OEIC的應用領域主要有兩大類,一是信號傳輸,二是信號處理。在信號傳輸中,第9卷第6期光電子技術與信息996年月又可分為強度調(diào)制直接探測MDD)傳輸系統(tǒng)和相干傳輸系統(tǒng)。在信號處理中,又可分為開關系統(tǒng)和計算系統(tǒng)。IM/DD系統(tǒng)要求OEIC具備發(fā)射/探測、調(diào)制、波分復用和開關的功能;相干傳輸系統(tǒng)要求OEIC具備發(fā)射/探測、頻分復用(FDM)、偏振控制和頻率控制的功能。開關或計算系統(tǒng)要求OEIC具備發(fā)射/探測、波分復用、開關和存儲的功能。由于OEIC的固有平行性、抗擾性和高速性使其還有許多應用領域,如平板顯示和光存儲。許多商用CD唱機目前加進完全集成的光電讀出頭,該光電讀出頭可以完成激光二極管、束分裂光柵、非涅爾聚焦光學、波導和光電二極管的組合功能。對OEIC來說,最具爆炸性影響的應用將是光計算機,下一代的光計算機將大量依賴光子開關、邏輯電路和大量平行光互連的

二維和三維的集成。要實現(xiàn)上述系統(tǒng)和功能,OEIC還必須解決以下兒個技術問題:.

實現(xiàn)亞微米量級的刻蝕技術,以減少光學器件和電子器件之間的高度差和間隔。

.解決光源的集成化問題。

·解決光學和電子器件間的工藝相容

性。

·提高成品率,克服制造和大批量生產(chǎn)

的困難。

·解決熱隔離和電隔離間題。

·提高光藕合效率。

光電子集成造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
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調(diào)光電子開關 品種:旋鈕式調(diào)光開關,額定功率(W):300,規(guī)格型號:YC95112,類型:118型,系列:C9超炫系列,顏色:雅白色,額定壓(V):2 查看價格 查看價格

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調(diào)光電子開關 品種:旋鈕式調(diào)光開關;額定壓(V):250;系列:調(diào)光調(diào)速電子開關//雅白/300W/118 型/調(diào)光/C9 超炫系列;顏色:雅白色;規(guī)格 查看價格 查看價格

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13% 江西博朗照明工程有限公司
調(diào)光電子開關 品種:旋鈕式調(diào)光開關;額定壓(V):250;系列:調(diào)光調(diào)速電子開關//香檳金/300W/118 型/調(diào)光/C9 超炫系列;顏色:香檳金;規(guī) 查看價格 查看價格

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創(chuàng)興

13% 深圳市業(yè)創(chuàng)興照明電器有限公司
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創(chuàng)興

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臺班 汕頭市2012年3季度信息價
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臺班 汕頭市2011年2季度信息價
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臺班 廣州市2010年4季度信息價
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臺班 汕頭市2010年4季度信息價
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臺班 韶關市2008年6月信息價
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臺班 韶關市2008年4月信息價
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臺班 汕頭市2008年1季度信息價
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臺班 韶關市2008年3月信息價
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移動應用工具集成 微信移動端應用集成|11 1 查看價格 廣東天智實業(yè)有限公司 全國   2021-07-23
調(diào)光電子整流器 PLC插撥管 1×13W|400套 1 查看價格 廣州市毅德智能科技有限公司 廣東  廣州市 2009-12-30
光電子支架 YZBK-E20A 20W單支|7512根 1 查看價格 深圳市業(yè)創(chuàng)興照明電器有限公司 廣東  深圳市 2015-11-21
調(diào)光電子整流器 T5 1×21W|450套 1 查看價格 廣州市毅德智能科技有限公司 廣東  廣州市 2009-12-30
光電子支架 YZBK-E40A 40W單支|4700根 1 查看價格 深圳市業(yè)創(chuàng)興照明電器有限公司 廣東  深圳市 2015-06-26
光電子燈架 T8/36W|26套 1 查看價格 北京世代華茂燈飾經(jīng)營部 天津  天津市 2015-04-17
調(diào)光電子整流器 T8 1×18W|200套 1 查看價格 廣州市毅德智能科技有限公司 廣東  廣州市 2009-12-30
T8調(diào)光電子鎮(zhèn)流器 T8 2×18W調(diào)光電子鎮(zhèn)流器 YDZ218ZT|5043只 1 查看價格 中山市元登系統(tǒng)照明工業(yè)有限公司 廣東  中山市 2015-07-15

