硅片回收技術硅片回收分類
硅料,硅片,太陽能電池片,單晶電池,多晶電池(整片碎片),125電池片,156電池片,單晶電池片,多晶電池片,半導體硅片,太陽能硅片,單晶硅片,多晶硅片,高效/低效太陽能電池片,崩邊缺角太陽能電池片,太陽能電池板組件,太陽能電池碎片,單晶碎電池片,多晶碎電池片,破碎電池片,碎硅片,電池擴散碎片,廢硅片,電池裸片,拋光片,光刻片,彩片,藍膜片,單晶硅棒,多晶硅錠,硅塊,原生多晶,頂側邊皮料,單晶邊皮,多晶邊皮,硅頭尾料,鍋底料,單晶硅,多晶硅等各類硅材料。硅片回收的準備過程從硅單晶棒開始,到清潔的拋光片結束,以能夠在絕好的環(huán)境中使用。期間,從一單晶硅棒到加工成數片能滿足特殊要求的硅片要經過很多流程和清洗步驟。除了有許多工藝步驟之外,整個過程幾乎都要在無塵的環(huán)境中進行。硅片的加工從一相對較臟的環(huán)境開始,最終在10級凈空房內完成。 硅片回收加工過程包括許多步驟。所有的步驟概括為三個主要種類:能修正物理性能如尺寸、形狀、平整度、或一些體材料的性能;能減少不期望的表面損傷的數量;或能消除表面沾污和顆粒。硅片加工的主要的步驟如表1.1的典型流程所示。硅片回收技術步驟的順序是很重要的,因為這些步驟的決定能使銀漿回收受到盡可能少的損傷并且可以減少硅片的沾污。在以下的章節(jié)中,每一步驟都會得到詳細介紹。
硅片回收技術切片、退火、倒角
硅片回收是閩來新能源回收利用由專業(yè)機構專業(yè)回收廢或過期原生多晶硅,125太陽能單晶電池片,156太陽能多晶片(整片,碎片),拋光片,頭尾料,半導體硅片,及稀有金屬硅片回收工藝流程具體介紹如下:
切片:將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產生的硅粉采用水淋,產生廢水和硅渣。
退火:雙工位熱氧化爐經氮氣吹掃后,用紅外加熱至300~500℃,硅片表面和氧氣發(fā)生反應,使硅片表面形成二氧化硅保護層。
倒角:將退火的硅片進行修整成圓弧形,防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產生,增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產生的硅粉采用水淋,產生廢水和硅渣。
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因為兩者會反應生成硅酸鈉(俗稱“泡花堿”)硅酸鈉又會和水反應生成原硅酸
你說的是這個么 好象是很專業(yè)的 我就只能發(fā)這個了 不好意思 硅片 目前,在米粒大的硅片上,已能集成15.6萬個晶體管。這是何等精細的工程!這是多學科協同努力的結晶,是科學技術進步的又一個里程碑。 微電...
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多線切割是當前硅太陽能電池片生產的主要工藝。在線切割過程中約有1/2的晶體硅成為鋸屑進入到切割砂漿。砂漿中的各種污染物并未進入高純硅屑晶體內部,因此可以期望通過物理分離、清洗等技術來提取獲得高純硅粉,而不需要通過高耗能的高溫化學或相變過程。綜述了硅片線切割過程、硅屑形成及廢砂漿特性,評述了從線切割廢砂漿中回收高純硅粉的研究現狀和進展,包括本研究組近期的研究結果。
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H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O為半導體芯片生產過程中三種去除硅片背面銅污染的化學清洗液。在單片濕法清洗機上采用這三種化學液對直徑300 mm具有類似于實際生產中銅污染的硅片進行了清洗,結果發(fā)現H2SO4/H2O2/H2O在清洗過程中不對硅片表面的Si3N4膜產生損傷,但銅污染的去除效率較低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O對Si3N4膜產生微量刻蝕,從而去除擴散至硅片內部銅污染,從而顯示出較佳的去除效果。通過比較HF/H2O2/H2O中HF體積分數與Si3N4膜刻蝕深度和清洗后銅原子濃度,HF的體積分數為1.5%時,可以使硅片表面銅原子濃度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的損失小于1 nm。