt 和7 個fwd 內(nèi)置于變頻部和制動部。pim 是在上述7 in 1 的基礎(chǔ)上，再內(nèi)置轉(zhuǎn)換器的產(chǎn)品。根據(jù)產(chǎn)品的不同，還有內(nèi)置檢測溫度用熱敏電阻的類型和內(nèi)置電解電容器充電電路中使用的可控硅的類型。 igbt模塊基本上以1 in 1、2 in 1、6 in 1、(7 in 1)、pim 這4 種形式存在的，分別構(gòu)成表中所述的電路。

圖1、圖2 中顯示了具有代表性的igbt 模塊構(gòu)造。 圖1 中表示的端子臺一體構(gòu)造模塊，是通過采用外殼與外部電極端子的一體成型構(gòu)造，達到減少部件數(shù)量和減低內(nèi)部配線電感的目的。 另外，通過采用dcb(direct copperbonding)基板，得到低熱阻和高抗折強度的高可靠性產(chǎn)品。 圖2 表示的引線端子連接構(gòu)造模塊，并不是通過錫焊使主端子與dcb 基板相連的，而是采用引線連接的構(gòu)造。由此達到封裝構(gòu)造的簡易化、小型化、超薄化、輕量化和削減組裝工數(shù)的目的。 此外，關(guān)于通過 igbt 和fwd 芯片的最合理化配置有效地實現(xiàn)熱分散，以及通過均等配置上下支路的igbt 元件使開通時的過渡電流平衡均等，從而不增加開通時的損耗等，已經(jīng)在產(chǎn)品中得以實現(xiàn)。