所謂完全集成的OEIC是指該OEIC不僅具備控制不同元件間的電子流動的能力,而且具備控制光子流動的能力??刂乒庾恿鲃拥穆窂绞枪獠▽АH绻麑в性鲆嬖春臀战橘|(zhì)的光波導稱之為有源光波導,那么單純傳輸光波的光波導則稱之為無源光波導。我們把無源和有源光波導組合的OEIC稱之為完全集成的OEIC。這里介紹兩個為光纖通信而設計的完全集成的OEIC。一個是四路波分復用扭xWDM)的可調(diào)諧發(fā)射機。它由四個集成的多量子阱(MQW)DBR激光器組成,通過四個無源波導將四個激光器的光輸出傳送到MQW光輸出放大器。為了達到波長調(diào)節(jié)和直接強度調(diào)制的目的,使用直接淀積在激光器結(jié)構(gòu)上的分離控制電極。另一個是用于相干光纖通信的平衡外差接收機,它由無源的隱埋凸條波導、定向藕合器、MQW光電二極管和作為本機振蕩器的MQWDBR激光器組成。為了達到調(diào)節(jié)波長和本機振蕩器與入射光信號間的固有外差的目的,使用分離控制的Bragg反射器和相位部分裝備MQW激光器。通過改變淀積到前、后Bragg反射器上電極的電壓實現(xiàn)波長調(diào)節(jié)。同樣,通過改變激光器相位部分上電極達到改變隱埋波導折射率的目的。通過另一電極的電/光控制,在定向輛合器上實現(xiàn)本機振蕩器輸出光和輸入信號光的混合,然后通過隱埋光波導將來自棲合器的外差光引進到兩個光電探測器中,將光信號轉(zhuǎn)換為進一步電學處理的電信號。

OEIC與IC的重要區(qū)別在于,,OEIC除控制不同元件之間電子流動的功能外,還必須控制光子的流動。通常把使用半導體材料來控制光子流動的OEIC歸入光子集成,把使用介質(zhì)材料來控制光子流動的OEIC歸入光學集成。OEIC的成功在很大程度上取決于所用材料和工藝,目前研究最多的材料是GaAs和InP。這些材料不僅具有良好的電光特性,既可用于制作光電器件,又可用于制作高速電子電路。此外,Si材料也是想望的材料,這種材料唯一的缺點是它不是理想的光電材料,很難用它制作光有源器件。目前,使用先進的工藝手段,如分子束外延(MBE)、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和聚焦離子束微加工已能滿足制作OEIC的要求。本文討論涉及有關OEIC材料及工藝的若干問題,并討論OEIC的潛在應用前景。

6.1GaAsOEIC

最有代表性的GaAs OEIC是光纖(FO)光發(fā)射機OEIC,這類光發(fā)射機是在GaAs襯底上集成光有源器件(如激光二極管或發(fā)光二極管)和用做激光二極管的驅(qū)動電路。在GaAs襯底上集成一只ALGaAs隱埋異質(zhì)結(jié)激光二極管(BHLD)和兩只金屬-半導體場效應晶體管(MESFET)。兩只MESFET的作用是控制通過激光器的電流,其中一只提供維持激光器在閥值以上工作的偏流,另一只提供激光器直接調(diào)制輸出的調(diào)制電流。兩個電流獨立受控于MESFET的柵壓。這種OEIC設計是非平面的,這種結(jié)構(gòu)的OEIC限制通過光刻可得到的最小特征尺寸,使電子線路的速度首先。因此這種OEIC光發(fā)射機的頻響限制在幾個GHz以下。想要獲得高速工作的OEIC光發(fā)射,應采用平面型結(jié)構(gòu),這時應該將生長激光器位置的溝道通過刻蝕工藝將其降至到襯底里面,使最終生長的激光器層的最上層高度大體與MESFET頂層高度一致。迄今為止,實現(xiàn)高速工作的GaAs OEIC的工藝已成熟,并能滿足CD-ROM和第一代FO發(fā)射機的要求。

