中文名 | 光電IC | 外文名 | 無 |
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影????響 | 它是集成電路的一種廣泛運(yùn)用 | 屬????性 | 電子元器件產(chǎn)品 |
方????法 | 半導(dǎo)體制作工藝 |
光電IC在近代發(fā)展的很快涉及面也逐漸擴(kuò)散,在光通訊、半導(dǎo)體照明、激光、光電顯示、光學(xué)、太陽能光伏、電子工程等領(lǐng)域運(yùn)用的非常多。
下一代光傳送網(wǎng)的基本特征是超大容量,從目前各種復(fù)用技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r看,密集波分復(fù)用(DWDM)被認(rèn)為是擴(kuò)大網(wǎng)絡(luò)容量和提高其靈活性的最有效途徑。采用DWDM可以使容量迅速地?cái)U(kuò)大數(shù)十倍至數(shù)百倍。由于近年來市場驅(qū)動(dòng)和技術(shù)突破的影響,波分復(fù)用系統(tǒng)發(fā)展極為迅速。因此各種新研制的光器件也都或多或少與波分復(fù)用有關(guān)。DWDM的發(fā)展思路一直是追求更高的頻譜效率,一方面提高每個(gè)通道的速率,另一方面增加通道密度。在速率上,目前商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s,更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實(shí)用化,預(yù)計(jì)到2004年開始商業(yè)應(yīng)用,一些電信公司如阿爾卡特的實(shí)驗(yàn)室已進(jìn)行了160Gbit/s的傳輸實(shí)驗(yàn)。在通道密度方面,通道間的波長間隙已小到25GHz,還在向12.5GHz努力,使得商用系統(tǒng)的總通道數(shù)現(xiàn)為160~240個(gè),實(shí)驗(yàn)室中最高達(dá)到1022個(gè)。為得到更大容量,有時(shí)不得不在上述兩者之間折衷考慮,同時(shí)還要采取抑制光纖中色散、非線性效應(yīng)的措施。所有這些要求都涉及到器件的高速、靈活和可靠的問題,而且最終還必須考慮低成本的問題,這使得目前新原理、新結(jié)構(gòu)和新功能的器件不斷涌現(xiàn)。
近年來隨著"網(wǎng)絡(luò)經(jīng)濟(jì)"泡沫的破滅,光通信產(chǎn)業(yè)的資本支出大為減少,作為光通信產(chǎn)業(yè)鏈最底端的光電子器件產(chǎn)業(yè)面臨非常大的挑戰(zhàn)。據(jù)估計(jì),2002年美國通信用光電子器件的資本支出將在2001年銳減29%的基礎(chǔ)上繼續(xù)降低24%。另一方面,前期對(duì)市場盲目樂觀的估計(jì)造成了大量光電子器件積壓,據(jù)估計(jì)此狀況將持續(xù)到2003年。在這種市場環(huán)境下,光電子器件的研究與發(fā)展的趨勢主要表現(xiàn)在以下幾方面:
(1) 從光電子器件實(shí)現(xiàn)的功能來看,使光網(wǎng)絡(luò)容量更大、更智能仍是光電子器件發(fā)展方向,但研究的側(cè)重點(diǎn)有所改變。在系統(tǒng)傳輸容量方面,光電子器件的研究方向?qū)⒆⒅亟档蛡鬏斚到y(tǒng)的每公里每比特的成本,而不再一味追求單纖傳輸速率的突破。光纖傳輸容量的提高有三種方案:擴(kuò)展光波段、增加光通道密度和提高通道速率。在器件級(jí)的研究上,拉曼光放大器與EDFA結(jié)合的寬帶放大器被認(rèn)為是系統(tǒng)擴(kuò)展至L波段時(shí)最具應(yīng)用潛力的光電子器件;波長鎖定激光器、大功率包層泵浦EDFA和高密度的群組濾波器將是光通道間隔降低到50GHz、25GHz甚至12.5GHz的高光通道密度傳輸系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件。40Gbit/s高速光調(diào)制器和接收器、動(dòng)態(tài)色散補(bǔ)償器和偏振模色散補(bǔ)償器等光電子器件將是信道速率為40Gbit/s的系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件。這些關(guān)鍵光電子器件的性能與價(jià)格將直接影響未來光傳輸系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案選取,但近期重點(diǎn)產(chǎn)品仍在10Gbit/s系列上,而2.5Gbit/s產(chǎn)品將呈逐步下降的走向。
