拋光液

硅材料拋光液、藍(lán)寶石拋光液、砷化鎵拋光液、鈮酸鋰拋光液、鍺拋光液、集成電路多次銅布線拋光液、集成電路阻擋層拋光液、研磨拋光液、電解拋光液、不銹鋼電化學(xué)拋光液、不銹鋼拋光液、石材專用納米拋光液、氧化鋁拋光液、銅化學(xué)拋光液、鋁合金拋光液、鏡面拋光液、銅拋光液、玻璃研磨液、藍(lán)寶石研磨液等。

拋光液硅材料

拋光液

拋光液藍(lán)寶石

拋光液

拋光液砷化鎵

拋光液

拋光液鈮酸鋰

拋光液

鍺拋光液

集成電路多次銅布線拋光液

集成電路阻擋層拋光液

拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，具有良好的去油污，防銹，清洗和增光性能，并能使金屬制品超過原有的光澤。產(chǎn)品性能穩(wěn)定、無毒，對環(huán)境無污染等優(yōu)點(diǎn)。

這兩個(gè)概念主要出半導(dǎo)體加工過程中，最初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢：單純的化學(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。

拋光液的主要產(chǎn)品可以按主要成分的不同分為以下幾大類：金剛石拋光液（多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液）、氧化硅拋光液（即CMP拋光液）、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類。

多晶金剛石拋光液

多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時(shí)不易對研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。

主要應(yīng)用于藍(lán)寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學(xué)晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。

氧化硅拋光液

氧化硅拋光液（CMP拋光液）是以高純硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。

廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學(xué)器件、藍(lán)寶石片等的拋光加工。

氧化鈰拋光液

氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細(xì)、粒度分布均勻、硬度適中等特點(diǎn)。

適用于高精密光學(xué)儀器，光學(xué)鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。

氧化鋁和碳化硅拋光液

是以超細(xì)氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。

主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）機(jī)理、動(dòng)力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個(gè)動(dòng)力學(xué)過程：

（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。

（2）拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來的動(dòng)力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過程。

硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

包括棘輪扳手、開口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺絲刀等，鉛錫合金、鋅合金等金屬產(chǎn)品經(jīng)過研磨以后，再使用拋光劑配合振動(dòng)研磨光飾機(jī)，滾桶式研磨光式機(jī)進(jìn)行拋光。

1、拋光劑投放量為（根據(jù)不同產(chǎn)品的大小，光飾機(jī)的大小和各公司的產(chǎn)品光亮度要求進(jìn)行適當(dāng)配置）；

2、拋光時(shí)間：根據(jù)產(chǎn)品的狀態(tài)來定；

3、拋光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。

1. LED行業(yè)

LED芯片主要采用的襯底材料是藍(lán)寶石，在加工過程中需要對其進(jìn)行減薄和拋光。藍(lán)寶石的硬度極高，普通磨料難以對其進(jìn)行加工。在用金剛石研磨液對藍(lán)寶石襯底表面進(jìn)行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實(shí)現(xiàn)了藍(lán)寶石表面的精密拋光。隨著LED行業(yè)的快速發(fā)展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。

2.半導(dǎo)體行業(yè)

CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個(gè)問題，它是可以在整個(gè)硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。

研磨拋光液是不同于固結(jié)磨具，涂附磨具的另一類“磨具”，磨料在分散劑中均勻、游離分布。研磨拋光液可分為研磨液和拋光液。一般研磨液用于粗磨，拋光液用于精密磨削。拋光液通常用于研磨液的下道工序，行業(yè)中也把拋光液稱為研磨液或把研磨液稱為拋光液的。

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