6.2InPOEIC

具有1.3μm和1.55μm波長范圍輸出和接收的激光二極管和光電二極管通常是由在InP襯底上生長的窄帶隙思遠化合物In-GaAsP和三元化合物InGaAs所構(gòu)成。遺憾的是,由這些材料構(gòu)成的MESFET因較低的肖特基勢壘,造成高的柵泄漏電流。因此In-GaAs/InP的OEIC不宜使用MESFET。異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)是InP OEIC最理想的電子元件。HBT與MESFET不同,它具有由一個疊層排列的發(fā)射極、基極和集成電極組成的垂直幾何形狀結(jié)構(gòu)。鑒于InP OEIC光發(fā)射極構(gòu)形和HBT結(jié)構(gòu)的各層連接方式,由于跨接基極/發(fā)射極異質(zhì)結(jié)產(chǎn)生一正向偏壓,而集電極/發(fā)射極異質(zhì)結(jié)經(jīng)受一反向偏壓。因此,當一小電流流經(jīng)發(fā)射極/基極電路時,便在經(jīng)基極的發(fā)射極/集電極電路中產(chǎn)生一相當大的電流。由于激光器與OEIC中的HBT的集電極相連接,因此通過調(diào)節(jié)HBT的發(fā)射極/基極電路的電流便可調(diào)節(jié)通過激光器的電流。

HBT不僅消除在InGaAsP/InP系統(tǒng)中因高柵泄漏電流的問題,而且它的垂直幾何形狀和高速性能很適合寬帶FO通信器件的高密度集成。除HBT之外,其他類型的FET,如金屬-絕緣體-半導體FET(MIS-FET)、高電子遷移率晶體管(HEMT)和調(diào)制摻雜FET(MODFET)對InP OEIC也是有價值的。

盡管隱埋異質(zhì)結(jié)構(gòu)和法布里一拍羅(F-P)腔條形激光器具有很好的性能特性,但是解理的或腐蝕的反射鏡面不僅使制造工藝復雜化,而且高的闡值電流還可能引起熱相關的問題。一種較好的解決辦法是使用分布反饋(DFB)和分布Bragg反射器(DBR)激光二極管,這類LD具有低的閉值電流和量子阱增益結(jié)構(gòu)。此外,對高密度OEIC來說,低電流的垂直腔表面發(fā)射LD(VCSEL)是最理想的選擇,在光計機互連網(wǎng)絡中有巨大的應用市場。nIpOEIC另一個領域是光接收機。這類接收機組合光電探測器和用做放大及信號處理的電子線路。適合OECI的光電探測器有

兩種,一種是p一i一n光電二極管,另一種是金屬一半導體一金屬(MSM)光電二極管,都具有高速工作的能力。在nIP襯底上集成的p一i一n光電二極管(PD)和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)是一種垂直集成的OEIC光接收機。它的制作程序很明確,首先在nIP襯底上生長PD的半導體層,然后再生長HBT的半導體層。生長結(jié)束后,選擇刻蝕出PD和HBT。最后,淀積接觸金屬層和用做隔離的聚酞亞胺膜。PD和HBT之間的電連接是通過分離的金屬淀積實現(xiàn)的。OECI光接收機也可采用水平集成構(gòu)形,為解決各集成元件厚度的差異可采用預先腐蝕出溝或阱,而后在溝或阱上生長PD的半導體層,或者使用離子注入或擴散技術,使較厚的器件層沉沒到預先的生長層中。然而,最直接的解決辦法是使用平面光電二極管。遺憾的是MSMPD不能工作于窄帶隙的nIGaAs/nIP系統(tǒng)。

6.3SIOEIC

Si OECI一直是人們想望的OEIC,它的內(nèi)容包括在Si襯底上制作出諸如Si的光波導、調(diào)制器、光開關、光發(fā)射器和光探測器,并構(gòu)成具有功能作用的OEIC。1.3、1.6拜m波段的SIOEIC最引人注目。一旦這個設想獲得成功,不僅可以解決大規(guī)模IC和OEIC之間存在的工藝兼容性問題,而且還解決它們之間的互連性,這對未來的高速信息處理、光計算和FO通信無疑有著極大的吸引力。但是要實現(xiàn)全Si的OECI,并非是件容易的事,問題的關鍵在于Si不是理想的光電材料,它不能呈現(xiàn)出線性的電光效應,很難用它制作出光的有源器件。

眾所周知,Si是一種間接帶隙材料,它阻止導帶的電子與價帶的空穴有效輻射復合,室溫下電學注入1醉、105個載流子只能產(chǎn)生一個光子,即使在77K下也只能提高4倍的效率。已進行的研究表明,要克服低效率的限制,可以通過K守恒選擇法則,強制性地給出帶一帶間的轉(zhuǎn)換,這就是首先必須確定出Si中引入的雜質(zhì)中心,以產(chǎn)生有效的亞帶隙光發(fā)射。較有成效的研究是在Si中引入激活的光學轉(zhuǎn)換雜質(zhì),且這種光學轉(zhuǎn)換雜質(zhì)的濃度必須相當?shù)母摺F渲幸环N方法是使用等價的m族雜質(zhì)來形成輻射的絡合物,這種方法為紅外波長Si發(fā)射器件開辟了一條道路。今后的工作是要提高其發(fā)光效率和輻射工作的溫度。

光電子集成OEIc的應用前景及存在的技術問題常見問題

  • 誰了解萊威光電子?

