《硅片加工技術(shù)》是2010年化學(xué)工業(yè)出版社出版的圖書(shū),由康自衛(wèi),王麗主編。
書(shū)名 | 硅片加工技術(shù) | 作者 | 康自衛(wèi),王麗 主編 |
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ISBN | 9787122090584 | 定價(jià) | ¥30.00 |
出版社 | 化學(xué)工業(yè)出版社 | 出版時(shí)間 | 2010-9-1 |
開(kāi)本 | 16開(kāi) |
天然硅藻土的主要成分是SiO2,優(yōu)質(zhì)者色白,SiO2含量常超過(guò)70%。單體硅藻無(wú)色透明,硅藻土的顏色取決于粘土礦物及有機(jī)質(zhì)等,不同礦源硅藻土的成分不同。 硅藻土,是被稱之為硅藻的單細(xì)胞植物死亡后經(jīng)過(guò)1...
竹席一般以水竹、毛竹、油竹等竹子為原料,并將竹皮劈成篾絲,經(jīng)蒸煮、浸泡等工藝后以手工經(jīng)緯編織而成的。在經(jīng)過(guò)嚴(yán)格加工處理后,竹藤變得柔軟而堅(jiān)韌,在相互的交疊纏繞編制中制造出各式各樣的藤制家具。
因?yàn)閮烧邥?huì)反應(yīng)生成硅酸鈉(俗稱“泡花堿”)硅酸鈉又會(huì)和水反應(yīng)生成原硅酸
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頁(yè)數(shù): 4頁(yè)
評(píng)分: 4.5
多線切割是當(dāng)前硅太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)的主要工藝。在線切割過(guò)程中約有1/2的晶體硅成為鋸屑進(jìn)入到切割砂漿。砂漿中的各種污染物并未進(jìn)入高純硅屑晶體內(nèi)部,因此可以期望通過(guò)物理分離、清洗等技術(shù)來(lái)提取獲得高純硅粉,而不需要通過(guò)高耗能的高溫化學(xué)或相變過(guò)程。綜述了硅片線切割過(guò)程、硅屑形成及廢砂漿特性,評(píng)述了從線切割廢砂漿中回收高純硅粉的研究現(xiàn)狀和進(jìn)展,包括本研究組近期的研究結(jié)果。
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頁(yè)數(shù): 5頁(yè)
評(píng)分: 4.8
H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O為半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過(guò)程中三種去除硅片背面銅污染的化學(xué)清洗液。在單片濕法清洗機(jī)上采用這三種化學(xué)液對(duì)直徑300 mm具有類似于實(shí)際生產(chǎn)中銅污染的硅片進(jìn)行了清洗,結(jié)果發(fā)現(xiàn)H2SO4/H2O2/H2O在清洗過(guò)程中不對(duì)硅片表面的Si3N4膜產(chǎn)生損傷,但銅污染的去除效率較低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O對(duì)Si3N4膜產(chǎn)生微量刻蝕,從而去除擴(kuò)散至硅片內(nèi)部銅污染,從而顯示出較佳的去除效果。通過(guò)比較HF/H2O2/H2O中HF體積分?jǐn)?shù)與Si3N4膜刻蝕深度和清洗后銅原子濃度,HF的體積分?jǐn)?shù)為1.5%時(shí),可以使硅片表面銅原子濃度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的損失小于1 nm。
《半導(dǎo)體硅材料基礎(chǔ)》系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體硅材料的基本性質(zhì)、與半導(dǎo)體晶體材料相關(guān)的晶體幾何學(xué)、能帶理論、微電子學(xué)方面的基礎(chǔ)理論知識(shí),系統(tǒng)地介紹了作為光伏技術(shù)應(yīng)用的硅材料的制備基礎(chǔ)理論知識(shí),為系統(tǒng)學(xué)習(xí)多晶硅生產(chǎn)技術(shù)和單晶硅及硅片加工技術(shù)奠定理論基礎(chǔ),是硅材料技術(shù)專業(yè)的核心教材。
《半導(dǎo)體硅材料基礎(chǔ)》可作為高職高專硅材料技術(shù)及光伏專業(yè)的教材,同時(shí)也可作為中專、技校和從事單晶硅生產(chǎn)的企業(yè)員工的培訓(xùn)教材,還可供相關(guān)專業(yè)工程技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。
硅片是半導(dǎo)體和光伏領(lǐng)域的主要生產(chǎn)材料。硅片多線切割技術(shù)是目前世界上比較先進(jìn)的硅片加工技術(shù),它不同于傳統(tǒng)的刀鋸片、砂輪片等切割方式,也不同于先進(jìn)的激光切割和內(nèi)圓切割,它的原理是通過(guò)一根高速運(yùn)動(dòng)的鋼線帶動(dòng)附著在鋼絲上的切割刃料對(duì)硅棒進(jìn)行摩擦,從而達(dá)到切割效果。在整個(gè)過(guò)程中,鋼線通過(guò)十幾個(gè)導(dǎo)線輪的引導(dǎo),在主線輥上形成一張線網(wǎng),而待加工工件通過(guò)工作臺(tái)的下降實(shí)現(xiàn)工件的進(jìn)給。硅片多線切割技術(shù)與其他技術(shù)相比有:效率高,產(chǎn)能高,精度高等優(yōu)點(diǎn)。是目前采用最廣泛的硅片切割技術(shù)。