(2) 小型化和集成化正成為光電子器件保持競爭力的一個(gè)新的趨勢。隨著光電子器件在光傳輸設(shè)備中的比例越來越大,對(duì)光電子器件的小型化要求日益顯現(xiàn)。使設(shè)備能少占機(jī)房的面積和少消耗能源,能有效地降低網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)行成本。光電子器件的小型化要求還促進(jìn)了集成技術(shù)的發(fā)展。光電集成技術(shù)可以將光子元件與它的驅(qū)動(dòng)電子芯片集成在一起。平面波導(dǎo)集成技術(shù)則可以將光開關(guān)、可調(diào)衰減器和波分復(fù)用/解復(fù)用器等無源器件集成在一起,在一塊芯片實(shí)現(xiàn)子系統(tǒng)功能的系統(tǒng)與分立器件組成的系統(tǒng)相比,既大大減小了體積,還降低封裝的成本。在小型化光器件的開發(fā)中,將激光器/探測器等光器件與微電子芯片組裝成一體,形成具有多種功能模塊的發(fā)展趨勢正在明顯加快。模塊化能消除寄生參量的影響從而提高性能,并能節(jié)省后道組裝的工序和成本。它還促進(jìn)了相關(guān)產(chǎn)業(yè)界的合作和標(biāo)準(zhǔn)化,如一年前由多家企業(yè)就10Gbit/s 轉(zhuǎn)發(fā)器的光、電和機(jī)械性能標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成的協(xié)議,大大推動(dòng)了這類器件性能價(jià)格比的提高。在功能上,前向糾錯(cuò)(FEC)、熱插拔已普遍為高端產(chǎn)品所采納。在尺寸上,與傳統(tǒng)的插盤相比,用集成的轉(zhuǎn)發(fā)器模塊能使體積縮小到原來的1/10,功耗下降2/3而價(jià)格卻只有原來的1/3。主要在城域網(wǎng)和接入網(wǎng)中使用的光收發(fā)一體模塊也在由DUPLEX SC型向更小封裝的SFF 模塊發(fā)展。與DUPLEX SC封裝相比,它在插盤上占的體積縮小了1/2。在光放大器方面,新的EDFA模塊尺寸只有7cm′9cm′1.2cm (長′寬′高),卻能提供24dB的增益和15dBm的功率輸出。模塊化還進(jìn)一步促進(jìn)了微型封裝激光器和無致冷激光器的進(jìn)步。現(xiàn)在不僅是光信號(hào)源用激光器,功率型的泵浦激光器也取得了無致冷技術(shù)的突破。120mW以下980nm無致冷激光器已有商品提供,由于省掉致冷器,EDFA模塊的功耗從4.5W減少到不足1W,體積也大大縮小。值得注意的是,近來摻鉺波導(dǎo)光放大器(EDWA)也被集成于平面波導(dǎo)中,以克服平面波導(dǎo)器件插損大的缺點(diǎn),從而使制造功能更新、更復(fù)雜的平面波導(dǎo)器件成為可能。
(3) 光電子器件組裝的自動(dòng)化技術(shù)將是降低光電子器件成本的關(guān)鍵。手工組裝是限制光電子器件的成本進(jìn)一步下降的主要因素。自動(dòng)化組裝可以降低人力成本、提高產(chǎn)量和節(jié)約生產(chǎn)場地,因此光電子器件組裝的自動(dòng)化技術(shù)的研究將是降低光電子器件成本的關(guān)鍵。由于光電子器件自動(dòng)化組裝的精度在亞微米量級(jí),自動(dòng)化組裝生產(chǎn)一直被認(rèn)為是很困難的事,但近來有很大突破。國外的學(xué)術(shù)期刊已多次報(bào)道在VCSEL、新型光學(xué)準(zhǔn)直器件和自對(duì)準(zhǔn)等技術(shù)進(jìn)步基礎(chǔ)上,光器件自動(dòng)化組裝實(shí)現(xiàn)的突破,同時(shí)專門針對(duì)自動(dòng)化組裝的光電子器件設(shè)計(jì)也正在興起。