《硅片局部平整度非接觸式標準測試方法(GB/T 19922-2005)》由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會歸口。本標準起草單位:洛陽單晶硅有限責任公司、中國有色金屬工業(yè)標準計量質(zhì)量研究所。本標準試驗驗證單位:北京有色金屬研究總院。本標準主要起草人:史舸、蔣建國、陳興邦、賀東江、王文、鄧德翼。本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會負責解釋。本標準為首次發(fā)布。2100433B
一般要求接觸電阻在10-20 mohm以下。 有的開關(guān)則要求在100-500uohm以下。有些電路對接觸電阻的變化很敏感
測試接點電阻的目的是確定接觸點氧化或其它表面薄膜積累是否增加了被測器件的電阻。即使在極短的時間內(nèi)器件兩端的電壓過高,也會破壞這種氧化層或薄膜,從而破壞測試的有效性。擊穿薄膜所需要的電壓電平通常在30m...
挺多的,以前國外產(chǎn)品用的多,近幾年國內(nèi)品牌也起來了,現(xiàn)在用的是NDT120
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針對鋁電解槽電磁場的基本原理,提出一種陽極電流非接觸式測試方法即多傳感器測試方法。該方法是在每個陽極導(dǎo)桿附近,布置多個測試磁場的傳感器,通過調(diào)節(jié)傳感器的組合方式,得到測試點準確的磁場,進而反推得到各陽極導(dǎo)桿的電流分布。建立了鋁電解槽的骨架模型,對多傳感器測試方法進行驗證并優(yōu)化。結(jié)果表明:采用3個傳感器的布置方案,陽極電流的測試誤差減小,誤差分布范圍為0.35%~0.90%;在傳感器1、2的間距為13 mm,傳感器1、4的間距為5 mm的特定布置方案中,陽極電流的測試誤差達到最小值,平均誤差不超過?0.3%;并且該方法具有安裝簡單、操作方便、精度高以及可實現(xiàn)在線連續(xù)測量等特點。
測量硅片表面幾何參數(shù),以及電阻率型號等厚度可測中心點,可測全表面2000余點,出最大最小值平整度測量兩種測量方式,局部平整度測量4種方式,電阻率測量范圍為中心至邊緣(尺寸不同,距離邊緣距離有差別)。 2100433B
厚度范圍400-990μm精確度≤±0.5μmRES低阻測量范圍是0.001~0.999Ω·cm;高阻測量范圍是0.2~199.9Ω·cm精確度≤±2%平整度精確度≤±0.15μm型號準確無誤。
2015年12月10日,《碳化硅單晶片平整度測試方法》發(fā)布。
2017年1月1日,《碳化硅單晶片平整度測試方法》實施。