    深圳市萊威光電子有限公司注冊資本1000萬元,擁有生產(chǎn)廠房10000余平方米, 通過ISO9001:2008質(zhì)量管理體系認證和ISO14001:2004環(huán)境管理體系認證。產(chǎn)品通過歐洲CE  ...

  • 技術問題

    計價的軟件 不是通用的 不同于鋼筋文件 下載了湖北的計價軟件 加密鎖里面沒有相應的定額庫和驅(qū)動也是打不開的 這個需要聯(lián)系當?shù)氐姆?解決一下

  • 技術問題

    答;你可以進行比較的方法,第二,查看圖形的屬性,第二,通過樓層工程量到某構(gòu)件的工程量,查看工程量表達式等。 答;抗震等級,砼標號,保護層,鋼筋級別,節(jié)點設置,計算規(guī)則,鋼筋直徑,計算方式,搭接方式,...

用分立器件的管心集成稱為混合集成OEIC模塊;把光和電的元器件做在同一塊半導體基片(如GaAs或InP)上,稱單片集成OEIC組件。OEIC是集成光電子學系統(tǒng)的核心部件。20世紀90年代初混合集成較成熟,已有產(chǎn)品,單片集成尚屬探索研制階段,它代表未來的發(fā)展方向。光器件可以是激光器、發(fā)光二極管、光調(diào)制器、光放大器,光開關、光耦合器、光波導、光分/合束器及各類列陣等;電器件包含與光器件相搭配的驅(qū)動電路、控制電路、放大電路和其它電路等。集成減小了寄生電感和電容的影響,使組件和模塊的調(diào)制速率大幅度提高、噪聲降低很多,可靠性明顯改進,只要設計和組裝合理,各種功能的混合集成模塊原則上都可實現(xiàn)。單片集成OEIC組件工藝難度很大,需要解決多種類型器件的工藝兼容性。單元結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設計、不同層次的接點連結(jié)和降低功耗等。由此發(fā)展了許多相關工藝,如超晶格、量子阱結(jié)構(gòu)材料生長、可變周期光柵、聚焦離子束掃描注入以及干法刻蝕等。

能供光纖通信使用或試驗的OEIC有光發(fā)射器、光接收器和光中繼器;l6:1/1:16時分復用及解復用組件;供光交換試驗的多量子阱自電光效應(SEED)16×32光開關列陣;高集成度四路光開關由四路光發(fā)射器、四路光開關列陣加四路光接收器組成。正在致力研制的有光外差接收機組件(包含可調(diào)諧穩(wěn)頻激光器、光電控制器、波導定向耦合器、光頻差分放大器及中頻放大器等)和多信道頻分復用組件(發(fā)射部分需集成多支不同頻率的激光器并通過合束器匯集到集總波導里;接收部分需有光濾波器把不同信道的光分別取出并進入各自的分支波導)。

光電子集成電路的優(yōu)點是器件之間拼接緊湊,既能減弱因互連效應引起的響應延遲和噪聲,從而提高傳遞信息的容量和高保真度,又能使器件微型化,便于信息工程的應用。

光電子集成電路從結(jié)構(gòu)上可分為單片集成型和混合集成型兩類。

前者是把光和電功能的器件都集成在單片上;后者則側(cè)重光學元件的集成,然后再引入相應電路的電子器件。

按功能分主要有電光發(fā)射集成電路和光電接收集成電路。前者是由電光驅(qū)動電路、有源光發(fā)射器件、導波光路、光隔離器、光調(diào)制器和光開關等組成;后者是由光濾波器、光放大器、光-電轉(zhuǎn)換器以及相應的接收電路和器件集合而成。

OEIC技術已開始進入電子工業(yè)各領域,使電子工業(yè)出現(xiàn)一個大的技術革命。它的作用如同晶體管、CI對電子工業(yè)的影響。下個世紀將是光電子技術主宰電子工業(yè)的時代,包括通信、信息處理、顯示、光計算將會出現(xiàn)一個嶄新的面貌。

光電子集成OEIc的應用前景及存在的技術問題文獻

光電子技術光纖與光纖技術簡介 光電子技術光纖與光纖技術簡介

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評分: 4.8

光電子技術光纖與光纖技術簡介

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評分: 4.8

光電子材料

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主要內(nèi)容包括光發(fā)射器件、光電探測器、光波導器件、光電子專用集成電路、硅基光電子集成回路、甚短距離光傳輸技術以及微電子與光電子混合集成技術等。