2002年OFC展覽會(huì)上有十多家自動(dòng)封裝、自動(dòng)熔接設(shè)備廠商參展,熔接、對(duì)準(zhǔn)、壓焊等許多過去認(rèn)為只能由人工操作的工藝現(xiàn)在都能由機(jī)械手進(jìn)行。據(jù)ElectroniCast預(yù)測,到2005年自動(dòng)化組裝與測試設(shè)備的銷量將達(dá)17.1億美元,光電子器件產(chǎn)值中的70%~80%將由全自動(dòng)或半自動(dòng)化組裝生產(chǎn), 可以說自動(dòng)化生產(chǎn)線的出現(xiàn)是光電子行業(yè)開始走向成熟的標(biāo)志和發(fā)展的必然。
光電IC的型號(hào)
TM1801 CY7C68300B-56PVXC ZXLD1350 TSL230
TSL235 TSL2562 TSL3301 OPIC969B
PIC-2503 PIC-1503 PIC0103 TPS805
TPS807 OPIC969B GA250T6C1SY IS486E
PD567PS3 IS489E PIC-0103 PIC-0903
PAN3511 A2610 A2051 SFH5711
SFH5130 TSL201R TLP521-1 S4282-51
QSE158 QSE159 C1165 A2633
A2636 IL4208 IL4218 SFH5441
SFH5400 OPL585 OPL583 OPB10224
TPS831 TFDU5307-TR3 TP850 TLP3520
MC34072 TLP721-1 MC1330AP TLP557
SJ1117-50F S5228M SJ1117-AF S78DL05
S5225M SJ1117-50Q S78DL33F SJ1117-18D
S78DL33 SJ1117-15F SJ1117-APIC SJ1117-25Q
IS485 TSL2550T IS485 TPS805
CS54123 TPS805 TLP350 MC33152
MC34152 TL320 LX1563IM UC3845
UC3845 LX1562IM IR2104 IR2103
IR2153 A3144EU A3144LU A3144EUA
A2584 TLP521 TLP521-1 EL817
IR2117 ADM708AN HT9200A CS54123
BH3023 3201V6K EL817C SG-2BC
ER12065-05269
IC,即集成電路是采用半導(dǎo)體制作工藝,在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件,并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。它在電路中用字母“IC”(也有用文字符號(hào)“N”等)表示。
由光的作用產(chǎn)生的電叫光電。
以光電子學(xué)為基礎(chǔ),綜合利用光學(xué)、精密機(jī)械、電子學(xué)和計(jì)算機(jī)技術(shù)解決各種工程應(yīng)用課題的技術(shù)學(xué)科。信息載體正在由電磁波段擴(kuò)展到光波段,從而使光電科學(xué)與光機(jī)電一體化技術(shù)集中在光信息獲取、傳輸、處理、記錄、存儲(chǔ)、顯示和傳感等的光電信息產(chǎn)業(yè)上。
光電開關(guān)ic規(guī)格型號(hào)有哪些?
1.LED常用的芯片有:4953、74HC138、74HC595、138D、74HC245以及04等。 2.LED芯片大小根據(jù)功率可分為小功率芯片和大功率芯片。根據(jù)客戶要求可分為單管級(jí)數(shù)碼級(jí),點(diǎn)陳級(jí)。...
光電材料是指用于制造各種光電設(shè)備(主要包括各種主、被動(dòng)光電傳感器光信息處理和存儲(chǔ)裝置及光通信等)的材料,主要包括紅外材料、激光材料、光纖材料、非線性光學(xué)材料等。 紅外探測材料 包括硫化鉛、銻化銦、鍺摻...
