通過(guò)高倍掃描電鏡觀察和能譜分析,證實(shí)了Zn/Ni3Si體系周期層片型結(jié)構(gòu)在最初形成的階段是由單相層片和雙相層片交替構(gòu)成的,符合擴(kuò)散應(yīng)力模型的預(yù)測(cè)。在反應(yīng)擴(kuò)散的過(guò)程中,Zn/Ni3Si體系周期層片型結(jié)構(gòu)會(huì)進(jìn)一步發(fā)生相變,逐漸由單雙相交替結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變成由兩類成份不同的單相層片交替構(gòu)成。在Zn/CuxTi、固態(tài)反應(yīng)體系中,我們也發(fā)現(xiàn)了類似的相變過(guò)程。
本實(shí)驗(yàn)所用樣品CuXTiY合金采用純度≥99.99wt.%的金屬欽片和銅絲按一定比例真空熔煉配制而成。Ni3Si合金采用純度≥99.99%的金屬鎳塊和晶體硅片真空熔煉配制后,封裝真空石英管,在1073K保溫14天后取出。為保證反應(yīng)界面結(jié)合良好,采用瞬間液接法(melting contact method)制備Zn/CuxTiy擴(kuò)散偶和Zn/Ni3Si擴(kuò)散偶(Zn的純度99.999wt.%)。各組擴(kuò)散偶在663K保溫不同時(shí)間段后取出空冷。金相處理后,采用場(chǎng)致發(fā)射掃描電鏡((SEM, Zeiss SIGMA)觀察擴(kuò)散偶的反應(yīng)區(qū)形貌,并利用能一潛分析儀(EDS, TEAM EDS)分析相區(qū)成份 。
固態(tài)反應(yīng)周期層片型結(jié)構(gòu)是一類高度規(guī)則的微納米級(jí)自生成復(fù)合多層膜結(jié)構(gòu),膜層界面結(jié)合良好,是未來(lái)功能薄膜材料制備技術(shù)的發(fā)展方向之一?!皵U(kuò)散應(yīng)力模型”解釋了固態(tài)反應(yīng)周期層片型結(jié)構(gòu)的形成機(jī)理,并對(duì)新體系的微觀結(jié)構(gòu)特征給出了預(yù)測(cè)。本工作利用掃描電鏡與能譜儀(SEM-EDS),研究了Zn/Ni3Si固態(tài)反應(yīng)體系的周期層片結(jié)構(gòu),證實(shí)了Zn/Ni3Si體系周期層片型結(jié)構(gòu)的形成特征符合擴(kuò)散應(yīng)力模型的預(yù)測(cè)。
固態(tài)反應(yīng)周期層片型結(jié)構(gòu)是由K. Osinski等人在1982年發(fā)現(xiàn)的,目前己知能夠形成周期層片結(jié)構(gòu)的固態(tài)反應(yīng)體系有:Zn/Fe3Si, Zn/Co2Si, Zn/Ni3SiZ, Mg/NiSOCozoFe3o, Ni/SiC, Pt/SiC, Co/SiC, Mg/Si02,AI/UoMo. AI/(Ni,W), Zn/Ni3Si,以及最近發(fā)現(xiàn)的Zn/CuxTiy反應(yīng)體系。
一般情況軟件計(jì)算的應(yīng)該是正確的,你手工計(jì)算時(shí)可能公式不對(duì)或計(jì)算式列的不對(duì),所以才出現(xiàn)量差的。獨(dú)立基礎(chǔ)四棱錐臺(tái)形計(jì)算公式為:a*b*h+h1*(a*b+(a+a1)*(b+b1)+a1*b1)/6,你利...
在套好的定額內(nèi),點(diǎn)擊定額子目,在下方點(diǎn)擊工料機(jī)顯示,就會(huì)出現(xiàn)該子目的人工,材料含量及定額價(jià),市場(chǎng)價(jià),按當(dāng)?shù)鼐W(wǎng)刊人工費(fèi)上調(diào)數(shù)額,直接修改人工價(jià)就可以了,也可以在統(tǒng)一調(diào)整人材機(jī)欄內(nèi)按網(wǎng)刊調(diào)整,或者在費(fèi)用匯...