微電子與光電子集成技術的實用化進程,必將為21世紀科學技術的發(fā)展作出重大貢獻。然而,微電子與光電子集成技術是信息技術發(fā)展的一個嶄新方向,雖然各項關鍵技術的發(fā)展取得了一定的進步,但還存在諸多難題需要進一步解決和完善。

本書主要為從事集成光電子和光通信等相關技術研究的科研人員提供參考。

微電子技術與光電子技術緊密結(jié)合,相互滲透,必將推進信息技術及相關的高新技術進入新的發(fā)展階段。本書共分為9章,從技術基礎和實際應用的角度出發(fā),著重對微電子與光電子集成技術相關的工藝基礎、基本原理和關鍵集成技術進行了詳細闡述。

“名家芯思維”

-硅基光電子集成技術和應用|硅光實操

活動介紹

匯集行業(yè)內(nèi)全球頂級專家,主辦硅基光電子集成技術與應用系列活動,把大規(guī)模集成半導體工藝和光電子應用結(jié)合,實現(xiàn)高速萬物互聯(lián)。旨在為地區(qū)匯智聚力,推動我國硅電子集成技術高速發(fā)展,在核心芯片技術領域彎道超車。

2018年,人工智能是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的熱門方向,活動促進人工智能與光電子信息領域的緊密融合和雙向驅(qū)動,將為光聯(lián)萬物產(chǎn)業(yè)生態(tài)注入新的基因,為地區(qū)發(fā)展增添新的動力。邀請國內(nèi)外知名科學家、行業(yè)領袖、產(chǎn)業(yè)精英等人共同參與,共話硅光子集成技術的發(fā)展趨勢,以此來協(xié)助地方進行科技資源統(tǒng)籌和前沿產(chǎn)業(yè)化技術研究。

時間

2018年7月20日至21日

地點

南京

主辦單位

工業(yè)和信息化部人才交流中心(MIITEC)

江北新區(qū)IC智慧谷

協(xié)辦單位

南京江北新區(qū)人力資源服務產(chǎn)業(yè)園

留德中國物理學者學會GCPD e.V.

Luceda Photonics

活動內(nèi)容

硅基光電子集成技術和應用研討會

(免費參與)

活動時間

2018年7月21日(周六)

活動地點

南京新華傳媒粵海國際大酒店翔宇廳(南京市江東中路363號-南京國際博覽中心東門)

主題

大規(guī)模集成半導體工藝與光電子應用結(jié)合,實現(xiàn)高速萬物互聯(lián)

環(huán)節(jié)設置

本次研討會設置圓桌討論環(huán)節(jié)和專家面對面交流機會

報名地址

報告人介紹

周治平

北京大學教授

演講主題: 硅基光電子芯片及其應用擴展

個人簡介

OSA Fellow, SPIE Fellow, IET Fellow;中國光學學會榮譽理事,中國光學工程學會常務理事;IEEE中國武漢分會創(chuàng)會主席(2006-2008),Photonics Research創(chuàng)刊主編(2012-現(xiàn)在),Electronics Letters中國版主編(2008-2010)。承擔過國家基金委重點項目,科技部973,863項目,以及工業(yè)界支持的多個橫向項目。多次主持IEEE,SPIE,OSA, 及中國光學學會等舉辦的國際學術會議。主編出版中外物理學精品書系《硅基光電子學》;發(fā)表論文,書籍章節(jié),特邀報告460余篇,專利20余項。

演講摘要

將簡要回顧硅基光電子芯片的形成和特點,聚焦其國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀、應用擴展、以及所面臨的挑戰(zhàn),詳細討論與低能耗,小型化,以及低成本相關的核心技術。

余明斌

上海微系統(tǒng)與信息技術研究所研究員

演講主題:硅光子技術應用與發(fā)展

個人簡介

上海微技術工業(yè)院硅光子資深總監(jiān)。他在國際學術期刊和會議上發(fā)表了300多篇論文和8項美國專利。他目前的研究興趣包括硅光電子器件和集成電路技術,3D-IC TSV集成。

余明斌因在硅光集成方面的工作,在2010年獲得新加坡總統(tǒng)科技獎。2011年新加坡微電子研究院(工業(yè)工程)優(yōu)秀獎。2011年新加坡工程師學會IES著名工程成就獎(杰出的硅光子學研究)。

