硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法

《硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法(GB/T 19922-2005)》修改采用ASTM F 1530—94《自動無接觸掃描測試硅片厚度、平整度及厚度變化的標(biāo)準(zhǔn)檢測方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與ASTMF 1530—94相比，僅提供了其有關(guān)局部平整度測量的內(nèi)容，并在硅片尺寸及厚度上與其有所差異。相關(guān)術(shù)語及測試方法的精密度采用國家標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法基本信息

書????名 硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法 作????者 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
出版日期 2006年1月1日 語????種 簡體中文
ISBN 155066126922 外文名 Standard Test Methods for Measuring Site Flatness on Silicon Wafers by Noncontact Scanning
出版社 中國標(biāo)準(zhǔn)出版社 頁????數(shù) 6頁
開????本 16

《硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法(GB/T 19922-2005)》由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：洛陽單晶硅有限責(zé)任公司、中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計量質(zhì)量研究所。本標(biāo)準(zhǔn)試驗驗證單位：北京有色金屬研究總院。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：史舸、蔣建國、陳興邦、賀東江、王文、鄧德翼。本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會負責(zé)解釋。本標(biāo)準(zhǔn)為首次發(fā)布。2100433B

硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
（除稅）		 工程建議價
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報價日期
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多聯(lián)機室內(nèi)機(標(biāo)準(zhǔn)靜壓風(fēng)管式) MDV-D56T2/N1-C3,制冷/熱量:5.6/6.3kW,L=800m3/h(高檔) ,N=80W,單相,220V,50Hz,制冷空氣入口溫度:Tdb=27℃ Twb=19℃,制熱空氣入口溫度:Tdb=20℃ Twb=15℃,機體尺寸:920X450X210(h),噪音:≤36dB(A) 查看價格 查看價格

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多聯(lián)機室內(nèi)機(標(biāo)準(zhǔn)靜壓風(fēng)管式) MDV-D90T2/N1-C制冷/熱量:9.0/10.0kW,風(fēng)量:1390m3/h(高檔),H=50Pa(靜壓),額定功率:231W,電源:單相,220V,50HZ.制冷空氣入口溫度:Tdb=27 查看價格 查看價格

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多聯(lián)機室內(nèi)機(標(biāo)準(zhǔn)靜壓風(fēng)管式) MDV-D36T2/N1-C3,制冷/熱量:3.6/4.0kW,L=540m3/h(高檔) ,N=72W,單相,220V,50Hz,制冷空氣入口溫度:Tdb=27℃ Twb=19℃,制熱空氣入口溫度:Tdb=20℃ Twb=15℃,機體尺寸:700X450X210(h),噪音:≤33dB(A) 查看價格 查看價格

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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價		 含稅
信息價		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
塔式起重機 QTZ200 臂長65m、安裝高度為標(biāo)準(zhǔn)高度 查看價格 查看價格

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塔式起重機 TC6513-8E 臂長65m、安裝高度為標(biāo)準(zhǔn)高度 查看價格 查看價格

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塔式起重機 TC7530-20 臂長75m、安裝高度為標(biāo)準(zhǔn)高度 查看價格 查看價格

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塔式起重機 TC8039-25 臂長80m、安裝高度為標(biāo)準(zhǔn)高度 查看價格 查看價格

臺·月 深圳市2022年11月信息價
塔式起重機 QTZ80 臂長60m、安裝高度為標(biāo)準(zhǔn)高度 查看價格 查看價格

臺·月 深圳市2022年10月信息價
塔式起重機 QTZ125 臂長50m、安裝高度為標(biāo)準(zhǔn)高度 查看價格 查看價格

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塔式起重機 QTZ125 臂長55m、安裝高度為標(biāo)準(zhǔn)高度 查看價格 查看價格

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塔式起重機 QTZ160 臂長70m、安裝高度為標(biāo)準(zhǔn)高度 查看價格 查看價格