審計(jì)結(jié)果與審價(jià)結(jié)果對(duì)施工單位的效力?
實(shí)際結(jié)果就是:審計(jì)局收取審計(jì)費(fèi)(核減數(shù)的20%,比我們搞結(jié)算可強(qiáng)N倍),施工單位被狂宰,但你還不能告他,只能申請(qǐng)行政復(fù)議,審計(jì)報(bào)告的造價(jià)就是建設(shè)單位付給你的最終造價(jià),審計(jì)是行政執(zhí)法,有時(shí)不服不行,就是...
由于此法形成非晶態(tài)不需要從熔體急冷,從理論上講,成品不受尺寸限制,可以制成大塊非晶體。非晶體的形成是在遠(yuǎn)低于熔點(diǎn)溫度下進(jìn)行的,整個(gè)反應(yīng)過(guò)程只涉及固相。固態(tài)反應(yīng)非晶化研究始于1981年。1983年由R.B.施瓦茨(Schwarz)等人在研究金翎(Au-La)多層膜時(shí)發(fā)現(xiàn)Au-La擴(kuò)散偶在125℃以下退火產(chǎn)物為非晶。同年C.C.科克(Koek)等人用機(jī)械合金化法將Ni6、Nb4、金屬粉末制成非晶質(zhì)。固態(tài)反應(yīng)非晶化的基本條件是:實(shí)驗(yàn)開始的亞穩(wěn)晶態(tài)相與相應(yīng)的非晶態(tài)相比,具有較高的自由能 。
綜述了固態(tài)反應(yīng)周期層片型結(jié)構(gòu)的最新研究工作進(jìn)展。實(shí)驗(yàn)證實(shí)了Zn/Ni3Si體系周期層片型結(jié)構(gòu)在最初形成的階段是由單相層片和雙相層片交替構(gòu)成的,符合擴(kuò)散應(yīng)力模型的預(yù)測(cè) 。
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為了更好地了解省內(nèi)外給排水從業(yè)人員對(duì)化糞池設(shè)置的不同見(jiàn)解,并為編制《福建省化糞池設(shè)置技術(shù)管理暫行規(guī)定》提供依據(jù),進(jìn)行了化糞池設(shè)置調(diào)查問(wèn)卷的分發(fā)與回收,通過(guò)函調(diào)反饋信息,對(duì)函調(diào)結(jié)果進(jìn)行了整理分析并探討了取消化糞池的可行性。
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通過(guò)調(diào)研反饋的信息,分析地漏在我國(guó)的應(yīng)用現(xiàn)狀及存在的主要問(wèn)題.調(diào)研發(fā)現(xiàn),地漏產(chǎn)品的材質(zhì)多樣化趨勢(shì)明顯,生產(chǎn)地漏中采標(biāo)情況相對(duì)集中,地漏產(chǎn)品的功能性日趨豐富和實(shí)用,水封形式更加科學(xué)合理,使用場(chǎng)所進(jìn)一步擴(kuò)大,地漏構(gòu)造更加合理,影響地漏流量差異的因素應(yīng)該受到重視.