光電開關(guān)一般是指一對(duì)紅外線對(duì)管封裝在一起,分為反射型(槽型)和對(duì)射型;光電對(duì)管就是一對(duì)紅外線接收管和發(fā)射管。
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家用智能水表的分類和分析:IC卡表、脈沖、光電直讀表
OEIC與IC的重要區(qū)別在于,,OEIC除控制不同元件之間電子流動(dòng)的功能外,還必須控制光子的流動(dòng)。通常把使用半導(dǎo)體材料來控制光子流動(dòng)的OEIC歸入光子集成,把使用介質(zhì)材料來控制光子流動(dòng)的OEIC歸入光學(xué)集成。OEIC的成功在很大程度上取決于所用材料和工藝,目前研究最多的材料是GaAs和InP。這些材料不僅具有良好的電光特性,既可用于制作光電器件,又可用于制作高速電子電路。此外,Si材料也是想望的材料,這種材料唯一的缺點(diǎn)是它不是理想的光電材料,很難用它制作光有源器件。目前,使用先進(jìn)的工藝手段,如分子束外延(MBE)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(MOCVD)和聚焦離子束微加工已能滿足制作OEIC的要求。本文討論涉及有關(guān)OEIC材料及工藝的若干問題,并討論OEIC的潛在應(yīng)用前景。
最有代表性的GaAs OEIC是光纖(FO)光發(fā)射機(jī)OEIC,這類光發(fā)射機(jī)是在GaAs襯底上集成光有源器件(如激光二極管或發(fā)光二極管)和用做激光二極管的驅(qū)動(dòng)電路。在GaAs襯底上集成一只ALGaAs隱埋異質(zhì)結(jié)激光二極管(BHLD)和兩只金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)。兩只MESFET的作用是控制通過激光器的電流,其中一只提供維持激光器在閥值以上工作的偏流,另一只提供激光器直接調(diào)制輸出的調(diào)制電流。兩個(gè)電流獨(dú)立受控于MESFET的柵壓。這種OEIC設(shè)計(jì)是非平面的,這種結(jié)構(gòu)的OEIC限制通過光刻可得到的最小特征尺寸,使電子線路的速度首先。因此這種OEIC光發(fā)射機(jī)的頻響限制在幾個(gè)GHz以下。想要獲得高速工作的OEIC光發(fā)射,應(yīng)采用平面型結(jié)構(gòu),這時(shí)應(yīng)該將生長激光器位置的溝道通過刻蝕工藝將其降至到襯底里面,使最終生長的激光器層的最上層高度大體與MESFET頂層高度一致。迄今為止,實(shí)現(xiàn)高速工作的GaAs OEIC的工藝已成熟,并能滿足CD-ROM和第一代FO發(fā)射機(jī)的要求。
具有1.3μm和1.55μm波長范圍輸出和接收的激光二極管和光電二極管通常是由在InP襯底上生長的窄帶隙思遠(yuǎn)化合物In-GaAsP和三元化合物InGaAs所構(gòu)成。遺憾的是,由這些材料構(gòu)成的MESFET因較低的肖特基勢壘,造成高的柵泄漏電流。因此In-GaAs/InP的OEIC不宜使用MESFET。異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)是InP OEIC最理想的電子元件。HBT與MESFET不同,它具有由一個(gè)疊層排列的發(fā)射極、基極和集成電極組成的垂直幾何形狀結(jié)構(gòu)。鑒于InP OEIC光發(fā)射極構(gòu)形和HBT結(jié)構(gòu)的各層連接方式,由于跨接基極/發(fā)射極異質(zhì)結(jié)產(chǎn)生一正向偏壓,而集電極/發(fā)射極異質(zhì)結(jié)經(jīng)受一反向偏壓。因此,當(dāng)一小電流流經(jīng)發(fā)射極/基極電路時(shí),便在經(jīng)基極的發(fā)射極/集電極電路中產(chǎn)生一相當(dāng)大的電流。由于激光器與OEIC中的HBT的集電極相連接,因此通過調(diào)節(jié)HBT的發(fā)射極/基極電路的電流便可調(diào)節(jié)通過激光器的電流。
