中文名 | 硅壓阻式動態(tài)壓力傳感器 | 外文名 | Silicon piezoresistive dynamic pressure sensors |
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標(biāo)準(zhǔn)類別 | 產(chǎn)品 | 標(biāo)準(zhǔn)號 | GB/T 26807-2011 |
主要起草單位:昆山雙橋傳感器測控技術(shù)有限公司、沈陽儀表科學(xué)研究院、傳感器國家工程研究研究中心、國家儀器儀表元器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心。
主要起草人:尤彩紅、劉沁、王冰、王文襄、劉波、徐秋玲、徐長伍等。 2100433B
2011年7月29日,《硅壓阻式動態(tài)壓力傳感器》發(fā)布。
2011年12月1日,《硅壓阻式動態(tài)壓力傳感器》實施。
格式:pdf
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頁數(shù): 5頁
評分: 4.7
微型、薄型動態(tài)壓力傳感器 一、CYG502型超微型壓力傳感器 (絕壓 ) 標(biāo)稱尺寸外徑 2mm的超微型壓力傳感器 CYG502是專為流體力學(xué)實驗中要求更小安裝尺 寸的用途而設(shè)計的。是目前我公司推出產(chǎn)品中尺寸最小的壓力傳感器。 CYG502的壓力敏感元件采用當(dāng)代最先進(jìn)的 MEMS(Miro Electronic Machinical Systems) 技術(shù)設(shè)計與制造。 三維集成、 雙面加工的硅壓阻壓力敏感元件具有優(yōu)秀的線性精度。 離子注 入、精細(xì)光刻技術(shù)制作的惠斯頓應(yīng)變電橋的高度一致性使其具有很小的溫度漂移。 采用硅硅 直接鍵合技術(shù)、 倒 V型槽設(shè)計、 從而實現(xiàn)了可利用芯片薄膜尺寸的最佳化, 為超微型傳感器 的實現(xiàn)取得關(guān)鍵突破。 使用了硅–硅鍵合技術(shù),改善了熱匹配效果,減少了應(yīng)力帶來的零位不穩(wěn)定性。 目前已面市品種有絕壓型測量模式產(chǎn)品,表壓型正在研制中。 二、CYG503型微型壓力傳感器(
基于世界領(lǐng)先的MEMS硅微加工技術(shù),壓阻式加速度傳感器具有體積小、低功耗等特點,易于集成在各種模擬和數(shù)字電路中,廣泛應(yīng)用于汽車碰撞實驗、測試儀器、設(shè)備振動監(jiān)測等領(lǐng)域。加速度傳感器網(wǎng)為客戶提供壓阻式加速度傳感器/壓阻加速度計各品牌的型號、參數(shù)、原理、價格、接線圖等信息。
壓電式加速度傳感器的性能和參數(shù)與壓阻式加速度傳感器的性能和參數(shù)一樣,包括靈敏度、頻率響應(yīng)、精度誤差等。但是,兩者性能有較大差別,例如壓電式加速度傳感器是電容性的,高阻抗,而壓阻式加速度傳感器是電阻性,低阻抗;壓電式加速度傳感器的頻響范圍較窄,在恒定方向加速度下壓電式加速度傳感器不輸出信號,通常其頻響范圍為2~270Hz;壓電式加速度傳感器的誤差較小,通常約為壓阻式加速度傳感器的一半。
壓阻式傳感器是根據(jù)半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)在半導(dǎo)體材料的基片上經(jīng)擴(kuò)散電阻而制成的器件。其基片可直接作為測量傳感元件,擴(kuò)散電阻在基片內(nèi)接成電橋形式。當(dāng)基片受到外力作用而產(chǎn)生形變時,各電阻值將發(fā)生變化,電橋就會產(chǎn)生相應(yīng)的不平衡輸出。用作壓阻式傳感器的基片(或稱膜片)材料主要為硅片和鍺片,硅片為敏感 材料而制成的硅壓阻傳感器越來越受到人們的重視,尤其是以測量壓力和速度的固態(tài)壓阻式傳感器應(yīng)用最為普遍。