廣義上講固態(tài)發(fā)酵是指一類使用不溶性固體基質(zhì)來(lái)培養(yǎng)微生物的工藝過(guò)程,既包括將固態(tài)懸浮在液體中的深層發(fā)酵,也包括在沒(méi)有(或幾乎沒(méi)有)游離水的濕固體材料上培養(yǎng)微生物的工藝過(guò)程。多數(shù)情況下是指在沒(méi)有或幾乎沒(méi)有自由水存在下,在有一定濕度的水不溶性固態(tài)基質(zhì)中,用一種或多種微生物發(fā)酵的一個(gè)生物反應(yīng)過(guò)程。
狹義上講固態(tài)發(fā)酵是指利用自然底物做碳源及能源,或利用惰性底物做固體支持物,其體系無(wú)水或接近于無(wú)水的任何發(fā)酵過(guò)程。
固氧、固態(tài)氧形成于正常大氣壓的54.36K(-218.79°C)以下。固態(tài)的氧氣由于吸收紅色光,像液氧一樣,是淺藍(lán)色透明物質(zhì)。 氧分子因它在分子磁化(molecular magnetization)上與晶體結(jié)構(gòu)、電子排布、超導(dǎo)電性的關(guān)系而受到關(guān)注。氧分子是能承載磁矩的唯一的簡(jiǎn)單雙原子分子(通常情況下縱使所有分子也只有少數(shù)能夠如此)。它被認(rèn)為是"受自旋控制(spin-controlled)"的晶體,并因此展現(xiàn)出不尋常的磁性規(guī)律。在極高壓下,固氧從熱絕緣材料變成金屬的形態(tài);而在極低溫下,它甚至能變成超導(dǎo)體。對(duì)固氧的結(jié)構(gòu)研究始于19世紀(jì)20年代,目前,已確定六種涇渭分明的晶體相。固氧的密度從α相的約21 cm/mol,到γ相的約 23.5 cm/mol 。
通常我們所說(shuō)的固態(tài)氧并不是固態(tài)的氧氣,而是由過(guò)碳酸鈉、穩(wěn)定劑、增效劑制成的白色或彩色(經(jīng)染色而成)顆粒狀增氧劑。增氧劑采用特殊圓柱形顆粒設(shè)計(jì),能夠直接沉入池塘底部,與水反應(yīng)后產(chǎn)生大量氧氣,迅速增加水體溶氧,并能長(zhǎng)時(shí)間維持水中的高溶氧;在池底產(chǎn)生大量微小氧氣氣泡上升的過(guò)程中,能有效的溶解到水體中,對(duì)池塘底層和中下層水體進(jìn)行增氧,達(dá)到"立體增氧"的效果,真正有效解決了底層缺氧的問(wèn)題。
液體電解電容的電介質(zhì)為液態(tài)電解液,液態(tài)粒子在高溫下十分活躍,對(duì)電容內(nèi)部產(chǎn)生壓力,它的沸點(diǎn)不是很高,因此可能會(huì)出現(xiàn)爆漿的情況,固態(tài)電容采用了高分子電介質(zhì),固態(tài)粒子在高溫下,無(wú)論是粒子澎漲或是活躍性均較液態(tài)電解液低,它的沸點(diǎn)也高達(dá)攝氏350度,因此幾乎不可能出現(xiàn)爆漿的可能性。 從理論上來(lái)說(shuō),固態(tài)電容幾乎不可能爆漿。
固態(tài)電容在等效串聯(lián)阻抗表現(xiàn)上相比傳統(tǒng)電解電容有更優(yōu)異的表現(xiàn),據(jù)測(cè)試顯示,固態(tài)電容在高頻運(yùn)作時(shí)等效串聯(lián)電阻極為微小,而且導(dǎo)電性頻率特佳,具有降低電阻抗和更低熱輸出的特色,在100KHz至10MHz之間表現(xiàn)最為明顯。 而傳統(tǒng)電解電容比較容易受使用環(huán)境的溫度和濕度影響,在高低溫穩(wěn)定性方面稍差。即使是在零下攝氏55度至105度,固態(tài)電容的ESR(等效串聯(lián)電阻)阻抗可以低達(dá)0.004~0.005歐姆,但電解電容則會(huì)因溫度而改變。 在電容值方面,液態(tài)電容在攝氏20度以下,將會(huì)比其標(biāo)示的電容值為低,溫度越低電容值也會(huì)隨之而下降,在攝氏零下20度下電容量下降約13%、攝氏零下55度下電容量更達(dá)至37%。 當(dāng)然,這對(duì)普通用戶來(lái)說(shuō)沒(méi)有什么影響,但對(duì)于采用液態(tài)氮作終極超頻的玩家來(lái)說(shuō),固態(tài)電容可保證不會(huì)因溫度降低而使電容容量上受到影響,從而導(dǎo)致超頻穩(wěn)定性大打折扣,因?yàn)楣虘B(tài)電容在零下55度其電容值只會(huì)下降不足5%。 固態(tài)電容確實(shí)有很多優(yōu)點(diǎn),但它并不是任何時(shí)候都適用。
固態(tài)電容的低頻響應(yīng)不如電解電容,如果用于涉及到音效的部分會(huì)得不到最佳的音質(zhì)效果。也就是說(shuō),一款主板采用全固態(tài)電容并不一定是最合理的!不管是固態(tài)電容還是電解電容,它們的主要作用是濾除雜波,因此電容只要容量達(dá)到一定的數(shù)值要求即可,只要其元件質(zhì)量過(guò)關(guān),也能確保主板的穩(wěn)定運(yùn)行。而這一點(diǎn),電解電容也完全能做到!