HBT不僅消除在InGaAsP/InP系統(tǒng)中因高柵泄漏電流的問題,而且它的垂直幾何形狀和高速性能很適合寬帶FO通信器件的高密度集成。除HBT之外,其他類型的FET,如金屬-絕緣體-半導(dǎo)體FET(MIS-FET)、高電子遷移率晶體管(HEMT)和調(diào)制摻雜FET(MODFET)對(duì)InP OEIC也是有價(jià)值的。
盡管隱埋異質(zhì)結(jié)構(gòu)和法布里一拍羅(F-P)腔條形激光器具有很好的性能特性,但是解理的或腐蝕的反射鏡面不僅使制造工藝復(fù)雜化,而且高的闡值電流還可能引起熱相關(guān)的問題。一種較好的解決辦法是使用分布反饋(DFB)和分布Bragg反射器(DBR)激光二極管,這類LD具有低的閉值電流和量子阱增益結(jié)構(gòu)。此外,對(duì)高密度OEIC來說,低電流的垂直腔表面發(fā)射LD(VCSEL)是最理想的選擇,在光計(jì)機(jī)互連網(wǎng)絡(luò)中有巨大的應(yīng)用市場。nIpOEIC另一個(gè)領(lǐng)域是光接收機(jī)。這類接收機(jī)組合光電探測器和用做放大及信號(hào)處理的電子線路。適合OECI的光電探測器有
兩種,一種是p一i一n光電二極管,另一種是金屬一半導(dǎo)體一金屬(MSM)光電二極管,都具有高速工作的能力。在nIP襯底上集成的p一i一n光電二極管(PD)和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)是一種垂直集成的OEIC光接收機(jī)。它的制作程序很明確,首先在nIP襯底上生長PD的半導(dǎo)體層,然后再生長HBT的半導(dǎo)體層。生長結(jié)束后,選擇刻蝕出PD和HBT。最后,淀積接觸金屬層和用做隔離的聚酞亞胺膜。PD和HBT之間的電連接是通過分離的金屬淀積實(shí)現(xiàn)的。OECI光接收機(jī)也可采用水平集成構(gòu)形,為解決各集成元件厚度的差異可采用預(yù)先腐蝕出溝或阱,而后在溝或阱上生長PD的半導(dǎo)體層,或者使用離子注入或擴(kuò)散技術(shù),使較厚的器件層沉沒到預(yù)先的生長層中。然而,最直接的解決辦法是使用平面光電二極管。遺憾的是MSMPD不能工作于窄帶隙的nIGaAs/nIP系統(tǒng)。
Si OECI一直是人們想望的OEIC,它的內(nèi)容包括在Si襯底上制作出諸如Si的光波導(dǎo)、調(diào)制器、光開關(guān)、光發(fā)射器和光探測器,并構(gòu)成具有功能作用的OEIC。1.3、1.6拜m波段的SIOEIC最引人注目。一旦這個(gè)設(shè)想獲得成功,不僅可以解決大規(guī)模IC和OEIC之間存在的工藝兼容性問題,而且還解決它們之間的互連性,這對(duì)未來的高速信息處理、光計(jì)算和FO通信無疑有著極大的吸引力。但是要實(shí)現(xiàn)全Si的OECI,并非是件容易的事,問題的關(guān)鍵在于Si不是理想的光電材料,它不能呈現(xiàn)出線性的電光效應(yīng),很難用它制作出光的有源器件。
