結(jié)型場效應(yīng)晶體管

對于耗盡型的JFET，在平衡時(shí)(不加電壓)時(shí)，溝道電阻最?。浑妷篤ds和Vgs都可改變柵p-n結(jié)勢壘的寬度，并因此改變溝道的長度和厚度（柵極電壓使溝道厚度均勻變化，源漏電壓使溝道厚度不均勻變化），使溝道電阻變化，從而導(dǎo)致Ids變化，以實(shí)現(xiàn)對輸入信號的放大。

當(dāng)Vds較低時(shí)，JFET的溝道呈現(xiàn)為電阻特性，是所謂電阻工作區(qū)，這時(shí)漏極電流基本上隨著電壓Vds的增大而線性上升，但漏極電流隨著柵極電壓Vgs的增大而平方式增大；進(jìn)一步增大Vds時(shí)，溝道即首先在漏極一端被夾斷，則漏極電流達(dá)到最大而飽和（飽和電流搜大小決定于沒有被夾斷的溝道的電阻），這就是JFET的飽和放大區(qū)，這時(shí)JFET呈現(xiàn)為一個(gè)恒流源。

JFET的放大作用可用所謂跨導(dǎo)gm = δIds / δVgsS ](Vds =常數(shù)) 來表示，要求跨導(dǎo)越大越好。

JFET的特點(diǎn)是：

1. 是電壓控制器件，則不需要大的信號功率。

2. 是多數(shù)載流子導(dǎo)電的器件，是所謂單極晶體管，則無少子存儲與擴(kuò)散問題，速度高，噪音系數(shù)低；而且漏極電流Ids的溫度關(guān)系決定于載流子遷移率的溫度關(guān)系，則電流具有負(fù)的溫度系數(shù)，器件具有自我保護(hù)的功能。

3. 輸入端是反偏的p-n結(jié), 則輸入阻抗大, 便于匹配。

4. 輸出阻抗也很大, 呈現(xiàn)為恒流源，這與BJT大致相同。

5. JFET一般是耗盡型的，但若采用高阻襯底, 也可得到增強(qiáng)型JFET(增強(qiáng)型JFET在高速、低功耗電路中很有應(yīng)用價(jià)值)；但是一般只有短溝道的JFET才是能很好工作的增強(qiáng)型器件。實(shí)際上，靜電感應(yīng)晶體管也就是一種短溝道的JFET。

6. 溝道是處在半導(dǎo)體內(nèi)部，則溝道中的載流子不受半導(dǎo)體表面的影響，因此遷移率較高、噪聲較低。

結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）：JFET是由p-n結(jié)柵極(G)與源極(S)和漏極(D)構(gòu)成的一種具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通過電壓改變溝道的導(dǎo)電性來實(shí)現(xiàn)對輸出電流的控制。

對于結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET），最常見到的是耗盡型JFET（D-JFET），即在0柵偏壓時(shí)就存在有溝道 的JFET；一般，不使用增強(qiáng)型JFET（E-JFET）——在0柵偏壓時(shí)不存在溝道 的JFET。這主要是由于長溝道E-JFET在使用時(shí)較難以產(chǎn)生出導(dǎo)電的溝道、從而導(dǎo)通性能不好的緣故。不過，由于高速、低功耗電路中應(yīng)用的需要，有時(shí)也需要采用E-JFET。

JFET導(dǎo)電的溝道在體內(nèi)。耗盡型和增強(qiáng)型這兩種晶體管在工藝和結(jié)構(gòu)上的差別主要在于其溝道區(qū)的摻雜濃度和厚度。D-JFET的溝道的摻雜濃度較高、厚度較大，以致于柵pn結(jié)的內(nèi)建電壓不能把溝道完全耗盡；而E-JFET的溝道的摻雜濃度較低、厚度較小，則柵pn結(jié)的內(nèi)建電壓即可把溝道完全耗盡。

但是，對于短溝道E-JFET，情況則有所不同，因?yàn)檫@種晶體管的漏極電壓可以作用到源極附近，使得溝道中的勢壘降低，所以能夠形成導(dǎo)電溝道。這種E-JFET從本質(zhì)上來說也就是靜電感應(yīng)晶體管。

在導(dǎo)電機(jī)理上與JFET相同的場效應(yīng)晶體管就是Schottky柵極場效應(yīng)晶體管（MESFET），這里只是用金屬-半導(dǎo)體接觸的Schottky結(jié)代替了p-n結(jié)作為柵極。

另外還有一種場效應(yīng)晶體管，就是高電子遷移率晶體管（HEMT），這種器件在結(jié)構(gòu)上與MESFET類似，但是在工作機(jī)理上卻更接近于MOSFET。

此外，MOSFET的襯偏效應(yīng)實(shí)際上也就是JFET的一種作用。

具有一個(gè)或多個(gè)在電氣上與溝道相互絕緣的柵極的場效應(yīng)半導(dǎo)體器件。絕緣柵場效應(yīng)晶體管是利用半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng)進(jìn)行工作的。由于它的柵極處于絕緣狀態(tài)，所以輸入電阻極高，可達(dá)105Ω。它和結(jié)型場效應(yīng)晶體管的不同之處在于導(dǎo)電機(jī)理和電流控制原理不同。結(jié)型場效應(yīng)晶體管利用耗盡層的寬度變化來改變導(dǎo)電溝道的寬窄，達(dá)到控制漏極電流的目的。絕緣柵型場效應(yīng)晶體管則利用半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng)，由感應(yīng)電荷的多少來改變導(dǎo)電溝道的寬窄，達(dá)到控制電流的目的。絕緣柵場效應(yīng)晶體管中，常用二氧化硅(Si_O2)為金屬柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層即金屬一氧化物半導(dǎo)體，簡稱MOS(meta-loxide-sem_icon_ductor)管，因此絕緣柵場效應(yīng)晶體管又稱MOSFET。它有N溝道和P溝道兩類，而每一類又分增強(qiáng)型和耗盡型兩種。增強(qiáng)型就是在uGS=0時(shí)，漏源之間沒有導(dǎo)電溝道;反之，在uGS=0時(shí)，漏源之間存在導(dǎo)電溝道的稱為耗盡型。