1、高壓晶閘管 2、用于未來能量轉換中的igbt和快速開關二極管 3、采用超級結技術的超高速開關器件 4、應用于高功率電源的sic元件
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率mosfet,常簡寫為功率mos)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,常簡寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,而電路在高頻工作時能更節(jié)能、節(jié)材,能大幅減少設備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip,簡寫psoc),它能把傳感器件與電路、信號處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個硅芯片上,使其具有按照負載要求精密調節(jié)輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進行保護的智能功能。國際專家把它的發(fā)展喻為第二次電子學革命。
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率mosfet,常簡寫為功率mos)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,常簡寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,而電路在高頻工作時能更節(jié)能、節(jié)材,能大幅減少設備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip,簡寫psoc),它能把傳感器件與電路、信號處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個硅芯片上,使其具有按照負載要求精密調節(jié)輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進行保護的智能功能。國際專家把它的發(fā)展喻為第二次電子學革命。
ABB原裝IGBT通常情況下較貴,可用其他廠家的IGBT來代替,如三菱,西門康等。也可選國內的。
半導體元器件(semiconductor device)通常,這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別,有時也稱為分立器件。絕大部分二端...
二極管的基本特性就是單向導電性。檢修測量時通過兩個方向的截止和導通情況來判斷是否損壞。二極管的主要參數(shù)有反向電壓、持續(xù)正向電流、正向導通電壓、耗散功率和反向恢復時間(決定適用工作頻率)。不同型號的二極...
1、高壓晶閘管 2、用于未來能量轉換中的igbt和快速開關二極管 3、采用超級結技術的超高速開關器件 4、應用于高功率電源的sic元件
功率電子模塊的集成度 半導體模塊之間的差異,不僅僅體現(xiàn)在連接技術方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據(jù)集成度不同,可分為以下幾類:標準模塊,智能功率模塊(ipm),(集成)子系統(tǒng)。在ipm被廣泛使用(尤其在亞洲地區(qū))的同時,集成子系統(tǒng)的使用只剛剛起步。 1、智能功率模塊(ipms) 智能功率模塊的特點在于除了功率半導體器件外,還有驅動電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護和監(jiān)測功能,如過電流和短路保護,驅動器電源電壓控制和直流母線電壓測量等。 然而,大部分智能功率模塊沒有對功率側的信號輸入進行電氣隔離。只有極少數(shù)的ipm包含了一個集成光耦。另一種隔離方案是采用變壓器 進行隔離。 通常,小規(guī)模的ipm的特點在于其引線框架技術。穿孔銅板用作功率開關和驅動ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進行散熱。 用于中高功率應用的ipm模塊的設計特點是將模塊分為兩個層次。功率半導體在底部,驅動器和保護電路在上部。本領域內名氣最大的ipm是賽米控的skiip"_blank" href="/item/電流傳感器/10894884" data-lemmaid="10894884">電流傳感器、電氣隔離和電源。這些模塊裝在風冷或水冷冷卻器上,并在供貨前進行全面的測試。 一個有趣的趨勢是將標準模塊升級為ipm??芍苯踊蚴褂脦寗与娐罚ㄍㄟ^彈簧連接)的適配器板來進行升級。賽米控的skypertm驅動器是這方面理想的產品。 2、集成子系統(tǒng) 所有這些ipm的共同點是真實的“智能”,即將設定點值轉換成驅動脈沖序列的控制器不包含在模塊中。賽米控是250kw以下轉換器用集成子系統(tǒng)的核心制造商。skaitm模塊也是ipm,其特點是集成了dsp控制器,除脈寬調制外,還可進行其它通信任務。這些子系統(tǒng)也包含集成直流環(huán)節(jié)電容器,一個輔助電源,精密電流傳感器和一個液體冷卻器。。
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評分: 4.8
根據(jù)大功率半導體激光二極管列陣與光纖列陣耦合方式,分別從理論和實驗兩方面討論、分析了大功率半導體激光二極管列陣與微球透鏡光纖列陣耦合。將19根芯徑均為200μm的光纖的端面分別熔融拉錐成具有相同直徑的微球透鏡,利用V形槽精密排列,排列周期等于激光二極管列陣各發(fā)光單元的周期。將微球透鏡光纖列陣直接對準半導體激光二極管列陣的19個發(fā)光單元,精密調節(jié)兩者之間的距離,使耦合輸出功率達到最大。半導體激光二極管列陣與微球透鏡光纖列陣直接耦合后,不僅從各個方向同時壓縮了激光束的發(fā)散角,有效地實現(xiàn)了對激光束的整形、壓縮,而且實現(xiàn)30 W的高輸出功率,最大耦合效率大于80%,光纖的數(shù)值孔徑為0.16。
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評分: 4.5
隨著光纖激光器技術的飛速發(fā)展,作為光纖激光器泵浦源的高功率,高亮度的大功率半導體激光器光纖耦合模塊越來越受到人們的關注。提高光纖耦合效率和光纖耦合模塊的可靠性,有效控制大功率半導體激光器光纖耦合模塊的溫度成為人們關注的重點。
本標準規(guī)定了由硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及碳化硅肖特基二極管構成的混合功率半導體模塊的術語、文字符號、基本額定值和特性以及測試方法等產品特性要求。
本標準規(guī)定了由硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及碳化硅肖特基二極管構成的混合功率半導體模塊的術語、文字符號、基本額定值和特性以及測試方法等產品特性要求。
本標準規(guī)定了極限值試驗,特性參數(shù)測試、耐久性測試,根據(jù)特性參數(shù)確認模塊特性,由此判斷是否通過極限值試驗。參數(shù)包括(集電極-發(fā)射極電壓VCES, 二極管反向電壓VR、集電極-發(fā)射極短路時的柵極-發(fā)射極電壓±VGES、最大集電極電流IC、二極管正向(直流)電流IF、集電極峰值電流ICM、二極管正向峰值電流IFM、反偏安全工作區(qū)RBSOA、短路安全工作區(qū)1 SCSOA1、二極管正向(不重復)浪涌電流IFSM、端子和底板之間的絕緣電壓Visol等)。
本標準還規(guī)定了檢測報告中應給出的信息。