功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率mosfet,常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率mos)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,常簡(jiǎn)寫(xiě)為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,而電路在高頻工作時(shí)能更節(jié)能、節(jié)材,能大幅減少設(shè)備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip,簡(jiǎn)寫(xiě)psoc),它能把傳感器件與電路、信號(hào)處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個(gè)硅芯片上,使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過(guò)熱、過(guò)壓、過(guò)流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能。國(guó)際專家把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)革命。
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率mosfet,常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率mos)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)以及功率集成電路(power ic,常簡(jiǎn)寫(xiě)為pic)為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作,而電路在高頻工作時(shí)能更節(jié)能、節(jié)材,能大幅減少設(shè)備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)(power system on a chip,簡(jiǎn)寫(xiě)psoc),它能把傳感器件與電路、信號(hào)處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個(gè)硅芯片上,使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過(guò)熱、過(guò)壓、過(guò)流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能。國(guó)際專家把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)革命。
1、高壓晶閘管 2、用于未來(lái)能量轉(zhuǎn)換中的igbt和快速開(kāi)關(guān)二極管 3、采用超級(jí)結(jié)技術(shù)的超高速開(kāi)關(guān)器件 4、應(yīng)用于高功率電源的sic元件
ABB ACS800逆變模塊功率半導(dǎo)體IGBT損壞問(wèn)題
ABB原裝IGBT通常情況下較貴,可用其他廠家的IGBT來(lái)代替,如三菱,西門(mén)康等。也可選國(guó)內(nèi)的。
關(guān)注你的提問(wèn)幾天了,想幫你,但你的問(wèn)題不太清楚,你究竟要做什么半導(dǎo)體制冷模塊,干什么用的,有什么要求,再補(bǔ)充一下。
半導(dǎo)體主要具有三大特性:1.熱敏特性半導(dǎo)體的電阻率隨溫度變化會(huì)發(fā)生明顯地改變。例如純鍺,濕度每升高10度,它的電阻率就要減小到原來(lái)的1/2。溫度的細(xì)微變化,能從半導(dǎo)體電阻率的明顯變化上反映出來(lái)。利用半...
1、高壓晶閘管 2、用于未來(lái)能量轉(zhuǎn)換中的igbt和快速開(kāi)關(guān)二極管 3、采用超級(jí)結(jié)技術(shù)的超高速開(kāi)關(guān)器件 4、應(yīng)用于高功率電源的sic元件
功率電子模塊的集成度 半導(dǎo)體模塊之間的差異,不僅僅體現(xiàn)在連接技術(shù)方面。另一個(gè)差別因素是附加有源和無(wú)源器件的集成度。根據(jù)集成度不同,可分為以下幾類(lèi):標(biāo)準(zhǔn)模塊,智能功率模塊(ipm),(集成)子系統(tǒng)。在ipm被廣泛使用(尤其在亞洲地區(qū))的同時(shí),集成子系統(tǒng)的使用只剛剛起步。 1、智能功率模塊(ipms) 智能功率模塊的特點(diǎn)在于除了功率半導(dǎo)體器件外,還有驅(qū)動(dòng)電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測(cè)量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護(hù)和監(jiān)測(cè)功能,如過(guò)電流和短路保護(hù),驅(qū)動(dòng)器電源電壓控制和直流母線電壓測(cè)量等。 然而,大部分智能功率模塊沒(méi)有對(duì)功率側(cè)的信號(hào)輸入進(jìn)行電氣隔離。只有極少數(shù)的ipm包含了一個(gè)集成光耦。