眾所周知,Si是一種間接帶隙材料,它阻止導(dǎo)帶的電子與價(jià)帶的空穴有效輻射復(fù)合,室溫下電學(xué)注入1醉、105個(gè)載流子只能產(chǎn)生一個(gè)光子,即使在77K下也只能提高4倍的效率。已進(jìn)行的研究表明,要克服低效率的限制,可以通過K守恒選擇法則,強(qiáng)制性地給出帶一帶間的轉(zhuǎn)換,這就是首先必須確定出Si中引入的雜質(zhì)中心,以產(chǎn)生有效的亞帶隙光發(fā)射。較有成效的研究是在Si中引入激活的光學(xué)轉(zhuǎn)換雜質(zhì),且這種光學(xué)轉(zhuǎn)換雜質(zhì)的濃度必須相當(dāng)?shù)母摺F渲幸环N方法是使用等價(jià)的m族雜質(zhì)來形成輻射的絡(luò)合物,這種方法為紅外波長Si發(fā)射器件開辟了一條道路。今后的工作是要提高其發(fā)光效率和輻射工作的溫度。
IC卡的缺點(diǎn)是制造成本高。
IC卡時(shí)序要求
IC卡接口電路對(duì)IC卡插入與退出的識(shí)別,即卡的激活和釋放,有很嚴(yán)格的時(shí)序要求。如果不能滿足相應(yīng)的要求,IC卡就不能正常進(jìn)行操作;嚴(yán)重時(shí)將損壞IC卡或IC卡讀寫器。
(1)激活過程
為啟動(dòng)對(duì)卡的操作,接口電路應(yīng)按圖1所示順序激活電路:
◇RST處于L狀態(tài);
◇根據(jù)所選擇卡的類型,對(duì)VCC加電A類或B類,
◇VPP上升為空閑狀態(tài);
◇接口電路的I/O應(yīng)置于接收狀態(tài);
◇向IC卡的CLK提供時(shí)鐘信號(hào)(A類卡1~5MHz,B類卡1~4MHz)。
在t'a時(shí)間對(duì)IC卡的CLK加時(shí)鐘信號(hào)。I/O線路應(yīng)在時(shí)鐘信號(hào)加于CLK的200個(gè)時(shí)鐘周期(ta)內(nèi)被置于高阻狀態(tài)Z(ta 時(shí)間在t'a之后)。時(shí)鐘加于CLK后,保持RST為狀態(tài)L至少400周期(tb)使卡復(fù)位(tb在t'a之后)。在時(shí)間t'b,RST被置于狀態(tài)H。I/O上的應(yīng)答應(yīng)在RST上信號(hào)上升沿之后的400~40 000個(gè)時(shí)鐘周期(tc)內(nèi)開始(tc在t'b之后)。
在RST處于狀態(tài)H的情況下,如果應(yīng)答信號(hào)在40 000個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)仍未開始,RST上的信號(hào)將返回到狀態(tài)L,且IC卡接口電路按照圖2所示對(duì)IC卡產(chǎn)生釋放。
(2)釋放過程
當(dāng)信息交換結(jié)束或失敗時(shí)(例如,無卡響應(yīng)或卡被移出),接口電路應(yīng)按圖2所示時(shí)序釋
IC卡
放電路:
◇RST應(yīng)置為狀態(tài)L;
◇CLK應(yīng)置為狀態(tài)L(除非時(shí)鐘已在狀態(tài)L上停止);
◇VPP應(yīng)釋放(如果它已被激活);
◇I/O應(yīng)置為狀態(tài)A(在td時(shí)間內(nèi)沒有具體定義);
◇VCC應(yīng)釋放。
IC卡接口電路應(yīng)能在表1規(guī)定的電壓范圍內(nèi),向IC卡提供相應(yīng)穩(wěn)定的電流。
IC卡接口電路向卡提供時(shí)鐘信號(hào)。時(shí)鐘信號(hào)的實(shí)際頻率范圍在復(fù)位應(yīng)答期間,應(yīng)在以下范圍內(nèi):A類卡,時(shí)鐘應(yīng)在1~5MHz;B類卡,時(shí)鐘應(yīng)在1~4MHz。
復(fù)位后,由收到的ATR(復(fù)位應(yīng)答)信號(hào)中的F(時(shí)鐘頻率變換因子)和D(比特率調(diào)整因子)來確定。
時(shí)鐘信號(hào)的工作周期應(yīng)為穩(wěn)定操作期間周期的40%~60%。當(dāng)頻率從一個(gè)值轉(zhuǎn)換到另一個(gè)值時(shí),應(yīng)注意保證沒有比短周期的40%更短的脈沖。