可控硅元件是一款書籍閱讀類軟件,支持Android 2.2。
應(yīng)用名稱 | 可控硅元件 | 應(yīng)用平臺(tái) | mobile |
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應(yīng)用版本 | 1.3 |
書籍閱讀類軟件
這個(gè)程序?qū)椭玫亓私獾腏ohn Deere SCR系統(tǒng)以及排氣過濾器和DEF系統(tǒng)。獲取的各個(gè)組成部分的名稱和功能,并且流程的每個(gè)系統(tǒng)。
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用圖中電路控制100—300W的電阻絲,不需要做什么改動(dòng),而如果電阻絲的功率上限達(dá)到1000W,則應(yīng)將雙向可控硅SCR改為10A/600V,其觸發(fā)電路中的電阻和電位器的取值可經(jīng)實(shí)驗(yàn)確定,一般R...
可控硅,是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn),是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子...
可控硅調(diào)壓器一般采用移相觸發(fā)方式和過零調(diào)功方式來觸發(fā)可控硅。北京賽德恒的NT系列可控硅調(diào)壓器就是這種產(chǎn)品。我以前用過,它就是采用可控硅專用控制電路板來觸發(fā)可控硅模塊的。工作很穩(wěn)定。
雙向可控硅元件簡(jiǎn)介
一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似 于真空閘流管,所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,簡(jiǎn)稱可控硅T。又由于可控硅最初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱“死硅
”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。
可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過此頻率,因元件開關(guān)損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。
可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。
可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。
可控硅分類
可控硅有多種分類方法。
(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
(五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
(六)過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā),必須是過零點(diǎn)才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅。
(七)非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見的是移相觸發(fā),即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),來改變輸出百分比。
按一機(jī)部IBI144一75的規(guī)定,普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號(hào)采用如下格式標(biāo)注:
額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí),1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志,如表1-6所示。
通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,如表1一所示。
例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。
綜上所述,小結(jié)如下:
(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三個(gè)電極,用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由
PNPN四層組成
(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。
(3)可控硅導(dǎo)通后,當(dāng)陽極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。
(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,2.門極伏安特性區(qū)。
(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個(gè)參致: