功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率mosfet,常簡寫為功率mos)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,常簡寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,而電路在高頻工作時(shí)能更節(jié)能、節(jié)材,能大幅減少設(shè)備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip,簡寫psoc),它能把傳感器件與電路、信號處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個(gè)硅芯片上,使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能。國際專家把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)革命。
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率mosfet,常簡寫為功率mos)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,常簡寫為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,而電路在高頻工作時(shí)能更節(jié)能、節(jié)材,能大幅減少設(shè)備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip,簡寫psoc),它能把傳感器件與電路、信號處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個(gè)硅芯片上,使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能。國際專家把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)革命。
1、高壓晶閘管 2、用于未來能量轉(zhuǎn)換中的igbt和快速開關(guān)二極管 3、采用超級結(jié)技術(shù)的超高速開關(guān)器件 4、應(yīng)用于高功率電源的sic元件
ABB ACS800逆變模塊功率半導(dǎo)體IGBT損壞問題
ABB原裝IGBT通常情況下較貴,可用其他廠家的IGBT來代替,如三菱,西門康等。也可選國內(nèi)的。
關(guān)注你的提問幾天了,想幫你,但你的問題不太清楚,你究竟要做什么半導(dǎo)體制冷模塊,干什么用的,有什么要求,再補(bǔ)充一下。
半導(dǎo)體主要具有三大特性:1.熱敏特性半導(dǎo)體的電阻率隨溫度變化會發(fā)生明顯地改變。例如純鍺,濕度每升高10度,它的電阻率就要減小到原來的1/2。溫度的細(xì)微變化,能從半導(dǎo)體電阻率的明顯變化上反映出來。利用半...
1、高壓晶閘管 2、用于未來能量轉(zhuǎn)換中的igbt和快速開關(guān)二極管 3、采用超級結(jié)技術(shù)的超高速開關(guān)器件 4、應(yīng)用于高功率電源的sic元件
功率電子模塊的集成度 半導(dǎo)體模塊之間的差異,不僅僅體現(xiàn)在連接技術(shù)方面。另一個(gè)差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據(jù)集成度不同,可分為以下幾類:標(biāo)準(zhǔn)模塊,智能功率模塊(ipm),(集成)子系統(tǒng)。在ipm被廣泛使用(尤其在亞洲地區(qū))的同時(shí),集成子系統(tǒng)的使用只剛剛起步。 1、智能功率模塊(ipms) 智能功率模塊的特點(diǎn)在于除了功率半導(dǎo)體器件外,還有驅(qū)動電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護(hù)和監(jiān)測功能,如過電流和短路保護(hù),驅(qū)動器電源電壓控制和直流母線電壓測量等。 然而,大部分智能功率模塊沒有對功率側(cè)的信號輸入進(jìn)行電氣隔離。只有極少數(shù)的ipm包含了一個(gè)集成光耦。另一種隔離方案是采用變壓器 進(jìn)行隔離。 通常,小規(guī)模的ipm的特點(diǎn)在于其引線框架技術(shù)。穿孔銅板用作功率開關(guān)和驅(qū)動ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進(jìn)行散熱。 用于中高功率應(yīng)用的ipm模塊的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是將模塊分為兩個(gè)層次。功率半導(dǎo)體在底部,驅(qū)動器和保護(hù)電路在上部。本領(lǐng)域內(nèi)名氣最大的ipm是賽米控的skiip"_blank" href="/item/電流傳感器/10894884" data-lemmaid="10894884">電流傳感器、電氣隔離和電源。這些模塊裝在風(fēng)冷或水冷冷卻器上,并在供貨前進(jìn)行全面的測試。 一個(gè)有趣的趨勢是將標(biāo)準(zhǔn)模塊升級為ipm。可直接或使用帶驅(qū)動電路(通過彈簧連接)的適配器板來進(jìn)行升級。賽米控的skypertm驅(qū)動器是這方面理想的產(chǎn)品。 2、集成子系統(tǒng) 所有這些ipm的共同點(diǎn)是真實(shí)的“智能”,即將設(shè)定點(diǎn)值轉(zhuǎn)換成驅(qū)動脈沖序列的控制器不包含在模塊中。賽米控是250kw以下轉(zhuǎn)換器用集成子系統(tǒng)的核心制造商。skaitm模塊也是ipm,其特點(diǎn)是集成了dsp控制器,除脈寬調(diào)制外,還可進(jìn)行其它通信任務(wù)。這些子系統(tǒng)也包含集成直流環(huán)節(jié)電容器,一個(gè)輔助電源,精密電流傳感器和一個(gè)液體冷卻器。。
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隨著光纖激光器技術(shù)的飛速發(fā)展,作為光纖激光器泵浦源的高功率,高亮度的大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊越來越受到人們的關(guān)注。提高光纖耦合效率和光纖耦合模塊的可靠性,有效控制大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊的溫度成為人們關(guān)注的重點(diǎn)。
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文章從高功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊的組成和各個(gè)部分的機(jī)理出發(fā),詳細(xì)分析了影響其可靠性的因素,主要有以下三個(gè)方面:激光器自身的因素、耦合封裝工藝和電學(xué)因素。通過優(yōu)化原有工藝與采用新技術(shù),提高了模塊的可靠性,拓寬了其應(yīng)用領(lǐng)域。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及碳化硅肖特基二極管構(gòu)成的混合功率半導(dǎo)體模塊的術(shù)語、文字符號、基本額定值和特性以及測試方法等產(chǎn)品特性要求。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及碳化硅肖特基二極管構(gòu)成的混合功率半導(dǎo)體模塊的術(shù)語、文字符號、基本額定值和特性以及測試方法等產(chǎn)品特性要求。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了極限值試驗(yàn),特性參數(shù)測試、耐久性測試,根據(jù)特性參數(shù)確認(rèn)模塊特性,由此判斷是否通過極限值試驗(yàn)。參數(shù)包括(集電極-發(fā)射極電壓VCES, 二極管反向電壓VR、集電極-發(fā)射極短路時(shí)的柵極-發(fā)射極電壓±VGES、最大集電極電流IC、二極管正向(直流)電流IF、集電極峰值電流ICM、二極管正向峰值電流IFM、反偏安全工作區(qū)RBSOA、短路安全工作區(qū)1 SCSOA1、二極管正向(不重復(fù))浪涌電流IFSM、端子和底板之間的絕緣電壓Visol等)。
本標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)定了檢測報(bào)告中應(yīng)給出的信息。