演講摘要

硅光子技術,是在硅和硅基襯底材料上,如SOI上,通過集成電路工藝制造相應的光子器件和光電器件(包括發(fā)光器件、探測器,調(diào)制器、及各種光波導器件等),并利用這些器件對光子進行操縱,以實現(xiàn)其在光通信、光互連、光計算等領域中的應用。相較于傳統(tǒng)的基于III-V族材料的光電技術,硅光子技術可以充分利用現(xiàn)有的大量CMOS生產(chǎn)線,能充分結(jié)合集成電路技術的超大規(guī)模、超高精度制造的特性和光子技術超高速率、超低功耗的優(yōu)勢。

硅不僅是一種電子材料,也是一種光子材料。作為電子材料,硅基微電子技術成績斐然,伴隨摩爾定律的步伐,引領了過去半個世紀信息技術的發(fā)展。作為光學材料,硅材料對通信波段的光吸收很小,有利于降低器件損耗,而且硅和二氧化硅材料之間的折射率對比大,增強了光器件對光場的限制,有助于減小硅基光集成器件尺寸,從而提高芯片的集成密度。在經(jīng)歷了初期的理論及原型器件探索階段(~1985-2005年),近年的分立器件技術突破階段(2005-2015年)后,硅光子技術逐步走向成熟(2015年后),越來越多的硅光芯片開始出現(xiàn)在市場上。市場研究和策略咨詢公司法國悠樂(Yole)認為,硅光市場即將引爆,出現(xiàn)巨大增長。到2025年,硅光芯片在數(shù)據(jù)中心和其他幾個新興應用領域的市場銷售總值將達到數(shù)十億美元。

互聯(lián)網(wǎng)的興起使我們處于一個信息爆炸的時代,廣泛存在于數(shù)據(jù)中心機柜中的銅線纜已經(jīng)不能適應日益增長的數(shù)據(jù)傳輸需求(包括帶寬、成本、功耗),光鏈路取代電路變?yōu)楸仨?。硅光子技術目前最主要的應用領域是通信領域,主要為數(shù)據(jù)中心,也包括其他硅光芯片可以支撐的應用,如高性能計算機、遠程通信等。2025年后(或者更早),硅光子技術將更多地用于信號處理中,如光計算或光量子計算。同時,因為硅光子技術能推進光功能的集成和小型化,自動駕駛汽車所用的激光雷達,以及生物化學和化學傳感器將獲得重點發(fā)展。

本報告首先介紹了硅光子技術的應用及市場前景;接著介紹組成硅光芯片的各種核心器件的設計及進展,進而討論集成硅光芯片的設計制備流程;最后,分析討論硅光子技術面臨的挑戰(zhàn)及機遇。

崔一平

東南大學教授

演講主題:硅基微波光子集成技術及應用

個人簡介

東南大學先進光子學中心主任,國際照明委員會(CIE)副主席,中國照明學會副理事長,江蘇省光學學會理事長,《Journal of Nonlinear Optical Physics and Materials》和《光學學報》編委。他長期從事光電子學方面的研究工作,在有機聚合物和納米光子材料的光學非線性與發(fā)光特性研究、尤其是在光折變和多光子吸收機制研究方面作出了開拓性貢獻,近幾年又在生物光子技術、光通信技術與集成光子技術以及光傳感技術方面取得了一系列重要成果。

江偉

南京大學教授

演講主題: 面向光互連與激光雷達應用的若干硅光研究進展

個人簡介

南京大學現(xiàn)代工程與應用科學學院教授,博士生導師。江蘇省光通信系統(tǒng)與網(wǎng)絡工程研究中心副主任?;貒叭蚊绹_得格斯(新澤西州立)大學 (Rutgers, the State University of New Jersey)電子和計算機工程系副教授(暨終身教職)。長期致力于以硅基光子學研究。在硅片上做出了首個光子晶體高速電光調(diào)制器。被Nature Photonics, Laser Focus World等廣泛報道。提出高密度波導集成的新思路和物理原理,并在硅基波導上實現(xiàn),為高性能光學相控陣開辟了道路,受到Phys.org關注。獲美國國防先進研究計劃局(DARPA)青年教授獎(Young Faculty Award),美國電氣與電子工程師協(xié)會一區(qū)(IEEE Region 1)杰出教學獎等榮譽。

