一、作用:可控的導(dǎo)電開關(guān),與二極管相比,不同之處是正向?qū)ㄊ卓刂茦O電流控制。二、什么是晶閘管:晶閘管導(dǎo)通條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管...
晶閘管(THYRISTOR)又名可控硅,屬于功率器件領(lǐng)域,是一種功率半導(dǎo)體開關(guān)元件,可控硅是其簡稱,按其工作特性,可控硅可分為單向可控硅(SCR)、雙向可控硅(TRIAC)。可控硅也稱作晶閘管,它是由...
一、晶閘管是晶體閘流管的簡稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個極:陽...
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晶閘管整流裝置 技 術(shù) 協(xié)議 書 二 00七年十二月 第 1頁 共 28頁 附件 1技術(shù)規(guī)范 一、總則 1. 本技術(shù)協(xié)議書適用于鋁硅鈦合金示范項目五套整流器及其附屬設(shè)備的設(shè)計、 制造、試驗、包裝、運輸、交貨、現(xiàn)場驗收等方面的技術(shù)要求及相關(guān)的伴隨服 務(wù),供方應(yīng)按照本技術(shù)協(xié)議書中所述條款,在工程設(shè)計、制造、驗收和培訓(xùn)等 方面為需方提供滿意的服務(wù)。 2.供方應(yīng)完全遵從技術(shù)協(xié)議書的要求為需方提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和滿意的服務(wù)。 3.本技術(shù)協(xié)議中所采用的標準如與現(xiàn)行國標或 IEC標準中的技術(shù)要求不一致時, 應(yīng)按較高標準執(zhí)行。 4.整流器與變壓器之間的配合問題,由需方協(xié)調(diào)設(shè)計單位、整流柜制造廠、變 壓器制造廠進行圖紙配合。 二、使用條件 1、環(huán)境條件: (1)年平均溫度 6.6 ℃ (2)最冷月平均溫度及濕度 -13.0 ℃ (3)最熱月平均溫度及濕度 21.
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頁數(shù): 5頁
評分: 4.5
為深入研究IGCT的關(guān)斷特性,該文基于實驗結(jié)果,建立了IGCT關(guān)斷過程中,流過IGCT電流的波形的數(shù)學(xué)模型,在此基礎(chǔ)上進而提出用微分方程研究電路中IGCT關(guān)斷特性的方法。為驗證該方法的有效性,以建立的IGCT關(guān)斷過程電流波形數(shù)學(xué)模型為基礎(chǔ)。該文建立基于斬波電路的IGCT關(guān)斷暫態(tài)特性的數(shù)學(xué)模型。該模型充分考慮IGCT阻容吸收回路、線路雜散電感及限流電抗器對IGCT關(guān)斷暫態(tài)過電壓的影響。數(shù)值仿真及試驗結(jié)果表明,該模型能夠較好地反映IGCT關(guān)斷過程中的暫態(tài)特性。
快速晶閘管
fast switching thyristor
GTO(Gate-Turn-Off Thyristor)是門極可關(guān)斷晶閘管的簡稱,他是晶閘管的一個衍生器件。但可以通過門極施加負的脈沖電流使其關(guān)斷,他是全控型器件。
?MCT(MOS Controlled Thyristor)是將MOSFET與晶閘管組合而成的復(fù)合型器件。MCT將MOSFET的高輸入阻抗、低驅(qū)動功率、快速的開關(guān)過程和晶閘管的高電壓大電流、低導(dǎo)通壓降的特點結(jié)合起來,也是Bi-MOS器件的一種。一個MCT器件由數(shù)以萬計的MCT元組成,每個元的組成為:一個PNPN晶閘管,一個控制該晶閘管開通的MOSFET,和一個控制該晶閘管關(guān)斷的MOSFET。
MCT具有高電壓、大電流、高載流密度、低通態(tài)壓降的特點。其通態(tài)壓降只有GTR的1/3左右,硅片的單位面積連續(xù)電流密度在各種器件中是最高的。另外,MCT可承受極高的di/dt和du/dt,使得其保護電路可以簡化。MCT的開關(guān)速度超高GTR,開關(guān)損耗也小。
總之,MCT曾一度被認為是一種最有發(fā)展前途的電力電子器件。因此,20世紀80年代以來一度成為研究的熱點。但經(jīng)過十多年的努力,其關(guān)鍵技術(shù)問題沒有大的突破,電壓和電流容量都遠未達到預(yù)期的數(shù)值,未能投入實際應(yīng)用。而其競爭對手IGBT卻進展飛速,所以,目前從事MCT研究的人不是很多。