臺·月 深圳市2022年10月信息價
材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
（元）		 供應(yīng)商 報價地區(qū) 最新報價時間
非接觸式IC卡 非接觸式IC卡|500個 1 查看價格 深圳市捷順科技實業(yè)股份有限公司 全國   2020-12-09
路面平整度測試儀 八輪(YLY)|2臺 1 查看價格 北京世紀(jì)誠達試驗儀器（集團）制造有限公司 北京  北京市 2015-03-31
路面平整度直尺 (3)米 WZ-2|5026臺 1 查看價格 濟南金恒翔機電有限公司 山東  濟南市 2015-07-08
顛簸累積平整度儀-巴普勒斯平整度儀 BIPRES|9臺 1 查看價格 北京歐亞星宇科技有限公司 北京  北京市 2015-10-10
路面平整度測儀 WS-55|5臺 1 查看價格 濟南金恒翔機電有限公司 山東  濟南市 2015-06-16
響應(yīng)式顛簸累積平整度儀-瑞普勒斯平整度儀 RAPRES|4臺 1 查看價格 北京歐亞星宇科技有限公司 北京  北京市 2015-04-15
非接觸式復(fù)合卡 1.符合ISO14443標(biāo)準(zhǔn)《中國金融集成電路(IC)卡應(yīng)用規(guī)范》;2.工作頻率:13.56MHZ;3.卡片內(nèi)信息完整,必須記錄持卡人基本信息和錢包信息;4.讀寫距離:0-10cm ;5.存儲容量:8K位EEPROM,無電池;6.多重應(yīng)用區(qū):16個扇區(qū);7.寫卡次數(shù):10萬次以上.|200臺 1 查看價格 深圳市云卡通科技有限公司 全國   2019-07-05
非接觸式IC卡 1、制作標(biāo)準(zhǔn) ISO/IEC14443 2、卡片尺寸 86×54×0.87mm 3、材料 PVC、PET、0.13銅錢 4、封裝工藝 超聲波自動植線/自動碰焊 5、芯片 FM11RF08|1張 1 查看價格 廣州賽瑞電子有限公司 全國   2022-02-21

硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法常見問題

  • 接觸電阻測試方法是什么

    一般要求接觸電阻在10-20   mohm以下。   有的開關(guān)則要求在100-500uohm以下。有些電路對接觸電阻的變化很敏感

  • 接觸電阻測試方法是什么？

    測試接點電阻的目的是確定接觸點氧化或其它表面薄膜積累是否增加了被測器件的電阻。即使在極短的時間內(nèi)器件兩端的電壓過高，也會破壞這種氧化層或薄膜，從而破壞測試的有效性。擊穿薄膜所需要的電壓電平通常在30m...

  • 手持式粗糙度測試儀 非接觸式粗糙度儀 購買的多嗎

    挺多的，以前國外產(chǎn)品用的多，近幾年國內(nèi)品牌也起來了，現(xiàn)在用的是NDT120

硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法文獻

路面平整度的激光非接觸式測量方法 路面平整度的激光非接觸式測量方法

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頁數(shù)： 3頁

評分： 3

路面平整度的激光非接觸式測量方法——本文提出了一種使用激光測量路面平整度的方法，測量精度可達0．2mm，測量范圍為± 170 mm ，設(shè)計速度為144 km／h。在實驗室條件下對此測量方法的線性作了試驗。

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鋁熔鹽電解過程陽極電流非接觸式測試方法 鋁熔鹽電解過程陽極電流非接觸式測試方法

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頁數(shù)： 未知

評分： 4.8

針對鋁電解槽電磁場的基本原理,提出一種陽極電流非接觸式測試方法即多傳感器測試方法。該方法是在每個陽極導(dǎo)桿附近,布置多個測試磁場的傳感器,通過調(diào)節(jié)傳感器的組合方式,得到測試點準(zhǔn)確的磁場,進而反推得到各陽極導(dǎo)桿的電流分布。建立了鋁電解槽的骨架模型,對多傳感器測試方法進行驗證并優(yōu)化。結(jié)果表明:采用3個傳感器的布置方案,陽極電流的測試誤差減小,誤差分布范圍為0.35%~0.90%;在傳感器1、2的間距為13 mm,傳感器1、4的間距為5 mm的特定布置方案中,陽極電流的測試誤差達到最小值,平均誤差不超過?0.3%;并且該方法具有安裝簡單、操作方便、精度高以及可實現(xiàn)在線連續(xù)測量等特點。

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測量硅片表面幾何參數(shù)，以及電阻率型號等厚度可測中心點，可測全表面2000余點，出最大最小值平整度測量兩種測量方式，局部平整度測量4種方式，電阻率測量范圍為中心至邊緣（尺寸不同，距離邊緣距離有差別）。 2100433B

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厚度范圍400-990μm精確度≤±0.5μmRES低阻測量范圍是0.001～0.999Ω·cm；高阻測量范圍是0.2～199.9Ω·cm精確度≤±2%平整度精確度≤±0.15μm型號準(zhǔn)確無誤。

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2015年12月10日，《碳化硅單晶片平整度測試方法》發(fā)布。

2017年1月1日，《碳化硅單晶片平整度測試方法》實施。

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