硅片腐蝕

1. 在工序1和3中氫氧化鈉溶液與硅片反應時會有堿蒸氣產生，故設備運行時請關閉有機玻璃門。

2. 鹽酸是揮發(fā)性強酸，不不要去聞其味道。

3. 氫氟酸會腐蝕玻璃，故不與玻璃器械接觸，也不要去聞氫氟酸的味道。

4. 如果酸或堿不小心濺入眼內或濺到臉上，請立即打開洗臉洗眼池上蓋沖洗。

1. 本工藝步驟是施博士制定的，是可行的具有指導意義的兩步法堿腐蝕工藝。第一步粗拋光去掉硅片的損傷層。第二步細拋光，表面產生出部分反射率較低的織構表面。如果含有[100]晶向的晶粒，就可以長出金字塔體狀的絨面。第五步是通過鹽酸中和殘余的氫氧化鈉，化學反應方程式為: 。第七步氫氟酸絡合掉硅片表面的二氧化硅層，化學反應方程式為: 。

2. 我們就粗拋作過實驗，投入50片硅片:

a. 在20%NaOH溶液中，溫度為80℃，反應了10分鐘，硅片厚度平均去掉了32μm。

b. 在15%NaOH溶液中，溫度為80℃，反應了10分鐘，硅片厚度平均去掉了25μm(此數(shù)據(jù)來源于小片實驗)。

硅片粗拋是放熱反應且反應激烈，反應速度與溫度上升有點正反饋的態(tài)勢:溫度高，濃度高反應就會更激烈。新硅片由于表面粗糙，表面積大一些反應也會激烈一些。

c. 由于每次投片量較大，125×125可投300片，103×103可投400片，因而反應會很激烈，通過積累可以求出在受控條件下最佳濃度和時間。

d. 按照施博士的意見硅片去掉20~25μm的厚度，硅片損傷層也就去除干凈了，這也可以作為檢驗標準。

e. 本反應以125×125的硅片計，每一片每次反應去掉25μm的厚度為準，每片將消耗0.9克硅，也將消耗2.6克氫氧化鈉，300片硅片將消耗780克氫氧化鈉，加上溶液加熱蒸氣帶走一部分氫氧化鈉，先加上1000克氫氧化鈉為宜。

f. 同理，如 e那樣每次生成832克硅酸鈉，反應槽內的溶劑以170千克計，一旦溶液出現(xiàn)明顯白色絮狀硅酸鈉，就應更換氫氧化鈉溶液。

g. 工序3中利用氫氧化鈉對硅腐蝕的各向異性，用2%氫氧化鈉溶液在多晶硅表面產生反射率較低織構表面，在[100]晶向的晶粒表面上會腐蝕出金字塔體的絨面來。多晶硅總會存在著[100]晶向的晶粒，只是多少而已。

h. 溶液配比方法是采取重量百分比法，如20%氫氧化鈉溶液是1000ml純水中加200克氫氧化鈉。