演講摘要

硅基光子學具有對現(xiàn)代信息技術產(chǎn)生革命性影響的潛力。過去十幾年中,硅光領域在器件技術上取得了一系列突破,并在光通信與光互連領域獲得實際應用。在未來十年內(nèi),硅基光子學將朝著高密度集成的方向發(fā)展,并可能開拓激光雷達等新應用領域。高密度集成不但需要器件小型化,而且需要密集度高。相對而言,小型化器件研究較多,我們也將簡要介紹我們在此方面的近期進展。另一方面,密集度高的硅基波導器件研究相對較少。其原因顯而易見,高度密集的波導間會強烈耦合而產(chǎn)生串擾,這是集成光學一個基本難題。我們提出“波導超晶格”的設想與相關降低串擾的理論、并通過實驗實現(xiàn)了半波長間距的高密度,低串擾的波導集成。我們將介紹此技術在光學相控陣中的應用,以及對激光雷達等相關技術領域的影響。并簡要介紹在空分復用、波分復用、片上光互連領域的相關應用。硅基光子器件及其集成需要相應的制造工藝平臺,我們將簡要介紹在CMOS線上合作開發(fā)硅基光子工藝的相關工作。

潘棟

Sifotonics公司創(chuàng)始人兼CEO

演講主題:硅基光電子器件在400g數(shù)據(jù)中心和5G的應用

個人簡介

博士,美國費吉尼亞大學博士后和麻省理工學院研究學者。SiFotonics創(chuàng)始人兼CEO,主要從事Ge/Si光電器件、高速模擬電路,單片100G/400G硅基光集成芯片和及其解決方案等產(chǎn)品開發(fā)。納米量子器件紅外探測和Ge/Si激光器的發(fā)明人,發(fā)表論文30篇,專利20多項。

曹如平

Luceda Photonics公司大中國區(qū)負責人

演講主題:可靠并且差異化的硅光設計制作–Luceda和Tanner在硅

光設計自動化領域的前沿工作介紹

個人簡介

就職于Luceda Photonics公司(比利時),擔任應用工程師和亞洲業(yè)務發(fā)展經(jīng)理,致力于幫助集成光電路設計者尋找并實施適當?shù)脑O計自動化解決方案,以實現(xiàn)高效、可靠、易擴展的芯片設計流程。此前就職于Mentor, A Siemens Business公司,并從其與里昂納米科技研究所(法國里昂中央理工學院)的合作科研項目取得博士學位。

Mentor, A Siemens Business MEMS、

物聯(lián)網(wǎng)周邊器件和硅光子方向負責人

演講主題:可靠并且差異化的硅光設計制作–Luceda和Tanner在硅光設計自動化領域的前沿工作介紹

個人簡介

畢業(yè)于清華大學電機工程學系,擁有18年半導體行業(yè)經(jīng)驗。碩士畢業(yè)后任職于臺灣積體電路制造公司(TSMC),為21項國內(nèi)外半導體器件已公告專利的唯一或主要發(fā)明人,2011年加入明導電子科技(Mentor, A Siemens Business),目前在IC設計方案事業(yè)部(IC Design Solutions Division)負責MEMS、物聯(lián)網(wǎng)周邊器件、硅光芯片(Silicon Photonics)方面與全球各大晶圓廠的合作。

注:以上內(nèi)容可根據(jù)實際情況調(diào)整。

IC家園 - 硅光實操

(免費參與,審核通過)

活動概況

可靠并且差異化的硅光設計制作 – 基于IPKISS和Tanner軟件的硅光設計上機操作課程。

活動時間

2018年7月20日(周五)

活動地點

南京江北新區(qū)產(chǎn)業(yè)技術研創(chuàng)園騰飛大廈A座5樓

專家

曹如平(Luceda光子公司大中國區(qū)負責人)

陳昇祐(Mentor Graphics MEMS、物聯(lián)網(wǎng)周邊器件和硅光子方向負責人)

實操大綱

基礎知識 (硅光設計流程、工藝設計套件(PDK)、元件建模和仿真的概念、版圖設計、線路仿真、虛擬制造、物理驗證(DRC))

硅光線路的全流程設計 (從線路布局到建模仿真:使用IPKISS.eda,Tanner S-Edit,L-Edit和L-Edit Photonics的線路原理圖和布局布線、用Caphe工具進行線路建模仿真、使用Calibre DRC執(zhí)行設計規(guī)則檢查,包括擅長于驗證光集成設計的Calibre eqDRC)

自定義光子元件設計 (參數(shù)化元件設計、元件物理仿真和優(yōu)化、創(chuàng)造使用于IPKISS.eda和Tanner L-Edit的自定義元件庫)