另一種隔離方案是采用變壓器 進(jìn)行隔離。 通常,小規(guī)模的ipm的特點(diǎn)在于其引線框架技術(shù)。穿孔銅板用作功率開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)ic的載體。通過(guò)一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進(jìn)行散熱。 用于中高功率應(yīng)用的ipm模塊的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是將模塊分為兩個(gè)層次。功率半導(dǎo)體在底部,驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路在上部。本領(lǐng)域內(nèi)名氣最大的ipm是賽米控的skiip"_blank" href="/item/電流傳感器/10894884" data-lemmaid="10894884">電流傳感器、電氣隔離和電源。這些模塊裝在風(fēng)冷或水冷冷卻器上,并在供貨前進(jìn)行全面的測(cè)試。 一個(gè)有趣的趨勢(shì)是將標(biāo)準(zhǔn)模塊升級(jí)為ipm??芍苯踊蚴褂脦?qū)動(dòng)電路(通過(guò)彈簧連接)的適配器板來(lái)進(jìn)行升級(jí)。賽米控的skypertm驅(qū)動(dòng)器是這方面理想的產(chǎn)品。 2、集成子系統(tǒng) 所有這些ipm的共同點(diǎn)是真實(shí)的“智能”,即將設(shè)定點(diǎn)值轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)脈沖序列的控制器不包含在模塊中。賽米控是250kw以下轉(zhuǎn)換器用集成子系統(tǒng)的核心制造商。skaitm模塊也是ipm,其特點(diǎn)是集成了dsp控制器,除脈寬調(diào)制外,還可進(jìn)行其它通信任務(wù)。這些子系統(tǒng)也包含集成直流環(huán)節(jié)電容器,一個(gè)輔助電源,精密電流傳感器和一個(gè)液體冷卻器。。
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根據(jù)大功率半導(dǎo)體激光二極管列陣與光纖列陣耦合方式,分別從理論和實(shí)驗(yàn)兩方面討論、分析了大功率半導(dǎo)體激光二極管列陣與微球透鏡光纖列陣耦合。將19根芯徑均為200μm的光纖的端面分別熔融拉錐成具有相同直徑的微球透鏡,利用V形槽精密排列,排列周期等于激光二極管列陣各發(fā)光單元的周期。將微球透鏡光纖列陣直接對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體激光二極管列陣的19個(gè)發(fā)光單元,精密調(diào)節(jié)兩者之間的距離,使耦合輸出功率達(dá)到最大。半導(dǎo)體激光二極管列陣與微球透鏡光纖列陣直接耦合后,不僅從各個(gè)方向同時(shí)壓縮了激光束的發(fā)散角,有效地實(shí)現(xiàn)了對(duì)激光束的整形、壓縮,而且實(shí)現(xiàn)30 W的高輸出功率,最大耦合效率大于80%,光纖的數(shù)值孔徑為0.16。
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隨著光纖激光器技術(shù)的飛速發(fā)展,作為光纖激光器泵浦源的高功率,高亮度的大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊越來(lái)越受到人們的關(guān)注。提高光纖耦合效率和光纖耦合模塊的可靠性,有效控制大功率半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊的溫度成為人們關(guān)注的重點(diǎn)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及碳化硅肖特基二極管構(gòu)成的混合功率半導(dǎo)體模塊的術(shù)語(yǔ)、文字符號(hào)、基本額定值和特性以及測(cè)試方法等產(chǎn)品特性要求。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及碳化硅肖特基二極管構(gòu)成的混合功率半導(dǎo)體模塊的術(shù)語(yǔ)、文字符號(hào)、基本額定值和特性以及測(cè)試方法等產(chǎn)品特性要求。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了極限值試驗(yàn),特性參數(shù)測(cè)試、耐久性測(cè)試,根據(jù)特性參數(shù)確認(rèn)模塊特性,由此判斷是否通過(guò)極限值試驗(yàn)。參數(shù)包括(集電極-發(fā)射極電壓VCES, 二極管反向電壓VR、集電極-發(fā)射極短路時(shí)的柵極-發(fā)射極電壓±VGES、最大集電極電流IC、二極管正向(直流)電流IF、集電極峰值電流ICM、二極管正向峰值電流IFM、反偏安全工作區(qū)RBSOA、短路安全工作區(qū)1 SCSOA1、二極管正向(不重復(fù))浪涌電流IFSM、端子和底板之間的絕緣電壓Visol等)。
本標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)定了檢測(cè)報(bào)告中應(yīng)給出的信息。