浸入式電加熱器

浸入式噴槍，屬于浸入熔渣中噴吹煤粉和氧氣的冶金噴槍。主要用于高溫還原冶煉的冶金過程。它由煤粉環(huán)管、一次氧氣管、冷卻水套、煤粉氧氣混合室、法蘭、槍頭等組成，其特點(diǎn)是：在槍尾煤粉環(huán)管的中心安裝有二次氧氣管，所述煤粉環(huán)管與所述二次氧氣管的管徑比為15—20，所述二次氧氣管插入槍尾煤粉環(huán)管的深度為20—50mm。它的使用能提高煤粉燃燒效率、防止熔渣倒罐現(xiàn)象、避免噴槍出口堵塞，減少氣體生成量，提高廢氣處理效率 。

浸入式光刻原型實(shí)驗(yàn)在上世紀(jì)90年代開始陸續(xù)出現(xiàn)。1999年，使用257nm干涉系統(tǒng)制作出周期為89nm的密集圖形。當(dāng)時使用的浸入液是環(huán)辛烷。但因?yàn)楫?dāng)時對浸入液的充入、鏡頭的沾污、光刻膠的穩(wěn)定性和氣泡的傷害等關(guān)鍵問題缺乏了解，人們并未對浸入式光刻展開深入的研究。

2002年以前，業(yè)界普遍認(rèn)為193nm光刻無法延伸到65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，而157nm將成為主流技術(shù)。然而，157nm光刻技術(shù)遭遇到了來自光刻機(jī)透鏡的巨大挑戰(zhàn)。這是由于絕大多數(shù)材料會強(qiáng)烈地吸收157nm的光波，只有CaF2勉強(qiáng)可以使用。但研磨得到的CaF2鏡頭缺陷率和像差很難控制，并且價(jià)格相當(dāng)昂貴。雪上加霜的是它的使用壽命也極短，頻繁更換鏡頭讓芯片制造業(yè)無法容忍。

正當(dāng)眾多研究者在157nm浸入式光刻面前躊躇不前時，193nm浸入式光刻的概念被提出。在157nm波長下水是不透明的液體，但是對于193nm的波長則是幾乎完全透明的。并且水在193nm的折射率高達(dá)1.44，而可見光只有1.33。如果把水這樣一種相當(dāng)理想的浸入液，配合已經(jīng)十分成熟的193nm光刻設(shè)備，那么設(shè)備廠商只需做較小的改進(jìn)，重點(diǎn)解決與水浸入有關(guān)的問題，193nm水浸式光刻機(jī)就近在咫尺了。同時，193nm光波在水中的等效波長縮短為134nm，足可超越157nm的極限。193nm浸入式光刻的研究隨即成為光刻界追逐的焦點(diǎn)。2100433B