硅氣壓測(cè)量傳感器硅膜盒電容式氣壓傳感器

硅膜盒電容式氣壓傳感器。其主要部件為變?nèi)菔秸婵展枘ず?。傳感器的基板是一個(gè)厚單晶硅層，其上有一鍍有金屬導(dǎo)電層的玻璃片，把一單晶硅薄膜用靜電焊接方法焊接到這個(gè)玻璃片上，對(duì)硅膜采用鍍金方法使其具有導(dǎo)電性，從而使導(dǎo)電玻璃片與硅膜構(gòu)成平行板電容器，中間形成真空而構(gòu)成硅膜盒。當(dāng)大氣壓強(qiáng)發(fā)生變化時(shí)，真空膜盒的彈性單晶硅膜片產(chǎn)生形變而引起其電容量的改變，通過(guò)測(cè)量電容量來(lái)測(cè)量氣壓。硅膜盒電容式氣壓傳感器已廣泛用于我國(guó)自動(dòng)氣象站，其性能較為穩(wěn)定，具有測(cè)量范圍寬，滯差極小，重復(fù)性好及無(wú)電熱效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)。

硅是地球上儲(chǔ)藏最豐富的材料之一。硅材料因其具有耐高溫和抗輻射性能較好等優(yōu)點(diǎn)得到廣泛應(yīng)用。下面介紹兩種硅氣壓測(cè)量傳感器。硅膜盒電容式氣壓傳感器。其主要部件為變?nèi)菔秸婵展枘ず小９虘B(tài)壓阻式傳感器是利用壓阻效應(yīng)制成的硅單晶膜片式結(jié)構(gòu)的壓強(qiáng)傳感器。

固態(tài)壓阻式傳感器是利用壓阻效應(yīng)制成的硅單晶膜片式結(jié)構(gòu)的壓強(qiáng)傳感器。其核心敏感元件是在周邊固定的硅單晶膜片上，采用集成工藝，在適當(dāng)位置擴(kuò)散4個(gè)半導(dǎo)體應(yīng)變電阻，并將它們接成電橋。膜片兩側(cè)分別為密封真空腔和通入氣的氣壓腔。當(dāng)膜片兩側(cè)存在氣壓差時(shí)，膜片變形，應(yīng)變電阻在應(yīng)力作用下阻值變化，電橋失去平衡，輸出相應(yīng)的電壓。 2100433B

CHZBL-1張力測(cè)量傳感器，是一種高精度張力測(cè)量傳感器。

適用于各種光纖、紗線、化纖、金屬絲、電線、電纜、膠帶、 鋼帶的張力測(cè)量。

廣泛應(yīng)用于電子、化工、紡織、造紙、機(jī)械等領(lǐng)域。

CHZBL-1三滑輪張力傳感器技術(shù)參數(shù)：

量程

0～50 N

50～500 N

500N以上

按照地理位置，從赤道向兩極依次分為 ：赤道低壓帶(分布在赤道附近)，副熱帶高壓帶(南北緯30度附近)，副極地低壓帶(南北緯60度附近)，極地高壓帶(南北極點(diǎn)附近)。

氣壓帶赤道低氣壓帶

在赤道及其兩側(cè)，是太陽(yáng)高度角最大的地帶，這里受太陽(yáng)光熱最多，地面增溫也高，接近地面的空氣受熱膨脹上升，空氣減少，氣壓降低。這樣在南北緯5°之間的地區(qū)，就形成了一個(gè)低氣壓帶——赤道低氣壓帶。

氣壓帶副熱帶高氣壓帶

由赤道低氣壓帶上升的氣流，由于氣溫隨高度而降低，空氣漸重，在距地面4~8公里處大量聚集，轉(zhuǎn)向南北方向擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，同時(shí)還受重力影響，故氣流邊前進(jìn)，邊下沉，各在南北緯30°附近沉到近地面，使低空空氣增多，氣壓升高，形成了南北兩個(gè)副熱帶高氣壓帶，它是因?yàn)榭諝饩鄯e，由動(dòng)力原因形成的，屬暖性高壓。

氣壓帶極地高氣壓帶

在地球南北兩極及其附近是緯度最高的地區(qū)，這里的太陽(yáng)高度角最小，接受的太陽(yáng)光熱也最少，終年低溫，空氣冷重下沉，地面空氣多，氣壓較高，形成南北兩個(gè)極地高氣壓帶，它是由熱力原因形成的冷高壓。

氣壓帶副極地低氣壓帶

這個(gè)氣壓帶在南北緯60°附近，由于這個(gè)地帶處于副熱帶高氣壓帶和極地高氣壓帶之間，是一個(gè)相對(duì)的低壓帶。

這樣，在假設(shè)不自轉(zhuǎn)的地球上，就形成了上述的七個(gè)氣壓帶。

我們通常所說(shuō)的蒸氣壓為液體的蒸氣壓，當(dāng)氣相和液相達(dá)到平衡時(shí)，氣相蒸氣所具有的壓力稱為該溫度下的飽和蒸氣壓，簡(jiǎn)稱蒸氣壓。無(wú)論是固體或液體，蒸氣壓大的稱為易揮發(fā)性物質(zhì)，蒸氣壓小的稱為難揮發(fā)性物質(zhì)。