固態(tài)電容在105攝氏度的時(shí)候,它和電解電容的壽命同樣為2000小時(shí),在溫度降低后,它們的壽命會(huì)增加,但是固態(tài)電容壽命增加的幅度更大,一般情況下電容的工作溫度在70度或更低,這個(gè)時(shí)候固態(tài)電容的壽命可能會(huì)達(dá)到23年,幾乎是電解電容的6倍多!但是……你的主板在23年后還會(huì)繼續(xù)使用嗎?而且這個(gè)23年是指全天候24小時(shí)開機(jī),即使電容有那么長(zhǎng)的壽命,其它元器件恐怕也不能挺23年!
固態(tài)電容與電解電容相比,同體積同電壓下,電解電容的容量遠(yuǎn)大于固態(tài)電容,目前電腦主板CPU電源部分大都采用固態(tài)電容,雖避免了爆漿問(wèn)題,但由于體積限制,容量冗余很少;再者因容量問(wèn)題,不得不提高CPU供電部分開關(guān)的頻率。固態(tài)電容和電解電容在使用過(guò)程中都會(huì)出現(xiàn)容量衰減問(wèn)題,而采用固態(tài)電容的電路板,容量稍有波動(dòng),就會(huì)使電源出現(xiàn)波紋,造成CPU不能正常工作。因此,理論上固態(tài)電容的壽命很高,但采用固態(tài)電容的板子壽命就未必高。
采用固態(tài)電容電腦板的維修:由于CPU供電部分常常是多個(gè)電容并聯(lián),因固態(tài)電容不會(huì)出現(xiàn)變形、爆漿、漏液等的現(xiàn)象,目測(cè)是基本沒(méi)有辦法可以判斷是哪一只出現(xiàn)故障,所以在維修中常采取拆除其中一只(無(wú)論好壞),換一只大容量的電容(很多時(shí)候可以用電解電容),這種辦法一般能快速解決問(wèn)題。
理論上固態(tài)電容的壽命很高,但是在實(shí)際使用過(guò)程中仍然會(huì)出現(xiàn)很多故障,筆者在維修過(guò)程中曾多次遇到電容失效問(wèn)題,
目前看來(lái),不少?gòu)S商推出的以超頻為賣點(diǎn)的主板大都會(huì)使用固態(tài)電容,“固態(tài)電容的主板更能超”這個(gè)說(shuō)法只能說(shuō)勉強(qiáng)正確,對(duì)超頻起決定作用的并不是電容。線路的設(shè)計(jì)、BIOS的研發(fā),CPU本身體質(zhì)的好壞以及散熱措施都可能決定超頻的成敗。所以不存在說(shuō)“將主板上的普通電解電容更換為全固態(tài)電容就能提升主板的超頻性能”,這種說(shuō)法完全錯(cuò)誤!如果真的要說(shuō)固態(tài)電容對(duì)超頻的影響的話,那就是由于它擁有更高的耐壓和耐溫能力,因此對(duì)超頻后的系統(tǒng)穩(wěn)定性提供了一定的保障。