背景介紹

Luceda Photonics協(xié)助光子集成設計工程師享有像電子集成設計工程師一樣的“首次即成功”的設計體驗。

Luceda Photonics的軟件工具和服務,是基于五十多年的光子集成芯片設計經(jīng)驗的累積。全球的產(chǎn)業(yè)研發(fā)團隊和科研機構(gòu)已經(jīng)使用Luceda團隊的專長服務,包括工藝設計包PDK的開發(fā)、光子集成芯片的設計和驗證。

Luceda公司是比利時imec微電子研究中心、根特大學、和布魯塞爾自由大學的分離子公司。Luceda是光子集成設計領域的領軍企業(yè),為全球的龍頭企業(yè)服務,近幾年的復合年均增長率(CAGR)超過100%。

Mentor, A Siemens Business是電子硬件和軟件設計解決方案的世界領導者,主要產(chǎn)品為集成電路芯片和系統(tǒng)開發(fā)的各種設計、仿真、驗證、測試工具。領先的工具包括:芯片物理驗證工具 Calibre ?系列及OPC、芯片測試工具 Tessent ? DFT, SoC驗證軟件CDC ,Questa ? 及 Veloce ? 硬件仿真器、模擬電路仿真軟件AFS?,硅光子及集成電路設計軟件Tanner, FPGA設計軟件, PCB 設計Xpedition? 及高速電路分析軟件Hyperlynx。

報名地址

擬參與機構(gòu)

陜西光電子集成電路先導技術研究院

廈門大學管理學院EDP中心

華潤半導體

工業(yè)和信息化部電子科學技術情報研究所

武漢光迅科技股份有限公司

西安市高新區(qū)產(chǎn)業(yè)發(fā)展局

中科院西安光機所

FreesVC

IMT

PhoeniX Software

STMicroelectronics

鴻海精密工業(yè)股份有限公司

華為海思

華為技術有限公司

江蘇亨通光網(wǎng)科技有限公司

武漢東隆科技有限公司

西安交通大學

西安奇芯光電科技有限公司

西安全波激光芯片科技有限公司

浙江大學

中電55所

中國電子科技集團公司第五十五研究所

中國科學院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所

中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所

中國科學院微電子研究所

中國科學院西安光機所

中科院南通光電工程中心

中南大學

中興通訊股份有限公司

航天704所

廈門大學

深圳幀觀德芯科技有限公司

摩爾精英

光纖在線

廈門優(yōu)迅高速芯片有限公司

Cadence

成都新易盛通信技術股份有限公司

方正證券

福建師范大學

福建億芯源半導體股份有限公司

合肥南巢科技有限公司

南京大學

南京吉隆光纖通信股份有限公司

寧波環(huán)球廣電科技有限公司

深圳市貝思科爾軟件技術有限公司

深圳云飛鷹信息技術服務部

是德科技(中國)有限公司

西安盛佳光電有限公司

意法半導體

英屬維京群島商祥茂光電科技股份有限公司臺灣分公司

中山大學

中興光電子

昂納信息技術(深圳)有限公司

廈門三優(yōu)光電股份有限公司

西南技術物理研究所

廈門三優(yōu)光電

華中科技大學

中國電子科技集團第三十八研究所

廈門博晶光電技術有限公司

中國電科14所

福建師范大學光電學院

福州大學

Imec 比利時微電子研究所

IC-link 半導體制造部門(Imec)

Ghent University 根特大學

東南大學

南京大學

Luceda Photonics

Mentor

Lumerical

烽火通信

訊石光通信

海信

中芯國際集成電路制造有限公司

臺積電

紫光

富士康

晶門科技(中國)有限公司

酒店預訂

酒店名稱

南京瑞斯麗酒店

酒店地址

南京浦口區(qū)浦濱路207號近揚子科創(chuàng)中心

(酒店距離江北新區(qū)產(chǎn)業(yè)技術研創(chuàng)園步行約5分鐘路程)

協(xié)議價格

奢華型大床/雙人房 480元/間(發(fā)票由會務公司開具會議服務費)

接駁車

線路時間

(臨江路地鐵1號口有免費接駁車送至研創(chuàng)園,步行5分鐘到達瑞斯麗酒店)

酒店名稱

新華傳媒粵海酒店

酒店地址

南京市江東中路363號-南京國際博覽中心正門(酒店為硅基光電子集成技術與應用研討會會議酒店)

協(xié)議價格

大床/標間 518元/間

預定酒店

聯(lián)系人

郁大鵬 18017813372

郵箱:icqy@miitec.cn

聯(lián)系方式

聯(lián)系人:王海明

郵箱:wanghaiming@csoe.org.cn

電話:022-59013420,15900391856

文章來源:中國光學工程學會

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