光伏組件制造工藝

概論 （1）

項(xiàng)目一 光伏電池基礎(chǔ) （3）

1.1 硅材料基礎(chǔ) （3）

1.2 晶體硅電池片的制造工藝 （8）

1.2.1 單晶硅電池片的制造工藝 （8）

1.2.2 多晶硅電池片的制造工藝 （11）

1.3 其他類型光伏電池制造工藝介紹 （12）

項(xiàng)目二 光伏電池的切割與分類 （14）

2.1 電池片的切割工藝 （14）

2.1.1 激光切割設(shè)備介紹 （14）

2.1.2 激光切割設(shè)備的操作 （19）

2.1.3 激光切割設(shè)備的維護(hù) （32）

2.2 電池片分選測(cè)試儀 （33）

2.2.1 單體電池分選測(cè)試儀設(shè)備介紹 （33）

2.2.2 單體電池分選測(cè)試儀的操作 （34）

2.2.3 單體電池分選測(cè)試儀的維護(hù) （43）

項(xiàng)目三 電池片的焊接與層疊 （45）

3.1 焊接前的準(zhǔn)備工作 （45）

3.2 電池片的單焊工藝 （53）

3.3 電池片的串焊工藝 （54）

3.4 組件層疊 （55）

3.4.1 層疊設(shè)備與材料介紹 （56）

3.4.2 層疊流程 （59）

項(xiàng)目四 電池組件的層壓 （62）

4.1 層壓設(shè)備介紹 （62）

4.2 組件層壓工藝 （63）

4.3 層壓設(shè)備維護(hù) （66）

4.4 層壓后的檢查與應(yīng)對(duì)措施 （68）

項(xiàng)目五 層壓后組件內(nèi)部缺陷檢測(cè) （70）

5.1 EL缺陷檢測(cè)儀介紹 （70）

5.2 電池內(nèi)部缺陷檢測(cè)流程 （73）

5.3 檢測(cè)結(jié)果的種類與分析 （79）

5.4 EL缺陷檢測(cè)儀的維護(hù) （84）

項(xiàng)目六 組件的裝框與接線盒的安裝 （85）

6.1 組件裝框工具與設(shè)備介紹 （85）

6.2 組件安裝鋁合金框的流程 （88）

6.3 組件接線盒的安裝 （92）

6.4 組件清潔 （93）

項(xiàng)目七 組件成品性能測(cè)試 （97）

7.1 組件光電性能檢測(cè)設(shè)備介紹 （97）

7.2 組件光電性能檢測(cè)步驟 （102）

7.3 組件光電性能檢測(cè)軟件操作說(shuō)明 （104）

7.3.1 軟件主界面功能描述 （104）

7.3.2 測(cè)試數(shù)據(jù)處理 （114）

7.3.3 軟件校標(biāo) （118）

7.4 組件光電性能檢測(cè)設(shè)備的故障與分析處理 （122）

7.5 組件耐壓絕緣性能測(cè)試 （124）

項(xiàng)目八 太陽(yáng)能電動(dòng)小車制作 （126）

8.1 教學(xué)目標(biāo) （126）

8.2 工作原理 （126）

8.3 制作準(zhǔn)備與設(shè)計(jì) （127）

8.4 制作工藝與流程 （128）

8.5 調(diào)試與評(píng)價(jià) （129）

本書(shū)以光伏組件的制造工藝流程為主要內(nèi)容，對(duì)現(xiàn)有的組件制造工藝流程進(jìn)行了全面的介紹和講解。重點(diǎn)介紹了組件生產(chǎn)環(huán)節(jié)中：電池片電學(xué)性能測(cè)試，電池片的激光切割，電池片的組裝與焊接，電池片的層疊，組件的層壓工藝，組件的缺陷測(cè)試，組件的裝框，組件的成品測(cè)試等內(nèi)容。 全書(shū)分為八個(gè)項(xiàng)目實(shí)施，分別是：光伏電池基礎(chǔ)，光伏電池的切割與分類，電池片的焊接與層疊等，電池組件的層壓，層壓后組件內(nèi)部缺陷檢測(cè)，組件的裝框與接線盒的安裝，組件成品性能檢測(cè)，太陽(yáng)能電動(dòng)小車制作等內(nèi)容。

制造工藝CPU

CPU制作工藝指的是在生產(chǎn)CPU過(guò)程中，要加工各種電路和電子元件，制造導(dǎo)線連接各個(gè)元器件等?，F(xiàn)在其生產(chǎn)的精度以納米（以前用微米）來(lái)表示，精度越高，生產(chǎn)工藝越先進(jìn)。在同樣的材料中可以容納更多的電子元件，連接線也越細(xì)，有利于提高CPU的集成度。制造工藝的納米數(shù)是指IC內(nèi)電路與電路之間的距離。制造工藝的趨勢(shì)是向密集度愈高的方向發(fā)展，密度愈高的IC電路設(shè)計(jì)，意味著在同樣大小面積的IC中，可以擁有密度更高、功能更復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)。微電子技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步，主要是靠工藝技術(shù)的不斷改進(jìn)。芯片制造工藝從1971年開(kāi)始，經(jīng)歷了10微米、6微米、3微米、1.5微米、1微米、800納米、600納米、350納米、250納米、180納米、130納米、90納米、65納米、45納米、32納米、22納米、14納米、10納米，一直發(fā)展到(2019年）最新的7納米，而5納米將是下一代CPU的發(fā)展目標(biāo)。

2017年1月3日，美國(guó)高通公司在CES2017正式推出其最新的頂級(jí)移動(dòng)平臺(tái)——集成X16 LTE的Qualcomm驍龍835處理器。驍龍835處理器是首款采用10納米FinFET工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)商用制造的移動(dòng)平臺(tái)。

制造工藝GPU

顯卡的制造工藝實(shí)際上就是指顯示核心的制程，它指的是晶體管門(mén)電路的尺寸，現(xiàn)階段主要以納米（nm）為單位。顯示芯片的制造工藝與CPU一樣，也是用微米來(lái)衡量其加工精度的。制造工藝的提高，意味著顯示芯片的體積將更小、集成度更高，可以容納更多的晶體管。和中央處理器一樣，顯示卡的核心芯片，也是在硅晶片上制成的。微電子技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步，主要是靠工藝技術(shù)的不斷改進(jìn)，顯示芯片制造工藝在1995年以后，從0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、0.11微米、90納米、80納米、65納米、55納米、40納米、28納米、16納米、12納米一直發(fā)展到現(xiàn)在的7納米制程。顯卡廠商AMD（超威半導(dǎo)體）已經(jīng)有三款7nnm工藝顯卡在售。